美光计划在下一代DRAM中采用晶圆键合与High-NA EUV

📋总体概括

美光公布下一代DRAM技术路线：明确拒绝4F²单元结构，转而采用混合键合晶圆键合技术与High-NA EUV光刻来延续2D DRAM的微缩，3D DRAM则放在未来数年之后。这一选择与三星、SK海力士在4F²/3D DRAM上的激进探索形成对比，显示美光认为现有6F²架构仍有足够微缩空间，键合与High-NA EUV可在控制成本与风险的前提下继续推进。