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台积电联合阳明交大突破0.42nm二维材料界面层
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台积电联合阳明交大突破0.42nm二维材料界面层
台积电与阳明交大合作研发出0.42纳米二维材料界面层,突破硅基制程物理极限,为后硅基芯片技术卡位奠定基础。该成果若实现产业化,将影响先进制程竞争格局,并推动AI算力瓶颈下新材料路线的加速落地。
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