存储不再只是周期:AI抢货、中国补课、巨头重排
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存储不再只是周期:AI抢货、中国补课、巨头重排
一、单季暴涨55%:一场「只有价格、没有增量」的行情
先看事实。据Counterpoint Research数据,2026年Q2全球NAND市场规模环比增长70%,而此前的Q1环比涨幅已经高达90%。听起来像需求井喷?不是。这两轮增长几乎完全由价格上涨驱动,出货量基本没动。价格端有多疯——Q2单季NAND合约价环比上涨55%,与TrendForce早前预估的70%至75%涨幅高度吻合。再叠加群联CEO的直接警告:六个月之内,NAND价格已经翻倍。半年翻倍、单季55%,是同一轮行情在不同观察尺度上的投影。
| 时间窗口 | 关键数据 | 来源 |
|---|---|---|
| 2026年Q1 | NAND市场规模环比增长90% | Counterpoint Research |
| 2026年Q2 | 合约价单季环比上涨55% | Counterpoint Research |
| 2026年Q2 | 市场规模环比再增70% | Counterpoint Research |
| 同期预估 | 涨幅70%~75% | TrendForce |
| 近六个月 | 价格近乎翻倍 | 群联CEO警告 |
座次方面,三星以28%的收入份额继续领跑,SK海力士、美光分列二三。但注意一个细节:在这场普涨里,三巨头没有谁靠出货量拉开差距——差距被价格的贝塔抹平了。
产业判断很清晰:当市场增长几乎100%由价格贡献时,说明供给端已完全失去弹性——原厂把能卖的产能都卖出去了,价格涨多少,收入就涨多少。这是典型的供给约束型行情,而非需求驱动的良性增长。换句话说,这是一场「没有增量、只有涨价」的盛宴。而盛宴的买单方,我们下一章展开。
二、AI抽水机:短缺如何从HBM一路烧到HDD
背景要先讲清楚:抽走闪存的不是AI本身,是AI背后那些出手阔绰的超大规模买家。过去一年,消费级SSD品牌从原厂拿货的周期越来越长、报价越来越高,而数据中心客户的采购经理,正带着以PB为单位的订单在原厂门口排队。据多位接近原厂渠道的人士透露,企业级大容量订单现在基本是「先款后货」,消费级客户排在其后——排队次序,就是话语权次序。
短缺是成链条传导的。Jim Handy在Hot Chips上点破:HBM现货价格较此前水平上涨约7倍,而每片晶圆产出的GB数只有标准DDR的三分之一——转产本身就在消耗产能。更麻烦的是,过去十余年工艺微缩足以满足位元增长,DRAM供应商几乎没做过大规模晶圆厂扩张,新建一座厂即便按激进时间表也要约两年。需求是今年爆的,产能是十年前就该建的。
外溢效应还在扩散。META在TLC SSD与HDD之间测试低成本QLC SSD后发现性能改善,促使超大规模数据中心更广泛采用SSD;HDD被AI需求拉动出现短缺,QLC SSD开始填补新的存储层级甚至替代缺货的HDD。需求的火烧穿每一个存储品类。美光科技CEO Sanjay Mehrotra说得直白:客户需求超出公司供给约50%。英伟达则已向客户预警15%的涨价。
判断只有一个:这不是经典的「缺货—扩产—过剩」循环。Jim Handy驳斥了「算法效率提升会压低硬件需求」的流行论断——当一项新技术把内存需求降低6倍,超大规模云厂商的典型反应是用相同预算处理6倍的Token,而不是削减资本开支。效率改变的是AI基础设施的生产力,未必减少流入其中的资金总量。这意味着供需缺口短期内看不到自动收敛的机制。
三、HBM改写分工:占封装90%硅片后,存储不再是配件
本届Hot Chips大会,三星、美光、SK海力士与英伟达密集披露路线图,议题高度收敛于三点:HBM正从标准化商品走向定制化平台;三维垂直堆叠成为下一代架构的共同方向;散热与功耗约束已成扩展的首要瓶颈。
数据先摆出来。美光HBM设计架构师Ragu从物理层面量化了代价:典型封装里放4个12层HBM堆栈,内存硅片总量约为GPU硅片的8倍——系统级封装中约90%的硅片与内存相关。而一个DRAM裸片失效,就可能拖垮整个封装。他引用META公布的Llama 3研究数据:约17%的非预期训练中断归因于HBM。这不是纸面风险,是烧着数亿美金电费的训练集群每天在付的学费。
| 维度 | HBM | 标准DDR |
|---|---|---|
| 每片晶圆产出GB数 | 约为DDR的1/3 | 基准水平 |
