三星奔向zHBM，长存狂飙330亿

导语

同一个8月，存储行业出了两件看似不相干的大事：[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上公布三阶段HBM路线图，终点是取消2.5D中介层、把DRAM直接垂直堆在GPU上的[[zHBM]]；[[长江存储]]旗下[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板纪录。

一边是技术分岔，一边是资本分岔。核心判断只有一句：存储正在从“配套配角”走向“系统主角”，其价值重估刚刚开始。

Hot Chips上的宣言：中介层为什么成了“必答题”

[[Hot Chips]]技术大会现场，[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]登台演讲，没有讲新品DDR，而是直接摊出一张HBM演进的“三阶段路线图”。这类大会通常是学术与技术风向标，把长期架构规划放上台面，本身就是一种表态——[[三星]]要在HBM话语权上扳回一城。

先把HBM的结构讲成人话。一块HBM由两类芯片构成：

• C-die（核心芯片）：装着DRAM存储单元，最多可垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片/Base Die）：垫在整个堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）跟GPU等计算芯片对话。

两层之间的垂直通道，靠的是[[TSV]]（硅通孔）——一种穿透芯片的垂直导电结构。

数据层面，带宽竞赛一路狂奔：[[HBM4]]每个堆叠带宽已超过3TB/s，[[HBM4E]]推进至4TB/s区间，[[HBM5]]则在HBM4基础上把带宽翻倍、单颗容量超过60GB。（注：HBM4E与HBM5为三星在本次演讲中公布的路线图指标，属前瞻性技术规划，尚未有量产产品验证，实际规格可能调整。）

但物理规律开始收网。带宽持续扩展面临两大硬约束：TSV数量与间距的物理极限，以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。换句话说，HBM不是“再堆一层”就能继续涨带宽的——垂直方向和水平接口都在逼近极限。

产业逻辑因此清晰：传统架构里，HBM堆叠要靠中介层（interposer）“转接”到GPU旁边，中介层本身就是成本、功耗和信号延迟的三重负担。当TSV和PHY双双见顶，去掉中介层、重新定义HBM与计算芯片的空间关系，就从可选项变成了必答题。这就是[[三星]]路线图的原点。

三阶段路线图拆解：一场关于硅面积的战争

三星路线图的第一阶段，核心目标说得很直白：从xPU（计算芯片）那里“抢回”硅面积。

具体动作是：[[三星]]已将D1c与4nm逻辑工艺应用于[[HBM4]]的Base Die。这一步的意图是降功耗、缩面积——但更深远的意义在于，这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。要知道，DRAM厂和逻辑厂长期是两套工艺体系，把4nm逻辑工艺用进B-die，等于让存储厂第一次真正“会说逻辑厂的话”。

第一阶段之后的中期节点尚未披露细节，但终点已经明确：zHBM——把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。

架构演进的路径可以概括为：传统架构下，C-die堆叠与B-die经由2.5D中介层转接后与xPU相连；第一阶段以D1c加4nm逻辑工艺制作B-die，为xPU腾出硅面积；终点zHBM则是DRAM直接垂直堆叠在xPU之上，彻底取消中介层。

三星给出的zHBM账面收益相当激进，全部对标标准HBM4E：

（注：上表为三星在Hot Chips演讲中给出的宣称值，属于架构目标而非实测数据，落地时间表与最终指标均有待后续披露。）

这组数字背后有一个容易被忽略的关键铺垫：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄——这既是带宽扩展的挑战，也为三星的路线图提供了切入口。当B-die本身就用上4nm逻辑工艺，它与xPU“长在一起”在工艺层面才成为可能。

圈内流传的玩笑是：HBM卷到最后，不是“贴得更近”，而是DRAM厂和逻辑厂“抢地盘”——谁的位置谁的硅，谁的热谁来管。zHBM一旦落地，存储厂与xPU厂的系统级耦合将前所未有地深，散热、良率、责任划分都会重新谈判。这注定是一条长周期路线，但方向已经写在了台面上。

长存控股IPO：330亿刷新纪录，NAND第三极用财报说话

镜头切回国内。8月21日，[[长存控股]]（长江存储控股股份有限公司）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟募资330亿元。

这330亿的用法分两块：208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。放在科创板历史上，这个数字超过了[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，是科创板史上拟募资金额最高的项目。

