DRAM杀疯了，钱都流向了哪？

一个季度，全球DRAM干出1547.3亿美元（约合人民币1.04万亿元）营收，环比暴涨59.5%。三星电子、SK海力士、美光三巨头赚得盆满钵满并不稀奇，稀奇的是长鑫存储环比暴增99.3%，一举跃居全球第四。与此同时，中国"十五五"规划砸下3.8万亿押注算力基建，英特尔和阿斯麦在高NA EUV上已处理超100万片晶圆。

三条线索拼在一起，指向同一个判断：AI不再是PPT上的叙事，而是正在用真金白银重排整条半导体产业链的座次。

📈 三巨头分蛋糕，节奏大不一样

同一轮超级周期，三家的赚钱姿势完全不同。

TrendForce集邦咨询9月8日发布的报告显示，2026年第二季度，三星电子以609.8亿美元（约合人民币4104亿元）营收、39.4%市占率稳居第一。关键在于，三星率先导入HBM4量产并实现出货，bit出货量增幅位列三大原厂之首——量价齐升，吃到了最肥的一段。

SK海力士营收385.9亿美元（约合人民币2597亿元），环比增长37.9%，市占率24.9%。数字不差，但有个细节耐人寻味：由于海力士的HBM多采用长期合约模式，平均售价涨幅反而有限。锁长约保证了稳定性，却也放弃了这轮现货暴涨的弹性。

美光则打出了环比增长65.5%的增速，营收360亿美元（约合人民币2423亿元），市占率升至23.3%，是三者中环比弹性最大的。

产业逻辑其实很清楚：定价模式决定弹性。长约锁价的公司平滑了周期，现货敞口大的公司则在这轮合约价大涨中赚得更多。三星靠HBM4抢跑拿到了量价双击，这是一次产品代际卡位的胜利，而不只是周期红利。

🔥 第四名暴增99%，钱从哪来

这轮周期里最戏剧性的故事，不在前三名，而在第四名。

长鑫存储二季度营收146.24亿美元（约合人民币984亿元），环比暴增99.3%，市占率从7.6%提升至9.5%，跃居全球第四。一家追赶者，在巨头的主场里接近翻倍增长，这在存储业历史上并不多见。

窗口是怎么打开的？TrendForce点破了关键：三大原厂2026至2027年主要加速向先进制程转型，成熟制程市场出现供给缺口。巨头们把产能让出来的那一刻，溢出订单像水一样流向了专注成熟制程的厂商。

承接者不止长鑫。中国台湾厂商营收全面爆发：南亚科的DDR4、DDR3合约价显著上涨，第二季营收26.12亿美元（约合人民币176亿元），环比增长68.3%；华邦电营收9.98亿美元（约合人民币67.2亿元），环比增长75.8%。

这里的产业判断要分两层看。第一层，DDR4、DDR3这类"老制程"因为原厂退出而供给收缩，价格自然飙升——这是典型的结构性转移红利。第二层更重要：对于长鑫而言，这波成熟制程订单带来的现金流和稼动率爬坡，本质上是给更先进节点的追赶提供了弹药。

窗口期不会永远开着。但当巨头们全部扑向HBM和先进节点时，中低端市场的真空期，就是追赶者最宝贵的换挡期。

⚠️ 涨价还能持续多久

所有人都在问同一个问题：这轮景气到顶了吗？

TrendForce给出的答案是：还在涨，但在换挡。第三季度传统DRAM合约价涨幅预计放缓至13%至18%，其中消费级DRAM因供应商大幅削减供给，价格涨幅预计最为强劲。

几个关键事实摆在这里：

• 供应商库存仍处历史低位，渠道里几乎没有缓冲垫；
• 新增产能主要分配给服务器，消费级供给被主动压缩；
• 供给扩张的速度，仍不及需求成长的速度。

业界私下流传的一句话很形象：现在客户下单一会儿都不问价格了，只问有没有货。

TrendForce的结论是，AI服务器需求爆发叠加传统DRAM合约价大幅上涨，构成这轮增长的双引擎，DRAM产业高景气度短期难以逆转。

需要冷静看待的是：涨幅从二季度的暴烈收敛到13%至18%，说明价格曲线正在从垂直拉升转为陡峭爬坡。真正的拐点信号不在价格端，而在供给端——哪天三大原厂财报里资本开支指引集体跳升、且新增产能开始排队释放，才是周期下半场该警惕的时刻。目前，这个信号还没有出现。

