三星押注zHBM，长存募资330亿：存储双雄的两种活法

导语

同一个8月，存储行业交出了两份截然不同的答卷：[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上披露了三阶段HBM路线图，终点是一种取消2.5D中介层、把DRAM直接垂直堆在GPU之上的[[zHBM]]；而[[长存控股]]的科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板纪录。

一个在改写先进封装的天花板，一个在兑现量产与盈利。本文拆解这两条路线背后的技术逻辑与产业格局。

三星的野心：让内存“长”在GPU头上

先讲场景。现在的AI加速器，无论是[[英伟达]]的GPU还是各类TPU，内存都摆在一旁——HBM堆叠体通过2.5D中介层（interposer）与计算芯片“并肩而坐”。[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]在Hot Chips上抛出的方案更激进：干脆把DRAM直接垂直堆叠在计算芯片之上，中介层彻底取消。

这套架构被命名为[[zHBM]]。据[[wccftech]] 8月23日报道，三星给出的数据相当大胆：相较标准[[HBM4E]]，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

这组数字要拆开看。AI芯片的痛点早已不是算力本身，而是“内存墙”——数据搬运的功耗和延迟。把内存从“旁边”搬到“头顶”，缩短的是物理距离，省下的是每一次数据搬运的能耗。对功耗预算被HBM吃掉大半的AI加速器来说，8.3%的额外功率空间意味着可以再堆更多计算核心。

产业逻辑很清晰：当制程微缩的红利递减，架构创新成为新的竞争主场。三星想用zHBM在HBM话语权上扳回一局——毕竟在HBM4的供应商名单里，它不再是唯一选项。

HBM的天花板：TSV和PHY的双重夹击

要理解zHBM为什么出现，得先看HBM的结构和它的物理极限。

一颗HBM由两类芯片构成：C-die（核心芯片），包含DRAM存储单元，最多可垂直堆叠16层；B-die（基础芯片），位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU等计算芯片通信。两层之间靠TSV（硅通孔）连接——穿透芯片的垂直导电通道。

当前的带宽演进速度并不慢：[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，[[HBM4E]]推进至4TB/s区间，[[HBM5]]则在HBM4基础上翻倍、容量超过60GB。

但带宽越往上走，约束越硬：TSV数量与间距的物理极限，以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。换句话说，光靠“堆更多层、跑更快接口”，这条路正在变窄。

三星的切入口在于一个微妙趋势：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。当DRAM基础芯片也开始用先进逻辑工艺制造，“内存”与“逻辑”的工艺鸿沟不再是不可逾越的护城河——这正是垂直堆叠的前提。

第一阶段：先从xPU手里“抢地盘”

三星路线图的第一阶段，核心目标只有一个：从xPU那里“抢回”硅面积。

具体动作是，三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die。用先进逻辑工艺做DRAM的基础芯片，主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——此前B-die多采用相对成熟的工艺，与xPU之间存在明显代差。

这一步的价值需要放到AI芯片的封装版图里看。当前主流方案下，中介层上每一平方毫米都极其昂贵，HBM堆叠体占据的面积直接挤压了计算核心的空间。B-die做得越小，中介层上就能塞下更多东西。

素材显示，三星的三阶段路线以zHBM为终点。据多位接近产业链的人士私下评价，这种“内存上楼”的思路一旦走通，2.5D中介层的角色将被重新定义，先进封装的供应链也可能随之洗牌——不过从路线图到量产，中间隔着良率、散热与测试的无数坑，这是所有stacking方案共同的宿命。

另一条战线：长存控股的330亿与盈利兑现

把视线从先进封装拉回量产制造。8月21日，[[长江存储控股股份有限公司]]（长存控股）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟募资330亿元——超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，为科创板史上拟募资金额最高的项目。

募投结构也很明确：208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。

财务数据是这单IPO最硬的部分：

一个季度333.79亿元的归母净利润，叠加截至2026年3月末累计亏损大幅收窄至约34亿元——这意味着长存控股距离填平历史亏损仅一步之遥。

市场地位上，据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月长存控股在全球NAND Flash厂商按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期生产线满产，正在推进三期产能建设。

产业逻辑：NAND是典型的大规模制造+强周期生意，盈利兑现靠的是技术代际追赶叠加需求景气的共振。长存控股正在两者兼备的窗口期冲击资本市场。

技术底气：Xtacking的两次“领跑”与专利破局

长存控股的技术叙事同样值得细看。

2022年，公司推出[[Xtacking®3.0]]技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代至[[Xtacking®4.0]]，获得FMS权威奖项，招股书称其“重塑全球3D NAND技术发展路线”；2025年，长存控股成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

专利交叉授权这一条的分量常被低估。存储器是专利密集型行业，国际头部厂商之间的交叉授权是常态，而中国大陆企业长期处于“被授权”甚至“绕开授权”的位置。能够与国际头部厂商坐到同一张桌子上互相授权，意味着技术上的对等筹码已经形成。

Xtacking架构本身的思路与三星的zHBM有暗合之处：都是把外围电路与存储阵列分开制造再键合，用架构创新而非单纯堆层数来突破。当两家公司在“垂直集成”这个方向上殊途同归，存储器的竞争正在从“谁的层数多”转向“谁的架构更聪明”。

两条路线，一个判断

把两条新闻放在一起看，格局反而更清楚。

三星的zHBM解决的是DRAM侧的架构前沿问题——如何绕过TSV与PHY的物理极限，把内存与计算的距离压到最短。它的直接受益者是AI加速器，直接承压者是现有的2.5D中介层生态。而HBM竞争的另一面，是[[SK海力士]]与三星在HBM4之后的代际卡位，谁先定义下一代的形态，谁就握有议价权。

长存控股的IPO解决的是NAND侧的规模与资本问题——用330亿元募资推进量产线技术升级与三期产能，把技术领先转化为持续的产能与成本优势。在地缘格局持续收紧的背景下，一家盈利能力已兑现、专利地位已确认的存储IDM登陆科创板，本身就是产业政策与资本市场协同的信号。

两者的共性在于：存储行业的竞争维度正在拓宽。过去比的是制程节点和层数，现在比的是架构创新、封装集成、资本效率与专利地位的组合拳。

小结

三星用zHBM描绘DRAM与计算融合的终局，长存控股用330亿元募资夯实NAND的量产底盘。一个在封装维度做减法——取消中介层；一个在制造维度做加法——扩建产线。方向相反，逻辑同源：存储的下一轮竞争，拼的是架构、产能与资本的三重奏。值得跟踪的是，zHBM路线能否说服GPU大厂跟进，以及长存三期产能投放时点是否撞上下一个存储周期。

参考来源： Hot Chips大会三星演讲（Sangwook Han）；wccftech 8月23日报道；《科创板日报》8月21日（记者郭辉）；财联社8月21日报道；长存控股招股说明书；TrendForce数据。