业绩曲线是这次IPO最大的底气。招股书申报稿披露的主营业务收入与利润轨迹如下：

（注：以上数据均来自长存控股招股书申报稿，尚处于交易所受理、问询阶段，未经监管审核通过，财务数据存在调整可能。）

收入三年多翻了不止两倍，2024年扭亏后利润快速爬坡，截至2026年3月31日累计亏损已大幅收窄至约34亿元——也就是说，这家公司几乎走完了从深亏到盈亏平衡的全周期。

技术节点上，长存的路径是一条清晰的上行线：2022年推出Xtacking 3.0，进入全球首批200层以上3D NAND行列；2024年迭代Xtacking 4.0，获FMS权威奖项；2025年与国际头部厂商达成专利交叉授权；2026年科创板IPO获受理，拟募资330亿元。

两个细节值得划重点：其一，2025年长存成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业——在存储这个专利壁垒极厚的行业，交叉授权意味着“能上牌桌”；其二，截至2026年3月末，长存已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期产线已满产，三期产能建设正在推进。

市场地位用[[TrendForce]]数据说话：2026年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商中，按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。（注：TrendForce排名统计口径为2026年第一季度，为该机构发布的跟踪数据，不同机构的统计口径可能存在差异。）

冷静看数字：两条战线在何处交汇

有必要泼一盆冷水。2026年一季度470.42亿收入对应333.79亿归母净利润，净利率超过70%——对比2025全年约22.5%的净利率，这个跳变幅度非常反常。招股书申报稿尚未公开完整的利润构成明细，其中大概率包含非经常性或非经营性损益成分，也有NAND涨价周期带来的价格弹性放大效应。（注：该季度数据来源于招股书申报稿，单季利润的构成与可持续性有待交易所问询及后续披露验证。）投资者应当追问利润的质量结构，而不是被单季数字冲昏头。这恰恰是330亿融资项目需要回答的问题：募投的208亿技术升级与122亿研发，能否把周期性盈利转化成结构性竞争力。

再往深看一层，三条线索正在共振：技术线上，HBM带宽逼近TSV与PHY极限，zHBM指向去中介层、DRAM上堆，DRAM与逻辑工艺走向融合；资本线上，长存控股330亿刷新纪录，Xtacking技术代际领先，专利交叉授权意味着上了牌桌；周期线上，2024年扭亏后利润快速兑现，企业级与数据中心需求拉动，二期满产、三期在建。

交汇点在哪里？三星的zHBM路线图说明：在AI系统里，存储的位置正在从“旁边”走向“脚下”，存储架构本身就是系统架构。而长存的IPO说明：在资本市场上，存储厂第一次以“核心技术资产”而非“周期性制造资产”的身份定价。一个在改变存储的物理形态，一个在改变存储的估值形态。

地缘视角保持冷静：长存通过专利交叉授权拿到了“合规出海”的门票，三期产能与技术升级项目则指向份额的进一步固化；三星押注zHBM，则是把下一代HBM的定义权提前圈占。两条战线互为映照——技术领先者想锁定架构，追赶者想锁定资本与产能。

小结

[[三星]]的zHBM与[[长存控股]]的330亿IPO，是同一枚硬币的两面：AI把存储推向价值链上游，技术定义权与资本定价权同时开始洗牌。

三星这一侧，三阶段路线图是一个十年尺度的系统工程：第一阶段用D1c与4nm逻辑工艺重塑B-die，中期节点尚待披露，终点的zHBM要改写的不只是封装形态，而是存储与计算在系统里的权力结构。它的约束同样清晰——散热、良率、以及与xPU厂商的责任重新划分，每一条都可能是长期的坎。同时，路线图上的HBM4E、HBM5指标仍属规划性质，最终落地规格存在变数。

长存这一侧，330亿刷新纪录只是起点。招股书申报稿中2026年一季度70%以上的净利率需要拆开看质量，208亿技术升级与122亿研发能否把周期性盈利转化为结构性竞争力，三期产能能否如期兑现，以及在专利交叉授权打开的“合规出海”通道上能走多远，这些才是决定其估值逻辑能否成立的变量。IPO尚在受理阶段，财务与募投细节仍需经过问询与审核的检验。

两个故事共享一个底层判断：当AI系统的主要成本与瓶颈从算力转向数据搬运，存储不再是“旁边”的配套，而是“脚下”的地基。可以确定的是——存储行业的“配角时代”正在结束，下一个十年，谁定义存储的物理形态，谁就定义AI系统的成本曲线。