| 需求来源 | AI加速器、网络组件 | 传统服务器、PC |
| 现货价格变化 | 上涨约7倍 | 相对温和 |
| 新增产能周期 | 约2年起步 | 同样受限 |
三星的答案最激进:将HBM基础底片从通信层演进为定制化AI平台,并披露ZHBM概念——把HBM直接垂直堆叠在XPU之上,目标是总DRAM功耗较HBM5降低约70%,绝对功耗降幅超过100W,带宽提升2.3倍以上。用工程黑话讲,这是把内存从楼下的仓库搬到算力的楼上。另一边,英伟达实验室已拥有至少三款RVA23处理器,并完成CUDA在RISC-V硬件上的首次公开演示——第三方定制CPU接入NVLink Fusion生态有了落地路径,英伟达在向定制芯片阵营递出橄榄枝。
产业逻辑一句话:当HBM占掉封装90%的硅片面积,它就不再是GPU的配件,而是系统本体。配件可以标准化,本体必须定制。存储厂商从卖标准品转向卖定制平台,既是议价能力的跃升,也是把客户更深锁进自己生态的手段。
四、产业链深度拆解:上游卡脖子、中游印钞、下游排队
把整条链摊开看,这轮存储行情的利润分布极不均匀。
上游(原材料/核心部件):硅片、光刻胶、沉积刻蚀检测设备是存储IDM的生命线,也是出口管制的主要着力点。参考事实很硬:沪硅产业300mm硅片销量增超九成、收入增36%,亏损却扩大到9.65亿元——量在涨、价与成本仍倒挂,国产硅片仍在爬坡深水区。设备环节,招股书与产业信息均指向「设备、材料、EDA等环节的外部限制」使产能爬坡和良率提升比预期艰难,长江存储二期虽已满产,但部分关键设备与工艺仍在优化。这一环节是全链最明确的卡脖子点,国产化进度最慢、确定性最差。
中游(制造/集成):存储IDM是本轮周期最大的受益者。三星以28%收入份额居首,SK海力士、美光分列二三,长江存储已跻身全球NAND第三(出货+金额)。看长存控股的收入结构:2026年一季度主营业务收入470.42亿元,其中NAND Flash收入452.38亿元,占比约96%——存储产品几乎就是IDM收入的全部。单季归母净利333.79亿元、净利率约71%,已暂时超越三星电子存储业务周期顶部通常40%上下的营业利润率。
下游(应用/渠道):主控与模组环节的代表是群联——其CEO的「半年翻倍」警告本身说明模组厂对上游价格波的敏感度;应用侧分化剧烈:企业级SSD/eSSD供不应求、先款后货,消费级SSD和手机嵌入式存储被挤到队尾承压;META等超大规模客户的QLC测试还在制造新的层级需求。
| 环节 | 代表公司 | 价值量/地位 | 卡脖子环节 | 国产化进度 |
|---|---|---|---|---|
| 上游·硅片 | 沪硅产业 | 收入增36%仍亏9.65亿 | 大尺寸硅片品质与成本 | 销量增超九成,盈利未解 |
| 上游·设备材料 | 海外设备体系主导 | 产能爬坡的先决条件 | 出口管制下先进设备获取受限 | 关键设备与工艺仍在优化 |
| 中游·NAND制造 | 三星、SK海力士、美光、长江存储 | 三星份额28%,长存全球第三 | 先进制程与产能弹性 | Xtacking路线已实现技术逆袭 |
| 中游·DRAM制造 | 三星、SK海力士、美光、长鑫科技 | 长鑫为DRAM全球第四 | HBM等高端品类 | 主力产品仍在追赶 |
| 下游·模组主控 | 群联 | 价格弹性最大环节 | 上游颗粒供给分配 | 依托国产颗粒拓展空间 |
| 下游·应用 | 英伟达、META等 | AI服务器订单优先级最高 | 无 | 企业级先款后货 |
判断:这条链上,利润在中游IDM高度集中,风险在上游设备材料高度集中。330亿募资能补中游的产能课,补不了上游的技术课——长存控股真正的大考不在招股书里,在设备材料国产化进度里。
五、资本与地缘重排:330亿IPO、韩国资金抢跑与赴日建厂
三则消息几乎同时砸下,拼出一幅全球存储资本再配置的地图。
第一则:8月21日,长存控股科创板IPO获受理,拟募资330亿元,由中信证券与中信建投联席保荐,一举超过长鑫科技的295亿元和中芯国际的200亿元,刷新科创板纪录。募资结构是懂行的:208亿元投向量产线技术升级,122亿元投向研发——不是买地建厂,而是解决从一到十的良率、层数、I/O速度和产能弹性。更罕见的是节奏:8月19日辅导验收,两天后即受理,部分外资机构甚至在受理前就询问战配额度。按发行估值约3300亿元计算,对应2026年一季度年化净利的市盈率仅约2.5倍——但这个数字建立在周期顶点。
