🏢 公司C档 · NaN分
闪存厂集体换钼,钨到头了
📋 总体概括
3D NAND突破300层后,钨字线遭遇电阻、漏电与填充三重物理瓶颈,钼凭低电阻、无氟工艺和优异填充能力成为必选项。三星、美光、SK海力士全面押注钼工艺,设备商迎来超10亿美元新增市场,一场Quiet Metal War已悄然开局。
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3D NAND突破300层后,钨字线遭遇电阻、漏电与填充三重物理瓶颈,钼凭低电阻、无氟工艺和优异填充能力成为必选项。三星、美光、SK海力士全面押注钼工艺,设备商迎来超10亿美元新增市场,一场Quiet Metal War已悄然开局。
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