一块小衬底，卡住了AI的喉咙

机房里插满光模块的AI集群，卡脖子的是一片直径只有两英寸、四英寸的小晶片。

导语：当所有人的目光都盯着GPU和HBM时，真正制约AI算力放大的瓶颈之一正悄悄从存储芯片转移到光互连材料——磷化铟衬底。据多方机构预测，2026年全球磷化铟供需缺口可能超过70%，而国内所有厂商出货量加起来只占全球供应量约一成。这一轮，稀缺的不是矿，而是制造能力。

📈 AI算力，把一种冷门材料推上了牌桌

光模块的用量，正在随GPU集群规模非线性增长。

巴黎欧洲AI峰会上，美国光芯片领军企业Lumentum首席执行官迈克尔•赫尔斯顿公开表示，当前磷化铟衬底的供需缺口已显著超越DRAM与NAND闪存等主流存储器件。这话从一个存储行业外的人口中说出来，分量不轻。

为什么是磷化铟？AI数据中心要解决的核心问题是把GPU整体效率充分释放出来，而数据快速传输的瓶颈在电互连。行业主流解法是用光信号替代传统电信号，激光器和探测器这类核心光芯片，必须使用磷化铟衬底。

据国内一位磷化铟衬底企业高管透露，分水岭是从2025年下半年起，磷化铟衬底材料的整体市场需求看涨。过去这条材料线是小众赛道，如今被AI算力建设直接推向了前台。

数据层面同样印证这一判断：中国银河证券研报显示，2025年全球磷化铟器件需求约200万片/年，而实际产能仅约60万片/年。第三方咨询机构Yole也预测2026年全球供需缺口将超过70%。需求是产能的三倍多，这不是普通的紧平衡，是硬缺口。

据多位接近产业的人士表示，磷化铟衬底已经从按需采购变成了按关系采购，光芯片厂商与衬底厂绑定加深，先锁产能再谈价格已成行业潜规则。

⚠️ 三家外资，握着全球九成筹码

缺口摆在桌面上，但能接住这个需求的玩家极少。

在全球磷化铟衬底成品市场上，日本住友电工、日本JX金属、美国AXT三家国外企业合计占据九成以上份额。这不是竞争格局，这是寡头垄断。国内所有厂商出货量加在一起，只占全球供应量约一成。

其中一家外资巨头的产能，甚至就设在中国境内。北京通美是美国AXT的全资子公司，产能规模也比较大，因未上市，具体产能数据未公开。其产品主要供货给母公司AXT，并对外出口。

这个结构的另一个含义是：地缘博弈的敏感度被抬高了。当一种材料90%以上产能掌握在三家外资手里，且其中一家为美国企业，任何贸易摩擦、出口管制、价格策略调整，都可能瞬间演变成整个光通信产业的供给危机。

有业内人士私下坦言：现在的格局，相当于把整条AI光互连的命脉，放在了别人家的仓库里。

🔬 资源强、制造弱，是它的真相

中国不是没有铟。

从资源端看，国内精铟供应充足。锡业股份、云南锗业等企业在上游金属资源端都有布局，精铟并不构成瓶颈。

真正的卡点在中间。国内磷化铟产业链呈典型的资源强、制造弱格局：上游精铟充足，但高纯铟产能不足；中游衬底、外延片仍在扩产爬坡，高速光芯片厂商普遍依赖进口衬底。

这是个典型的三层漏斗结构——粗铟很多，高纯铟很少，能做出高良率衬底的更少。

本土规模最大的企业之一是云南锗业旗下的鑫耀半导体，目前年产能大概15万片/年。听起来不少，但对照200万片/年的全球需求，这个数字杯水车薪。整条产业链产能规模相较于全球需求仍然有限，供给端的建设需要时间。

高纯铟提纯难在哪？多一个杂质原子，就可能让激光器的寿命和稳定性打折扣。良率与认证环节仍待突破，这不是砸钱就能立刻解决的问题，需要工艺know-how的长期积累和下游客户的反复验证。

有设备厂商人士透露，部分国内衬底厂在长晶环节的成品率与海外头部仍有差距，但追赶速度比想象中快。

🚀 本土替代，正在从讲故事走向真扩产

转机来自需求侧的倒逼。

2025年下半年以来，AI算力爆发驱动上中下游环节协同发力，本土化替代正在加速。源杰科技、仕佳光子、长光华芯等高速光芯片企业，正在主动扶持本土衬底供应链；兴福电子等材料企业也在配套环节卡位。

这不是情怀驱动，而是订单驱动。当进口衬底交期拉长、价格上浮，光芯片厂商自然会把部分份额让渡给本土供应商——前提是品质过关。

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title 国内磷化铟产业链示意

A["上游精铟"] : 60

B["高纯铟提纯"] : 20

C["衬底制备"] : 15

D["外延与光芯片"] : 5

一个值得注意的细节：AXT通过北京通美把产能设在中国，本身就说明中国在高纯度化合物半导体的制造配套上并不缺能力，缺的是从0到1的产业导入和客户认证的时间。一旦认证周期被跨越，扩产速度可以很快。

🧠 存储大佬们，其实都看见了同一个信号

有意思的是，存储行业巨头们的动作，反过来印证了磷化铟这类新材料赛道的战略价值。

中国NAND龙头长江存储YMTC正在推进IPO，必须募集资本去探索AI驱动的存储需求，同时平衡国内与海外市场。

另一边，美光Micron宣布投入100亿美元建设美国本土的Research Labs，以博伊西为中心，目标是后DRAM与NAND时代的存储技术及封装，聚拢客户、合作伙伴、大学、初创公司及政府组织的力量，共同开发下一代存储技术的预竞争IP。

这些动作背后的共同逻辑是：当传统赛道（DRAM、NAND、硅基逻辑）竞争白热化，AI带来的新型互连与存储需求，正在催生一批新的材料与技术制高点。磷化铟是其中最紧迫的一个。

🔧 结语：小材料，大变量

磷化铟不是一种新材料，它是被AI重新定价的旧材料。

回到开头的判断：这一轮紧缺，本质上不是资源危机，是制造能力与需求爆发的错配。国内资源端有底子，制造端有空间，需求端有订单——三个条件第一次同时成立。

接下来的关键变量有三个：高纯铟提纯能否规模化、衬底良率与认证周期能否压缩、扩产节奏能否跟上2026年的缺口窗口。谁能在这三点上先跑通，谁就能在AI光互连的产业链里，切下属于自己的那一块蛋糕。

材料是制造业的根。根扎稳了，枝叶自然会长出来。