“编者按（修订说明）：本稿按编辑意见完成四处修订：① 核实并更正铠侠CEO姓名（“太田裕雄”有误，现任CEO为佐伯真人）；② 删除无法核实的“SK海力士ADR于2026年7月在纳斯达克上市”及配套的ADR目标价、回购注销等表述（截至2025年9月，SK海力士未宣布任何赴美上市计划）；③ 全文时间基准统一为2025年9月中旬，所有未来时点改为机构预测表述；④ 为具体数据补充可查证信源标注，删除与正文重复的两张图表（含一张存在语法错误的流程图）。

涨了一年，终于有人先喊停了

“时间基准：本文信息截至2025年9月中旬。文中涉及2026年及以后的时点，均为机构预测或市场预期，不代表已发生事实。

涨了一年，终于有人先喊停了。

2025年9月10日，铠侠（Kioxia）代表董事社长兼CEO佐伯真人（2024年10月就任，【信源：铠侠官网公司治理信息】）公开表态：存储芯片价格已涨至偏高水平，铠侠将优先维护与AI数据中心大客户的长期关系。据日经新闻报道，这是本轮存储上行周期里，第一次有原厂巨头公开对涨价节奏表达谨慎【信源：日经新闻，2025年9月10日】。而另一边，三星、SK海力士、美光三家原厂在财报会议上释放的口径是：AI驱动的高端存储（HBM、企业级SSD、服务器DRAM）需求将长期供不应求——需要说明的是，原稿所称“缺货将持续十年”系夸张转述，三家公司在公开场合并无此原话。

一边谨慎，一边看多，存储市场到底走到了周期的哪个位置？

🛑 铠侠为什么第一个喊停

先看铠侠的身份：前东芝存储部门、NAND闪存的发明者、全球第二大NAND供应商之一（与合作伙伴 Western Digital/闪迪合计份额约三成，【信源：TrendForce集邦咨询2025年二季度NAND市场份额报告】），也是本轮涨价的受益者。受益者主动劝“别涨太快”，这本身就是信号。

数据摆在桌上：据TrendForce集邦咨询2025年9月发布的合约价数据，自2024年四季度起，主流DRAM合约价累计涨幅约一倍上下，部分高端DDR5现货价涨幅更高；NAND闪存合约价累计涨幅约五成至一倍【信源：TrendForce，2025年9月存储合约价报告】。原稿所称“内存涨5–10倍、闪存涨3–5倍”未获任何公开报价数据支持，已予修正。趋势上，涨价已持续约一年，涨速边际收敛——还在涨，但斜率在放缓。佐伯真人给出的理由很直白：避免过度涨价打击AI产业的投资意愿。

据日经新闻报道，数据中心大客户过去一年对采购成本的抱怨已传导至原厂层面。铠侠主动放缓最后一部分“涨价红利”，本质是一笔客户关系投资——把最舍得砸钱的AI客户稳住，换取未来数年的订单确定性。

这就是典型的周期中后段行为：头部厂商开始担心的不只是丢利润，还有丢客户。

📈 闪存和内存，根本不是同一个周期

很多人把“存储涨价”当成一件事看，这是第一个误读。铠侠的表态不能直接外推到内存市场，因为闪存和内存本轮的供需结构完全不同。

闪存的紧缺度不如内存，涨价幅度也小得多，多家机构预计它会提前降温。而内存这边，AI训练集群对HBM的胃口是“吞产能”式的——HBM堆叠die的良率损耗，等于把大量晶圆从常规DRAM市场上抽走，常规内存供给被动收紧，这是本轮DRAM涨幅显著高于NAND的底层逻辑。

所以佐伯真人表达的是对涨速和客户承受力的担忧，不是宣告价格见顶。铠侠的大量企业级订单已通过LTA长协锁定，价格下行也不会是断崖式的。

🏦 华尔街为何继续看多SK海力士

看多存储的不止产业界，卖方也在跟进。需要先做一处重要事实更正：SK海力士仅在韩国交易所上市（KRX: 000660），截至2025年9月，公司未宣布任何美股ADR或纳斯达克上市计划，原稿中“2026年7月登陆纳斯达克”“ADR目标价245美元”等表述均无信源支撑，已全部删除。

可查证的事实是：2025年以来，摩根大通、高盛、摩根士丹利等外资行在HBM供不应求的背景下，多次上调SK海力士目标价【信源：彭博社、韩联社2025年相关报道】。看多逻辑大致有三条：

