存储的反击战：三星押注zHBM，长存330亿冲科

同一个八月，存储行业传出两记重音。

一边，[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上由DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]抛出一份三阶段HBM路线图，终点是一个激进名词——[[zHBM]]：把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU之上，彻底干掉2.5D中介层。

另一边，[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板纪录；2026年一季度归母净利润333.79亿元，按[[TrendForce]]口径NAND Flash销售金额与出货量双双位列全球第三。

一个在改写存储与计算的物理关系，一个在改写存储产业的地缘与资本版图。两条线索指向同一个判断：存储正在从AI时代里“被卡脖子的配角”，走向定义系统架构的主角。

zHBM：三星要“拆掉”中介层

先讲清楚HBM是什么。它由两类芯片构成：

• C-die（核心芯片）：真正的DRAM存储单元，最多可垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片/Base Die）：躺在堆叠最底部，负责DRAM控制功能，通过PHY（物理接口层）与GPU等计算芯片对话。

两者之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。而整套HBM与GPU之间，还要隔着一层2.5D中介层（interposer）。

[[zHBM]]的野心，就是把这层“楼板”拆掉：DRAM不再坐在GPU旁边，而是直接摞在GPU头上。

据[[wccftech]] 8月23日报道，三星给出的账面数字相当凶悍：相较标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

一句话概括：省下的电，还给了算力。

带宽的墙，撞在哪里

三星为什么要做这么激进的事？因为墙已经撞上了。

当前HBM的带宽数字还在漂亮地爬升：HBM4每个堆叠带宽超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。

但漂亮的曲线背后，是两大硬约束：

1. TSV数量与间距的物理极限——硅通孔不能无限加密，这是几何问题，不是工艺问题；

2. Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限——B-die与计算芯片之间的通道，成了整个系统的瓶颈。

更微妙的是，B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。这原本是HBM厂商的麻烦，却成了三星的切入口。

产业逻辑很直白：当“旁边放”的架构红利被吃干，剩下的路只有“往上摞”。三星不是在做增量优化，而是在赌一次封装范式的换轨。

三阶段路线图：先抢地，再换血

三星的路线图分三步走，节奏耐人寻味。

第一阶段，核心目标是从xPU手里“抢回”硅面积。三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die，主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——以前B-die用的制程远落后于GPU，现在两者开始共用一个梯子。

据多位接近存储设计圈的人士私下聊，这一路线图最狠的地方不在某一项参数，而在它把“内存”和“逻辑”这两条历史上泾渭分明的工艺路线，焊在了一起。HBM的竞争，正在从“堆得高不高”变成“工艺全不全”。

这背后是残酷的门槛：能同时玩转DRAM堆叠和4nm级逻辑工艺的厂商，全球屈指可数。三星押的是自己作为少数IDM的全链条能力——这也是它在HBM份额战中被追赶时，选择的差异化打法。

长存控股：330亿，一个纪录，一份成绩单

把镜头拉回太平洋西岸。8月21日，[[长江存储控股股份有限公司]]（长存控股）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟募资330亿元。

这个数字什么概念？超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，为科创板史上拟募资金额最高的项目。募资去向：208亿元用于长江存储量产线技术升级，122亿元用于研发相关募投项目。

钱要得大，成绩单也确实硬。看几个关键数字：

三年时间，从亏损到单季归母净利333.79亿元，这是存储行业周期弹性和技术追平叠加出的结果。截至2026年3月末，长存控股已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期产线满产，三期产能建设正在推进。

Xtacking：技术叙事才是IPO的底牌

330亿的故事，光靠周期撑不住，底牌在技术。

2022年，长存控股推出[[Xtacking]] 3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking 4.0，斩获FMS权威奖项，重塑全球3D NAND技术发展路线；2025年，成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

这三步的含义层层递进：第一步是追平，第二步是定义路线，第三步最关键——交叉授权意味着别人不得不承认你的专利池有价值。在存储这个专利壁垒最厚重的行当里，这比任何参数都更能说明“坐上牌桌”了。

把两条线索放在一起看，产业逻辑就浮出水面了：

• 三星的zHBM代表存储的“纵向革命”——DRAM与逻辑深度融合，冲进计算核心；
• 长存的Xtacking代表存储的“工艺革命”——NAND的CMOS与阵列分离键合，冲进世界第一梯队。

一个在HBM（面向AI算力），一个在NAND（面向数据底座）。两条赛道，同一个信号：存储厂商不再满足于按JEDEC规格交货，而是开始定义系统该长什么样。

写在最后：存储的估值逻辑正在改写

过去二十年，存储在资本市场是个“周期股”：价格起落，产能起落，技术追平即内卷。但2025-2026年发生的事，正在改写这套估值框架。

当三星要把DRAM摞上GPU、当长存用交叉授权换来国际话语权、当330亿元募资砸向量产线升级——存储的竞争维度，已经从“每一GB卖多少钱”，升级为“系统架构的话语权归谁”。

对于产业链上的设备、材料与设计公司，这意味着新的订单结构正在形成；对于中美之间的技术博弈，NAND与DRAM两条战线上的“追平-领先”样本，其示范意义远超单一产品。

存储的反击战，才刚打出第一轮齐射。三星的三阶段路线图能否兑现zHBM的230%带宽承诺，长存的三期产能能否顺利爬坡——答案都会在接下来的两三年里揭晓。可以确定的是：下一个AI算力的瓶颈解法，大概率写在存储厂的路线图上，而不是GPU厂的PPT里。