🚀 3.8万亿，十万卡的时代

把镜头从DRAM价格曲线拉开，看下游——需求的源头到底有多猛？

9月7日，中国工业和信息化部发布《信息通信行业发展"十五五"规划》，提出"十五五"时期信息基础设施累计投资达到3.8万亿元人民币，推动智能算力规模从2025年的1590 EFLOPS提升至2030年的9800 EFLOPS——六年六倍多的量级。

规划列出13个主要指标和26项重点任务，把"适度超前建设信息基础设施"置于首位，明确要有序部署万卡、十万卡及以上规模的智能算力集群，按应用场景需求建设推理算力设施，并加大国产算力晶片适配力度。

标志性事件已经落地：8月9日，央视新闻报道，中国首个全国产10万卡AI超集群在国家超算互联网郑州核心节点投入运行，主打科学计算与智能计算的融合算力，标志着算力网建设进入10万卡级部署时代。

时间线上的节奏也很清晰：

• 2025年 ： 智能算力规模1590 EFLOPS
• 2026年8月9日 ： 全国产十万卡集群在郑州投运
• 2026年9月7日 ： 十五五规划发布，累计投资3.8万亿
• 2030年 ： 智能算力目标9800 EFLOPS

工信部信息通信经济专家委员会委员盘和林在接受采访时指出，中国算力供给仍面临瓶颈，国产算力服务器与全球领先企业的产品尚有性能差距，"十五五"时期国内算力服务器可能供不应求，算力晶片领域应优先实现技术自主。他同时提醒，"适度超前"的关键在把握分寸：分层推进、以实际需求为导向、避免重复投资和资源闲置。

这跟存储有什么关系？逻辑链条很直白：十万卡级集群对内存带宽和容量的需求是指数级的，规划明确要求加大国产晶片适配力度——这意味着国产算力与国产存储之间，第一次有了政策层面的协同通道。对长鑫们来说，这不只是出海赚溢出订单，还有家门口的确定性需求。

💡 一百万片晶圆背后的暗线

最后看一条容易被忽略、却决定整个上游天花板的暗线：光刻。

英特尔晶圆代工（Intel Foundry）与阿斯麦（ASML）宣布，双方正持续推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻技术的量产应用。截至目前，英特尔已通过早期设备认证、研发及部分量产环节处理超过100万片晶圆，高NA EUV已用于英特尔酷睿Ultra 3系列处理器"Panther Lake"部分层的量产。

技术上有个关键结论：采用高NA EUV的英特尔18A制程产品，性能达到或超过使用传统0.33数值孔径EUV光刻平台的同类层。双方还将继续推动光罩从目前的6英寸向6×12英寸大尺寸光罩过渡，同时通过光罩拼接技术，让客户在现有6英寸光罩条件下先获得高NA EUV的部分优势。

为什么这条新闻要放进存储超级周期的语境里读？因为在场所有人的路都指向同一个方向：三大原厂要冲刺先进制程做HBM，中国要建十万卡集群需要最尖端的AI芯片，而这一切先进产能的天花板，最终都卡在光刻环节。

100万片晶圆不是一个炫技数字——它意味着高NA EUV从实验室走向了产线验证的深水区。谁先把新一代光刻平台跑通量产，谁就握住了下一轮供给扩张的话语权。设备端每一次代际切换，都会重新定义未来五年的产能格局。

🔭 写在最后

回看这三条线：DRAM单季1.04万亿元、中国3.8万亿算力投资、100万片高NA EUV晶圆——数字大小不同，指向却一致：AI需求已经从叙事变成了贯穿设计、制造、设备、材料全链条的现金洪流。

短期看，库存低位、供给不及需求，存储高景气难以逆转；中期看，供给端的资本开支和设备交付将成为决定周期长度的胜负手。而国产阵营能否借成熟制程窗口期完成向上换挡，是这轮周期里最值得盯的中国故事。

潮水来的时候，先数清楚谁站在甲板上。