六百二十步,走到DRAM牌桌上?
韩国法庭文件曝光'合肥计划'与620步工艺配方,长鑫的崛起路径引发争议;同期内存涨速从翻倍滑向个位数,美光HBM4产能年底翻倍。存储行业的价格狂欢正在退潮,份额与技术的暗战才刚刚开场,2027年是分水岭。
存储行业最近很热闹:一边是价格涨速'崩盘',一边是产能军备赛升级,中间还夹着一份韩国法庭文件。三件事叠在一起,其实是同一个信号——暴涨时代结束了,份额战争开始了。
核心判断一句话:2026年下半年的存储业,比的不是谁涨价快,而是谁的配方硬、谁的产能狠。
🚨 一份路线图,六百二十步
存储行业没有秘密,只有尚未被复制的配方。
最近韩国法院文件里出现了一个代号——'Project Hefei'(合肥计划)。据韩媒报道,这份材料指控长鑫存储(CXMT)的崛起背后存在一条成体系的路线图,甚至包括从三星电子获取的多达620个步骤的DRAM工艺配方。韩国法庭文件据此认定,正是这个'合肥计划'支撑了长鑫目前在全球DRAM市场拿下约10%份额的地位。
先说清楚:这些是法庭文件中的指控,是'据称',长鑫方面是否回应、回应什么,尚待观察。但这份文件本身值得玩味——它第一次把'追赶者如何追上'这件事,写成了一份可被质证的清单。
为什么是620步?懂行的人都知道,DRAM不是一台设备就能点亮的生意。从光刻、刻蚀、沉积到清洗,一条先进DRAM产线动辄上千道工序,每一道工序的参数组合,就是三星、SK海力士用二十年烧钱烧出来的护城河。据多位接近设备圈的人士私下说,'配方'在存储圈里是比图纸更敏感的东西——图纸看一眼就懂,配方差0.5个百分比点的温度曲线,良率就是天壤之别。
产业逻辑也很直白:如果指控属实,这解释了长鑫为什么能以远短于行业规律的时间爬上10%份额;如果指控不实,那长鑫走出了一条更罕见的学习曲线。无论哪一种,'10%的全球DRAM份额'这个数字本身,已经改变了存储行业的牌局结构。三强变四强的时代,门被推开了。
📉 涨速崩了,价格没崩
大家等的'崩盘'来了——只不过是二阶导的崩盘。
过去一年内存、闪存的行情,用触目惊心形容不算夸张:内存价格普遍涨了5-10倍,闪存至少3-5倍。今年Q1更是疯狂,据Trendforce与摩根士丹利的数据,内存及闪存环比涨幅几乎翻倍,甚至超过110%;Q2也有50-60%。
但下半年,曲线肉眼可见地钝化了。最新预测显示:
| 季度 | 内存环比涨幅 | 闪存环比涨幅 |
|---|---|---|
| 2026 Q1 | 超110% | 超110% |
| 2026 Q2 | 50-60% | 50-60% |
| 2026 Q3 | 10-20% | 10-20% |
| 2026 Q4 | 3-8% | 大部分持平 |
注意一个关键区别:涨速崩了,绝对价格没有崩。环比涨幅叠加上一整年的基数,现在的内存、闪存价位依然高高在上,而且这个高位会持续很久——此前的'2027年上半年价格达峰'判断依然可信。
为什么不跌?答案写在合同里。据业内消息,三星电子、SK海力士和美光都已把大量订单转向LTA长期协议,价格早已锁死。厂商不慌,渠道不砸,价格就不可能快速崩盘——这种情况至少持续到2028年。
真正能砸出价格坑的只有两个条件:AI需求是不是真的崩了,产能是不是真的过剩了。两个都兑现,才会复制当年矿卡市场的剧本。在那之前,'下半年不涨了'和'下半年暴跌',是两件完全不同的事。
🔋 美光翻倍,追的是两年后的牌
三巨头里最焦虑的那个,先动手了。
美光正计划年底前进行大规模设备投资,全力扩产最新一代HBM4 12层产品:年底前新增最多6万片/月的HBM晶圆产能。要知道,去年美光HBM月产量才4-5万片,顺利的话年底冲到10万片——产能翻了一倍还多。
为什么敢这么冲?美光CEO梅赫罗特拉在6月财报会上给过答案:12层HBM4的量产爬坡速度约为12层HBM3E的两倍,且HBM4累计出货营收已超10亿美元。HBM4 12层自今年Q2起已量产,目标客户直指英伟达最新的AI加速器Vera Rubin。
但差距依然刺眼。业界估算,三星与SK海力士的HBM月产能各约15-20万片,是美光当前水准的3-4倍。
Counterpoint Research的数据更扎心:Q2季度SK海力士以50%份额稳坐HBM第一,三星32%,美光只有18%。
美光的算盘不止于追赶,还在下注下一代:HBM4E预计2027年放量,首批样品采用首次导入EUV的1γ(1γ)DRAM制程,基底芯片干脆转交台积电代工。据接近供应链的人士透露,这个'DRAM核心自己干、基底外包台积电'的组合拳,是美光在资源有限条件下打差异化最现实的选择。
产业逻辑一句话:HBM这场军备赛,比的不是现在谁产能大,而是2027年谁的制程节点更先进。美光赌的是1γ加台积电,能把自己的18%变成一个更有分量的数字。
⚠️ 第四极来了,牌桌却在换
最残酷的不是追赶,而是你追上了牌桌,牌桌却换了玩法。
把三条线索拼起来看,格局就很清楚了:
- 份额维度:长鑫携约10%的全球DRAM份额坐上第四把椅子(无论其路径争议如何,事实已经发生);
- 价格维度:传统DRAM与NAND的涨价周期进入尾声,靠周期红利躺赚的窗口在关闭;
- 技术维度:增量价值全面向HBM集中,而HBM战场上目前活跃的仍是三星、海力士、美光三张老面孔。
换句话说,'合肥计划'争议的核心,是传统DRAM标准品上份额的再分配;而英伟达Vera Rubin们的核心,是HBM4、HBM4E这些堆叠技术上的军备竞赛。前者决定你能不能上桌,后者决定桌上还剩多少筹码。
冷静看地缘,这场戏的每一方都有软肋:三巨头绑死了LTA长协,2028年前旱涝保收,但也意味着对AI需求反转缺乏弹性;长鑫拥有规模,但先进工艺的合规与自主问题会长期伴随;美光产能翻倍激进,但1γ和台积电基底这条路要等到2027年才能验证。
至于消费者最关心的'什么时候能便宜'——素材里的答案已经很诚实:高位会持续到2027年,长协锁价延续到2028年,真正的下跌需要AI需求逆转加产能过剩双重条件。现在庆祝,为时尚早。
小结
620步配方、涨速崩盘、美光翻倍扩产——三件事指向同一个2027:那是此前预判的价格达峰之年,是HBM4E的放量之年,也是'合肥计划'叙事接受检验之年。存储行业正在从'涨价锦标赛'切换到'份额淘汰赛',第四极已经上桌,但牌桌的赌注换成了HBM与EUV。下一张牌翻开之前,谁都不敢说稳赢。