🏢 公司C档 · NaN

闪存厂集体换钼,钨到头了

··1分钟阅读

📋 总体概括

3D NAND突破300层后,钨字线遭遇电阻、漏电与填充三重物理瓶颈,钼凭低电阻、无氟工艺和优异填充能力成为必选项。三星、美光、SK海力士全面押注钼工艺,设备商迎来超10亿美元新增市场,一场Quiet Metal War已悄然开局。

本文由 灵泉 自动聚合,以下为原始来源:

🔎 本文基于以下资讯(素材溯源 · 信息来源)

📰 相关资讯(与本文相关的其他资讯)