存储的两场豪赌：三星上堆，长存上量

8月最后一周，存储行业几乎同时投下两颗深水炸弹：[[三星]]在Hot Chips公布[[zHBM]]，要把DRAM直接垂直堆叠到GPU上；[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募330亿元，刷新科创板纪录。一边是封装架构的颠覆，一边是资本市场的重注。核心判断很直白：AI已把存储从便宜配套件推成战略筹码，3D堆叠与资本开支成为新一轮淘汰赛的准入门票。

三星zHBM：把DRAM“种”上计算芯片

在Hot Chips技术大会上，三星DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]没有用夸张形容词，却给出了一个足够激进的终点：zHBM。这种架构不是HBM+中介层+GPU的2.5D组合，而是把DRAM直接垂直堆叠在[[GPU]]、[[TPU]]等计算芯片上方，彻底取消2.5D中介层。

数据会说话。三星称，对比标准[[HBM4E]]，zHBM可实现功耗降低70%、DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。熟悉AI加速卡的人都懂，100W和8.3%功率空间意味着什么：在功耗墙限制下，多出的功率可以转成算力，或减少降频。据Wccftech报道，当前HBM4每堆叠带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。

技术背景上，HBM由C-die和B-die构成。C-die包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；B-die位于底部，负责DRAM控制并通过PHY与GPU通信，两者通过TSV连接。三星第一阶段不是一步到位做zHBM，而是先对Base Die下手：已把D1c与4nm逻辑工艺用于[[HBM4]]的Base Die，目标是降低功耗、缩减面积。

产业逻辑上，HBM的瓶颈不在DRAM堆叠层数，而在TSV数量间距以及Base Die PHY的I/O上限。取消中介层，本质是把互连距离从毫米级压到微米级，从2.5D走向真3D。这会对混合键合、TSV刻蚀、热管理材料提出更高要求，也让存储厂与逻辑代工、先进封装厂的边界进一步模糊。三星用第一阶段为计算芯片“腾地方”，深层逻辑是存储厂想从被动配套转向主动定义互连架构。

长存IPO：330亿不只为扩产

8月21日，科创板审核系统显示，[[长存控股]]IPO状态变为“已受理”，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。拟募资330亿元，其中208亿元用于长江存储量产线技术升级，122亿元用于研发。这个数字超过[[长鑫科技]]的295亿元和[[中芯国际]]的200亿元，成为科创板史上最大拟募资项目。

招股书披露，2023年至2026年一季度，主营收入分别为187.47亿、452.03亿、631.85亿和470.42亿元；NAND Flash收入分别为141.02亿、398.80亿、566.60亿和452.38亿元。2024年扭亏，净利67.71亿元；2025年142.11亿元；2026年Q1归母净利333.79亿元。

单季净利333.79亿元、营收470.42亿元，净利率超过70%。这个数字足以让半导体分析师眉头一紧：NAND价格周期、非经常性损益或特定会计处理都可能放大利润，招股书层面需要更多细节支撑，投资者不宜简单线性外推。

但把利润数字放一边，募资投向更值得琢磨。[[TrendForce]]数据显示，2026年1-3月长存全球NAND销售金额和出货量均列第三、中国第一。二期产线满产，三期产能建设推进中。据多位接近长存供应链的人士，此次技术升级更偏重既有产线向更高层数、更高良率的爬坡，而非单纯堆产能。也就是说，长存是在用资本市场为层数竞赛和国产设备验证买时间。技术底牌同样不弱：2022年[[Xtacking]]3.0、2024年Xtacking4.0、2025年与国际头部厂商专利交叉授权，都说明这是一场研发与资本的双线战。

两条堆叠路线，同一场3D战争

把三星zHBM和长存NAND放在一起看，会看到一个事实：两家公司都在“堆”，只是方向不同。HBM是横向集成——把DRAM堆到逻辑/计算芯片旁边或上面；NAND是纵向堆叠——在单位面积里堆更多存储层。两者的共同语言是TSV、混合键合与垂直互连。

长存的技术迭代同样靠“堆”。2022年，[[Xtacking]]3.0让长存成为全球首批推出200层以上3D NAND的厂商；2024年迭代Xtacking4.0，获FMS权威奖项；2025年，长存成为“中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业”。截至2026年3月末，其中国大陆最大3D NAND晶圆基地已经形成。

