三星押注zHBM，长存豪募330亿：存储翻身仗

导语： 最近存储圈的两条新闻，拼起来看颇有意味。一边是[[三星]]在Hot Chips大会上由DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]正式抛出HBM三阶段路线图，终点是把DRAM直接垂直堆到GPU头顶上的[[zHBM]]；另一边是[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板历史纪录。一个在改写HBM的架构定义权，一个在用NAND证明盈利能力——表面上是两条互不相干的新闻线，底层却指向同一个事实：存储正在从AI算力的配角，走向牌桌中心。而这两件事之间，可能比看上去更接近“同一件事的两面”。

一、Hot Chips上的“野心宣言”：zHBM到底想解决什么问题

在今年的Hot Chips技术大会上，大多数听众原本以为[[三星]]会例行公事地更新一下HBM4的进度表。结果DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]上台，直接把话讲到了路线图的终点——一种叫zHBM的全新架构：把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。

这在工程上是个激进的主张。要知道，今天所有AI加速器与HBM之间的“桥”，都架在中介层上——这块昂贵的硅片本身就是功耗、成本和信号完整性的三重负担。

三星给出的数字相当激进：相较标准[[HBM4E]]，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。对一颗被TDP卡到喘不过气的AI芯片来说，8.3%的功率余量，可能就是一档频率、百分之几的吞吐量。

先补一下背景。HBM，即高带宽内存，是AI训练和推理系统中最关键的存储组件之一，它由两类芯片构成：

• C-die（核心芯片）：包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；
• B-die（基础芯片/Base Die）：位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU等计算芯片通信。

两者之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。

带宽这条路走到今天，物理墙已经肉眼可见。据wccftech报道，当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，[[HBM5]]则在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。

两大硬约束摆在那里：TSV数量与间距的物理极限，以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。换句话说，靠“在平面方向继续堆引脚”的老路，快走到头了。三星把zHBM画在路线图终点，本质上是一次换赛道的宣言。

值得注意的是，取消中介层后，“DRAM贴着逻辑芯片放”需要一种关键的底层技术——先进键合（Hybrid Bonding，混合键合）：把两片晶圆在键合面上直接以铜-铜连接堆在一起，替代微凸点和中介层。这项技术并不是纸上谈兵，在另一个存储品类里，它已经被大规模量产验证过了。这正是本文想做的那个“拼图”——后文会回到这一点。

二、第一阶段：从GPU嘴里“抢回”硅面积

路线图的第一阶段，目标听起来甚至有点“火药味”——从xPU（计算芯片）那里抢回硅面积。

这背后的产业逻辑值得展开。HBM的总封装面积里，B-die是不产存储位的“服务性面积”，它越薄，同样封装尺寸下能塞进去的有效DRAM层就越多；它功耗越低，留给GPU的功率预算就越宽松。

三星的做法是动真格的：已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die，主要目的就是降功耗、缩面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——要知道，过去Base Die用的往往是相对落后的工艺，内存厂和逻辑厂在制程上泾渭分明。

值得注意的是素材里那句关键的铺垫：B-die与计算芯片之间的制程代差正在逐代收窄，这既是挑战，也为三星的路线图提供了切入口。

翻译成人话：当B-die用上接近GPU的制程，它就不再是一个被动配合的“底座”，而可以承担更多逻辑功能，甚至重新定义与xPU的接口方式。代差收窄到某一天，“DRAM贴着逻辑芯片放”就自然升级为“DRAM叠在逻辑芯片上”——zHBM不是凭空冒出来的，是第一阶段一步步铺出来的。

业内私下流传的一种说法是：HBM4之后，Base Die的归属和技术路线将直接决定谁拿到下一代AI大单。谁掌握B-die的工艺定义权，谁就在AI存储供应链里占据话语权上游。三星把第一阶段做成“融合B-die”，瞄准的正是这个位置。

三、长存控股IPO：330亿刷新科创板纪录的底气从哪来

把视线从HBM挪到NAND。8月21日，[[长江存储控股股份有限公司]]（长存控股）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟融资330亿元。