第二则:一只尚未获得ISIN编码的科创板新股——长鑫科技(688825),被韩国投资者一个月净买入4532万美元,登顶其A股净买入榜首。因为没有ISIN码,韩国券商作为QFI交易时只能用临时虚拟代码向KSD提交结算指令。7月28日——上市第二天——韩国投资者就开始动手,买入力度甚至超过同期韩资净买入中际旭创港股的4427万美元。编码是行政流程,判断是市场本能:外资对A股存储资产的兴趣是抢跑式的。
第三则:据韩国《韩民族日报》报道,SK海力士正推进在宫城县建设内存晶圆厂,投资规模达数十万亿韩元,SK集团会长崔泰源已亲赴考察。若落地,它将成为继美光科技、台积电之后第三家在日本设厂的外国存储/半导体企业。关键在于:这不是替代龙仁、湖南集群,而是额外增设的海外产能——HBM订单排得太满,产能压力让人没得选。代价是地缘复杂度急剧上升:美国已就本土内存晶圆厂投资持续向韩国施压,赴日建厂可能激化美方不满。
| 公司 | 拟募资/投资(亿元级) | 动作 | 信号 |
|---|---|---|---|
| 长存控股 | 330亿募资 | 科创板IPO获受理 | 周期高点资本补血 |
| 长鑫科技 | 295亿(前纪录) | 上市+韩资抢买 | 外资抢跑A股存储 |
| SK海力士 | 数十万亿韩元 | 赴日建内存厂 | 产能分散+贴近日本设备链 |
| 美光科技 | 需求超供给约50% | 扩产+涨价预警 | AI需求结构性外溢 |
判断:存储正在从「扩产—过剩—降价」的旧循环,切换为「AI结构性需求+地缘分散化产能」的新博弈。产能与资本,正在中美日韩四个棋手之间重排座次。
六、站在周期钟摆最高点的冷思考
单季净利333.79亿元、日均赚3.7亿、净利率约71%——这组数字值得多看几眼。对比周期顶部的三星电子存储业务营业利润率通常也不过40%上下,长存控股2026年初的盈利能力已暂时超越行业标杆。但一位长期跟踪存储的分析师的第一反应不是欢呼,而是掏出计算器算净利率——因为这样的盈利水平,在半导体行业通常只出现在涨价周期的顶部。
从利润轨迹看,这是一条标准的存储周期反转曲线:2023年亏损,2024年扭亏净利67.71亿元,2025年扩大至142.11亿元,2026年Q1直接干到333.79亿元,超过前两年总和。截至2026年3月31日,累计亏损仍余约34亿元——三年利润不仅覆盖当年成本,还在快速回补历史亏损。
| 期间 | 主营业务收入(亿元) | NAND Flash收入(亿元) | 归母净利润(亿元) |
|---|---|---|---|
| 2023年 | 187.47 | 141.02 | 亏损 |
| 2024年 | 452.03 | 398.80 | 67.71 |
| 2025年 | 631.85 | 566.60 | 142.11 |
| 2026年Q1 | 470.42 | 452.38 | 333.79 |
风险清单有三条。第一,周期顶部风险:长存在用「好年景」补「历史欠账」,若行业转入下行,估值和后续融资都会承压——存储周期从不手软。第二,供应链风险:330亿募资无法单靠国内资本市场支撑与三巨头的全面军备竞赛,设备、材料、EDA的外部限制仍是悬顶之剑。第三,需求侧的「效率悖论」:算法效率提升短期救不了供需,只会喂大云厂商的胃口,这既是涨价的支撑,也意味着下一轮供给释放时的过剩会同样猛烈。
但也要看到硬币的另一面:存储是逆周期投资游戏,在行业暴利时储备现金、在亏损时扩产,恰恰是正确姿势。长江存储三期正在推进,长鑫科技已获全球最灵敏的韩国资金真金白银投票,科创板为存储IDM打开了长期融资通道。
判断:这轮行情的底部支撑是AI的结构性需求,但顶部形态是价格贡献了几乎全部增长。对投资者,2.5倍的年化市盈率是周期幻觉;对产业,330亿是真金白银的弹药。把两者分开,是看懂这场存储大变局的基本功。
结语
回到开头那个数字:单季55%。它 marking 的不是一轮普通涨价,而是一场权力结构的变化——AI把存储从周期品变成了战略基础设施,HBM占掉封装90%硅片后改写了「存储是配件」的旧分工,中国则借着周期高点用330亿IPO和韩国资金的抢跑完成资本补血与产能卡位。往前看,胜负手不在价格表上:长存控股的三期爬坡、上游设备材料的国产化进度、SK海力士赴日产能落地、以及AI需求能否穿越下一轮供给释放,才是决定座次的变量。周期给利润,技术给地位,地缘给格局——三者共振处,才是下一轮存储霸主的诞生地。保持冷静,保持跟踪。
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