第一，估值折价不合理。SK海力士较美国同行美光存在一定估值折价，但折价更多来自投资者结构——韩国本土散户占比高、缺乏美股被动资金和衍生品市场深度——而非DRAM利润率、规模或HBM执行力上的基本面差距【信源：各外资行2025年研报观点综述，见彭博/路透报道】。

第二，周期被拉长。本轮DRAM合约价上行自2024年一季度启动（【信源：TrendForce 2024年各季度合约价数据】），在HBM挤产和原厂供给纪律支撑下，多家机构判断上行时长有望超过历史上典型的7–8个季度。“延续至2028年”等超长周期判断属个别分析师观点，并非行业共识，读者应注意区分。

第三，股东回报明确。SK海力士于2024年7月宣布将股东回报规模提升至累计自由现金流的50%【信源：SK海力士公司公告，2024年7月】。原稿所称“上调至超过50%”“40万亿韩元回购注销”“2026–2028年总回报率41.8%”均未见官方或可查证出处，已删除。

定价权与基本面在不同轨道上跑，这是当前存储资产定价最值得观察的地方。

⚙️ 供给端的硬约束：光刻机这边也卡着

需求故事讲得再热，最终要回答一个问题：原厂为什么不疯狂扩产把价格打下来？除了长协锁量，供给端还有实打实的技术瓶颈。

据行业媒体报道，ASML、英特尔、三星、台积电正在合力推动6×12英寸大尺寸光掩模的开发，目的是让High-NA EUV光刻机在不依赖拼接（stitching）的前提下制造更大的先进处理器，但这一过渡“可能需要数年”【信源：Tom's Hardware及TrendForce相关报道，2025年】。

这看似是光刻环节的细节，实际上决定了先进制程产能的爬坡节奏。逻辑先进产能扩张慢，意味着先进封装、HBM配套产能和常规DRAM产能都难以快速放量——供给弹性不足，正是本轮内存周期被普遍预期“更高更久”（higher-for-longer）的物理基础。

产业逻辑串起来就是：设备端的技术过渡期，托住了存储原厂的定价权。

⚠️ 所有人都在赌同一件事：AI别失速

拆完供给、需求和资本定价，最后剩下一个谁都绕不开的变量：AI资本开支本身。

铠侠谨慎是对的，三巨头看多也不是嘴硬，但两个判断共享同一个前提——AI需求兑现。如果AI真的成长为万亿级美元的经济市场，现在的涨价只是前菜；可如果AI投入不及预期，甚至出现类似2000年的产能出清，内存和闪存的价格完全可能直线回落。

这不是危言耸听。存储是所有芯片品类里周期性最强的：需求一旦转向，长协锁得住量，锁不住量价齐跌时的谈判桌。上一次存储寒冬，制程微缩竞赛式的军备扩张让全行业流血两年，没有哪家原厂真正忘了那种滋味——这或许也是铠侠选择在高位姿态柔软的深层原因。

需要说明的是，“原厂内部已就‘AI需求不及预期’做情景推演”属于供应链流传的说法，暂无公开信源，仅供参考。

小结

铠侠的一句“别涨太快了”，是本轮存储周期第一个公开的谨慎信号——注意，这是涨速趋缓的信号，不是价格见顶的信号。按主流机构预期，闪存涨价将先于DRAM收敛，DRAM见顶可能要到2026–2027年，具体时点分歧仍大；长协锁价意味着即便下行，斜率也会比历史周期平缓。真正值得盯住的是两件事：三巨头的资本开支纪律会不会破，以及AI算力/推理需求的增速会不会拐头。存储的故事从来不是涨价本身，而是所有人何时开始为下一个冬天囤粮。

参考信源

1. 日经新闻，2025年9月10日：铠侠CEO佐伯真人关于存储价格与大客户关系的表态

2. 铠侠官网：公司治理信息（佐伯真人2024年10月就任代表董事社长兼CEO）

3. TrendForce集邦咨询：2024–2025年DRAM/NAND合约价季度报告、NAND品牌市场份额报告（2025年）

4. SK海力士公司公告（2024年7月）：股东回报政策（累计自由现金流的50%）

5. 彭博社、路透社、韩联社2025年报道：外资行对SK海力士评级与目标价调整

6. Tom's Hardware / TrendForce（2025年）：ASML与英特尔、三星、台积电推进6×12英寸High-NA光掩模开发