这个数字意味着什么？长存控股招股书显示，330亿元中208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。而330亿的拟募资额，超过了[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，为科创板史上拟募资金额最高的项目。

敢要这个价，账面上是有支撑的。上市报告期内，长存控股主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元（2023年至2026年一季度各期），其中NAND Flash产品销售收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元，是增长的主要来源。

333.79亿这个数字，需要多看一眼

看清楚这条利润曲线：2024年扭亏实现盈利67.71亿元，2025年归母净利润超142.11亿元，2026年一季度单季达到333.79亿元——单季利润是2025年全年的两倍以上，截至2026年3月31日，公司累计亏损大幅收窄至约34亿元，一个单季度的利润几乎填平了历史包袱。这种陡峭程度，在半导体公司里极其罕见，值得拆开来看它由什么构成，而不是只当一句宣传语引用。

综合招股书披露、[[TrendForce]]市场数据及[[财联社]]、[[爱集微]]等财经媒体的报道，这个单季利润的跃升大致可以归因到三重因素叠加：

• 一是行业价格周期处于陡峭上行段。 据TrendForce等第三方机构数据，2025年下半年起，受AI服务器对企业级SSD需求爆发、原厂此前持续减产限供的双重影响，NAND Flash合约价连续多季大幅上涨，长存控股2026年一季度NAND销售收入452.38亿元，已接近2025年全年NAND收入的八成——量价齐升是利润跳增的第一层来源。
• 二是产品结构向企业级高附加值品类切换。 招股书披露，随着技术演进，企业级与数据中心场景已成为增长抓手，企业级SSD的单比特售价与毛利水平显著高于消费类产品，收入结构改善放大了涨价周期的利润弹性。
• 三是可能包含非经常性损益等一次性因素。 有接近公司的人士和部分媒体分析指出，报告期末的存货在涨价周期中的价值重估、以及潜在的金融资产公允价值变动等，均可能对单季利润表构成放大效应；招股书中非经常性损益的具体拆分，需以上会稿及问询回复为准。

换句话说，333.79亿是“周期红利+结构升级+可能的报表因素”共同作用的结果，不宜直接年化外推。但即便剔除周期与一次性因素的噪音，长存控股过去三年从亏损到持续盈利、累计亏损收窄至约34亿元的基本面反转，已经有多个独立信源交叉印证。正因如此，这个数字的可持续性，反而成了本次IPO监管问询和市场定价的核心争议点——这本身也说明它已进入“成熟公司”的审视框架。

市场份额同样硬气。根据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月长存控股在全球NAND Flash厂商中，按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期生产线满产，过去两年产销量持续提升，目前正推进长存三期产能建设。

多位接近半导体一级市场的人士私下评价：这是国内存储资产第一次以“全球头部、稳定盈利”的姿态登陆资本市场，定价逻辑和过去“亏损换产能”的故事完全不同——它更像一家成熟IDM的估值命题。当然，也有二级市场分析师提醒，IPO定价窗口恰逢NAND价格周期高点，330亿的募资规模实际隐含了对周期持续性的乐观假设，这一层风险投资者需要自己掂量。

四、两条新闻，一张拼图：Xtacking才是隐藏的那根线

把三星的zHBM和长存的IPO放在同一张桌子上看，会发现它们指向同一个判断：存储不再是算力的附属品，而是AI产业的核心资产。 但如果只停在“存储价值重估”这个层面，两条新闻线仍然是平行的。真正把它们焊在一起的技术线索，是前文埋下的那个词——混合键合。

这里需要回头补一段长存的技术履历。长存控股于2022年推出Xtacking®3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking®4.0技术，获得FMS权威奖项，重塑全球3D NAND技术发展路线；2025年，公司成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

关键在于Xtacking的架构本质：它把NAND的逻辑外设电路（CMOS periphery）与存储阵列分开制造，再用键合工艺把两片晶圆直接连成一体——绕开了传统3D NAND“外设电路和阵列挤在同一片晶圆上”的面积与工艺矛盾。这意味着，长存是全球最早把晶圆级混合键合跑通大规模量产的厂商之一，Xtacking®4.0更将键合的互联密度推到了新的量级。

