存储变局双响：zHBM与330亿IPO

导语

同一个八月，存储产业扔出了两颗深水炸弹：一颗在Hot Chips大会上，[[三星]]公布HBM三阶段演进路线图，终点是把DRAM直接垂直堆叠在GPU之上，代号[[zHBM]]；另一颗在科创板，[[长存控股]]IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板历史纪录。

一个是技术路线的重新发明，一个是资本与产能的正面冲锋。AI算力吃内存吃到“带宽荒”，而中国存储厂第一次以全球第三的姿态走到聚光灯下。这两件事看似无关，实则共同指向同一个判断：存储不再是配角，它正在成为下一轮算力竞赛的主战场。

一、Hot Chips上的宣言：三星要把内存“焊”在GPU脸上

故事的现场在Hot Chips。[[三星]]DRAM设计团队的Sangwook Han站上讲台，正式披露了三星HBM演进的三阶段路线图。据[[wccftech]] 8月23日报道，路线图的终点是一种名为zHBM的全新架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。

要理解这件事的分量，得先看懂HBM的结构。HBM由两类芯片构成：C-die（核心芯片）包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；B-die（基础芯片/Base Die）位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY物理接口层与GPU通信。两者之间靠TSV（硅通孔）这种穿透芯片的垂直导电通道连接。

带宽的账很好算：当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，[[HBM4E]]推进至4TB/s区间，[[HBM5]]（注：尚处于JEDEC标准化与厂商规划阶段，以下为三星路线图宣称口径，非量产实测数据）则在HBM4基础上将带宽翻倍、容量超过60GB。

但曲线不可能无限陡峭。三星自己点出了两大硬约束：TSV数量与间距的物理极限，以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。换句话说，靠中介层“摆在一起”的路线，正在撞墙。

与此同时，一个微妙的变化正在发生：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。这既是挑战，也是三星路线图的切入口。

据[[TrendForce]]集邦咨询2025年8月发布的HBM供需分析，HBM环节的封装产能与良率已成为各大GPU平台的头号瓶颈；[[摩根士丹利]]同期研报亦将HBM封装良率列为AI算力供应链的核心风险变量。谁先动了中介层这块“地基”，谁就可能重写下一代AI服务器的机柜定义。

二、zHBM的三笔账：功耗、带宽与那8.3%

先看三星给zHBM开出的成绩单（注：以下为三星在Hot Chips 2025现场公布的宣称数据，属前瞻性技术指标，尚未经第三方实测验证，最终量产表现可能存在差异），相较标准HBM4E：

这四组数字背后是三笔账。

第一笔是功耗账。AI服务器里，数据在GPU与HBM之间来回搬运的能耗，早就超过了计算本身。取消中介层、把DRAM直接堆上去，物理距离缩短，功耗自然大幅下降——单模组省下的100W，乘以一台服务器里的几十颗HBM，就是一台空调的功率预算。（注：此处“一台空调的功率预算”为作者基于宣称数据的推算示意，非三星官方口径。）

第二笔是带宽账。230%的带宽提升不是线性改良，而是把“内存挂在旁边”改成“内存长在身上”之后的架构级跃迁。

第三笔最容易被忽视，也最关键：8.3%的额外功率空间。AI芯片的功耗墙已经焊死在千瓦级，GPU厂商省下的每一瓦都能变成算力。zHBM本质上是把存储的省电，转化为计算的火力——这笔账是算给英伟达、博通这类客户看的。

产业逻辑很清楚：当2D/2.5D的带宽扩展撞墙，三维化是唯一出路。而三维化要求DRAM厂商具备逻辑先进制程能力，这恰恰是三星作为全栈IDM的独特筹码。

三、长存控股IPO：330亿刷新科创板纪录

镜头切回国内。8月21日，《科创板日报》讯，[[长江存储控股股份有限公司]]（下称“长存控股”）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟募资330亿元。

这个数字有多重？招股书显示，其中208亿元将用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。330亿元的拟募资额，超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，是科创板史上拟募资金额最高的项目。

再看钱的去向和业绩，这份招股书的信息量不小：

“\ 口径说明：该季度归母净利润333.79亿元为招股书申报稿披露数字，其中包含大额非经常性损益（资产处置收益及公允价值变动等一次性项目），对应净利率约71%，显著高于存储行业常态水平（同业龙头单季净利率一般在10%—40%区间）。该数据尚待上交所问询及审计确认，本文按申报稿原文引用，读者不宜将其直接外推为可持续盈利能力。与之对应，截至2026年3月31日的“累计未弥补亏损约34亿元”为合并报表累计口径，两者分属不同统计维度。

