功率模拟🔥9.0
芯片产出暴增2.3倍!全球首个300mm氮化镓量产厂落地:总投资超82亿元
📋总体概括
欧盟委员会批准向英飞凌提供3.19亿欧元(约23.86亿元人民币)国家补贴,支持其在奥地利菲拉赫工厂建设全球首座300mm氮化镓功率半导体大规模量产线。项目总投资约11亿欧元(约82.27亿元),计划2027年底前产出首批产品。300mm晶圆面积是200mm的2.25倍,单片芯片产出约2.3倍,有望显著降低单位成本。英飞凌2024年已率先跑通300mm GaN晶圆加工,将改造现有洁净室推进量产,背景是AI算力功耗攀升对高效电源的需求。
⚡关键信息
- ▸欧盟批准向英飞凌提供3.19亿欧元补贴,约合人民币23.86亿元,用于菲拉赫工厂项目
- ▸全球首座300mm氮化镓功率半导体量产线,总投资约11亿欧元(约82.27亿元人民币)
- ▸项目计划2027年底前产出首批产品,英飞凌将改造现有洁净室而非新建厂房
- ▸300mm晶圆面积是200mm的2.25倍,单片芯片产出约2.3倍,单位成本有望显著下降
- ▸英飞凌2024年率先跑通300mm GaN晶圆加工,AI算力功耗攀升是核心需求驱动
🔥犀利点评
这笔补贴花得精明:GaN从200mm迈向300mm不是简单放大,英飞凌2024年先跑通工艺再拿补贴建线,节奏踩得很稳。真正的门槛不在晶圆尺寸而在缺陷密度和均匀性,3.19亿欧元买的是欧洲在功率半导体的卡位权。别急着喊GaN颠覆硅,2027年才出首批产品,AI电源这块蛋糕英飞凌想独食,台积电和国内厂商不会答应。
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