三星的zHBM则是在HBM路线上再进一步：HBM4每堆叠带宽超3TB/s，HBM4E约4TB/s，HBM5带宽翻倍、容量超60GB，zHBM则要取消interposer，宣称功耗降70%、带宽升230%。

• 2022年：长存推出[[Xtacking]]3.0，全球首批200层以上3D NAND
• 2024年：迭代[[Xtacking]]4.0，获FMS奖；同年扭亏
• 2025年：归母净利142.11亿元；与国际头部厂商达成专利交叉授权
• 2026年3月末：建成中国大陆最大3D NAND晶圆基地
• 2026年8月：科创板IPO获受理，拟募330亿元

产业逻辑很清晰：HBM追求带宽密度和功耗密度，NAND追求单位面积bit数，看似不同，却同时抽干先进封装、高深宽比刻蚀、薄膜沉积等设备和材料产能。从设备角度看，HBM需要的晶圆级混合键合设备与NAND的晶圆键合有一定技术重叠；长存208亿技术升级与三星zHBM的潜在混合键合需求，可能在同一批设备厂商的订单簿里相遇。对中国存储来说，NAND层数已追到第一梯队，但HBM与先进DRAM工艺仍有现实代差；三星则相反，DRAM/HBM底子厚，却需要用zHBM抢回技术叙事，避免在AI存储主战场被边缘化。

地缘资本：存储从商业变成战略

长存IPO获受理的时间点，本身就充满地缘信号；三星的路线图发布则像是一家公司在用技术发布会回应产业格局变化。330亿元募资、科创板开闸，不只是企业融资，更像产业政策表态：NAND Flash作为数据中心、服务器、消费电子的通用存储，其产能和IP自主性已从财务问题升格为供应链安全问题。

长存招股书特别提到，2025年成为“中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业”。在出口管制背景下，交叉授权意味着法律层面的自主空间，也意味着后续技术迭代不必完全绕开专利墙。

三星zHBM同样有地缘含义：在AI芯片功率与互连密度竞赛中，谁能定义下一代HBM架构，谁就能影响从晶圆制造到先进封装的全球设备材料流向。但资本开闸不意味风险清零。长存单季净利率超70%需要拆解；NAND价格若进入下行周期，重资产亏损会迅速反噬。三星zHBM从路线图到量产仍有距离，取消中介层后的热管理、翘曲、测试良率都是工程硬骨头。

对产业观察者来说，最该盯的不是PPT数字，而是两个指标：长存三期产能爬坡中的设备国产化率，以及三星zHBM是否给出明确量产节点。

设备材料的隐形赢家

如果把两份公告叠加，设备材料供应商可能是真正“卖铲子”的人。长存330亿中208亿指向量产线技术升级，200层以上NAND意味着更高深宽比刻蚀、更复杂的薄膜沉积和应力控制；三星zHBM取消2.5D中介层，意味着晶圆级混合键合、TSV刻蚀、临时键合/解键合以及新型热界面材料需求提前释放。HBM Base Die导入4nm逻辑，还会把先进制程设备需求从逻辑代工厂外溢到存储厂。

不过产业逻辑一贯冷静：半导体设备材料从来不是“谁开路线图谁受益”，而是“谁真正扩产谁受益”。长存的208亿是真实需求，但其中多少流向国产设备仍有验证周期；三星zHBM的混合键合设备需求，也要等工程验证跑通才会转化为订单。据多位接近设备厂商的人士，存储客户的技术评审正在加速，但“加速评审”和“批量下单”之间往往还隔着18—24个月。存储工艺升级主线的长期逻辑成立，但二级市场容易高估概念热度、低估工程爬坡的耐心。真正要跟踪的是设备验证进展、材料导入批次和产线稼动率，而不是某次技术大会上的宣传数字。

小结

存储行业正被AI拖入一场双重竞赛：向上堆HBM，向下堆NAND，背后是3D互连工艺与资本耐力的比拼。三星的zHBM画出一条去中介层的激进路线，长存用330亿IPO把NAND层数竞赛绑上资本市场。两条线短期不会直接交火，但都在改写全球存储版图。前瞻点很明确：zHBM的量产节奏，以及长存三期产能爬坡、设备国产化率的真实进展——这比任何PPT数字都更能说明谁在裸泳。