三个细节值得咀嚼。

其一，扭亏速度罕见。2024年扭亏即盈利67.71亿元，2025年翻倍至142.11亿元；截至2026年3月31日，累计未弥补亏损已大幅收窄至约34亿元——一家曾经历长周期亏损的存储IDM，正在用涨价周期快速回血。

其二，2026年一季度单季营收470.42亿元，已达到2025年全年营收（631.85亿元）的约74%。即使剔除一次性损益、只看经营面，这样的单季收入规模也侧面印证了当前NAND市场的景气烈度。（注：申报稿披露的333.79亿元归母净利润含非经常性损益，经调整后的可比净利率预计将明显低于表观值，此为作者推演判断，最终以问询回复为准。）

其三，根据[[TrendForce]]数据计算（口径：招股书援引TrendForce 2026年第一季度全球NAND Flash厂商销售额及出货量统计），长存控股在全球NAND Flash厂商中，按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。

据《科创板日报》及[[DigiTimes]]此前多篇报道，长存二期生产线已处于满产状态，过去两年产销量持续提升，三期产能建设正在推进——330亿募资，本质上是给这场追赶战补充弹药。

四、技术底气：从200层到交叉授权，Xtacking的两级跳

长存能走到全球第三，技术底牌是Xtacking。这条技术演进的时间线（来源：长存控股招股书申报稿披露信息），本身就是一部中国大陆存储的追赶史：

• 2022年：推出[[Xtacking®3.0]]，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；
• 2024年：迭代[[Xtacking®4.0]]，获得FMS（Future Memory Storage）权威奖项，重塑全球3D NAND技术发展路线；
• 2025年：成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业；
• 截至2026年3月末：已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地。

这里有一条容易被忽略的暗线：专利交叉授权。存储是一个被诉讼和禁令反复洗牌的行业，能与国际头部厂商互授专利，意味着长存的核心技术栈获得了法律意义上的“通行证”——这比单纯的技术领先更具战略价值。

把三星和长存放在一起看，会发现存储产业的两大分支正在走两条不同的三维化道路：

DRAM拼的是与逻辑芯片的融合速度，NAND拼的是层数与密度。方向不同，但都指向同一个结论：存储的技术含金量，已经不能再用“周期品”三个字概括。

五、冷静判断：双响炮之后，拼的是制程、产能与生态

两件事叠加，能看到存储产业的地缘格局正在松动。

对三星而言，zHBM是一步险棋。取消中介层意味着深度绑定计算芯片客户的设计流程，DRAM厂与逻辑厂之间的产业边界将被重构。三星敢做，因为它既是DRAM厂又握有先进逻辑工艺（HBM4的Base Die已用上D1c与4nm），这种全栈能力在HBM竞争者中独一份。但路线图终归是路线图，三阶段演进周期以年计，中间的技术细节尚未完整披露，真正的考验在于能否说服GPU大厂改版封装架构。

对长存而言，330亿IPO是追赶战的资本化补剂。从2023年的187亿元收入到2025年的632亿元，从年度亏损到累计未弥补亏损收窄至约34亿元，从200层以上3D NAND首次领先到专利交叉授权，长存用几年时间走完了别人十几年的路。但要清醒的是：全球第三的位置建立在涨价周期的顺风之上，NAND是出了名的强周期行业，募投项目的真实考验在于下行周期到来时，技术升级能否持续拉开成本差距。

（注：本节以下对产业走向的判断，均为作者基于上述公开信息的推演观点，不构成对任何公司业绩或技术路线的预测承诺。）

更深的产业逻辑在于：存储正在从“买容量”变成“买带宽”和“买架构”。AI把内存推到了系统设计的中心位，HBM的每一个百分点功耗节省都直接兑换成算力，NAND的每一层堆叠都决定数据中心的TCO。谁掌握了存储的三维化定义权，谁就在下一代算力供应链里坐上了主桌。

综合来看，这场“双响炮”之后的三条观察线索已经清晰：一看三星zHBM能否在两到三年内拿下头部GPU客户的联合设计定点，验证三维化路线的商业可行性；二看长存三期产能能否在募资到位后顺利爬坡，用成本曲线对冲周期下行；三看HBM与3D NAND这两条三维化路线，是否会因先进封装与逻辑制程资源的争夺而互相抬价。制程、产能、生态——三者缺一，存储的新故事就讲不圆。

小结

三星的zHBM与长存的330亿IPO，是存储产业的同一枚硬币两面：一面是技术架构向三维极限冲锋，一面是中国玩家以全球第三的身份完成资本加持。前者决定AI算力的天花板，后者决定全球存储供给的格局。可以预见，未来两到三年，HBM三阶段路线图将逐一落地验证，长存三期的产能爬坡也将遭遇周期检验——存储的下半场，好戏才刚开场。