现在把两条线接上：三星zHBM要做的“DRAM直接垂直堆叠在逻辑芯片上、取消中介层”，在工艺原理上正是同一类晶圆级混合键合，只不过把键合对象从“NAND阵列+CMOS外设”换成了“DRAM+GPU”。 换句话说：

• 长存用Xtacking证明了混合键合可以量产、可以便宜、可以良率稳定——这是zHBM终局方案绕不开的工艺前置条件；
• 三星把混合键合从NAND内部推向DRAM-逻辑异构集成，则意味着这项技术正从“存储内部架构”升级为“算存一体架构”——今天用来省掉NAND的外设面积，明天用来省掉GPU的中介层面积。

两条线在同一个技术节点上交汇。这也让长存的专利交叉授权多了一层意味：在先进键合相关的工艺与结构专利上，国际头部厂商愿意坐到谈判桌前，某种程度上承认了这条路线的产业权重——“专利交叉授权”这六个字，产业圈都懂分量。存储器行业过去三十年，中国玩家是交学费的一方；当交叉授权协议摆上桌面，意味着你在某些技术节点上，手握对方也需要的东西了。

顺着这根线，两条赛道的打法差异也看得更清楚。HBM是“架构定义权”之争——三星通过zHBM试图把HBM的演进节奏从JEDEC协商桌拉回自己的实验室，而架构定义权的底层筹码是先进键合工艺；NAND是“份额与盈利”之争——长存用Xtacking的技术领先换全球第三的位置，再用资本市场的钱换三期产能，把领先固化成规模。一方在用技术定义明天的接口，一方在用今天的技术领先兑现现金流再投入产能——而它们下注的，是同一项底层工艺的两个方向。 这才是“存储翻身仗”的完整拼图：谁先把混合键合做到更高密度、更低成本，谁就同时握住了HBM演进和3D NAND迭代的咽喉。

冷峻地说，两条赛道都有风险。zHBM宣称的70%功耗降低、230%带宽提升，目前仍是路线图上的承诺，从路线图到量产，中间隔着良率、散热、测试三场硬仗，且混合键合在DRAM-逻辑异构场景下的坏点处理与修复方案，业界尚无先例可循；而NAND是出了名的周期性行业，长存控股2026年一季度333.79亿元的净利润，叠加上一轮存储涨价周期和可能的一次性报表因素，其可持续性终将由下一个下行周期检验。招股书自己也提到，随着NAND Flash技术演进，企业级与数据中心场景是增长抓手——企业级订单的稳定性，将决定这份利润表的成色。另外别忘了，在HBM的混合键合竞赛里，[[SK海力士]]的先进MR-MUF工艺与台积电的SoIC键合平台同样在快速迭代，三星与长存各自的技术卡位，都不是没有对手的独角戏。

结语：翻身仗的下半场

一周之内，三星把HBM的终点画在了“取消中介层”的zHBM上，长存控股则带着全球第三的NAND份额和单季333.79亿元的净利润敲开了科创板的大门。前者抢的是AI时代存储架构的定义权，后者争的是存储价值重估后的资本定价权。

但真正值得记住的，是这两条新闻线在深处的那次交汇：长存用Xtacking把晶圆级混合键合从实验室推向了大规模量产，三星则要沿着同一条工艺路径，把存储从“贴着算力放”推到“长在算力上”。存储产业的竞争逻辑正在改写——过去比的是谁把单元做得更小、层数堆得更高；接下来比的是谁能在物理极限与周期波动之间，把技术领先兑换成产业链上的不可替代性，并用一个下行周期证明利润表不是行情的馈赠，而是能力的定价。

330亿募来的产能，会不会在周期下行时变成包袱？zHBM的路线图，会不会卡死在键合良率上？这些问题都要等几年后才有答案。但方向已经清楚：存储翻身仗的下半场，打的不再是层数和带宽的军备竞赛，而是架构定义权、工艺制高点与资本耐心的三线作战。这一仗，才刚刚开场。