良率25%，长鑫HBM3卡在哪？

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韩媒嘲讽长鑫HBM3良率仅25%，但G4 DRAM本身并无大碍，真正卡点在TSV硅通孔工艺。本文拆解HBM堆叠的工程门槛，结合华为韬定律三次更新与3D集成趋势，以及闪迪对NAND供给长期偏弱的判断，研判存储行业从制程竞争转向立体集成与后道环节的价值重构。