EUV进不来，刻蚀先上桌了

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北方华创在IEEE发文，宣布3D DRAM两步循环刻蚀突破：500:1选择比、95%均匀度，为长鑫存储提供绕开EUV的工艺路径。同期SEMI数据显示全球设备市场连续两季破纪录、全年上看1.12万亿元，而稀土管制让材料筹码持续收紧。设备、存储、材料三条线，正在重画产业博弈的棋盘。