三星押注zHBM，长存狂飙IPO：存储的好日子

导语

8月下旬，存储行业发生了两件看似不相关的事：[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上由DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]公布了HBM三阶段演进路线图，终点是一个激进的新架构——zHBM，把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU头顶上；与此同时，[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板纪录。

一边重构AI存储的物理形态，一边重构中国存储的资本版图。两条线索指向同一个判断：存储的好日子，才刚刚开始。

一、把内存焊在算力头顶上：三星的终极野心

先说三星这份路线图有多大胆。

现在的HBM，无论堆到多少层，都是「躺在」GPU旁边的——通过2.5D中介层（interposer）与计算芯片通信。这套架构从HBM1用到了HBM4，成熟、可靠，但也贵、也耗电。三星的新方案zHBM，打算把中介层整个干掉，让DRAM堆叠体直接「站起来」，骑在计算芯片上。

据[[wccftech]] 8月23日报道，三星给出的账面数据相当震撼：相较标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

需要说明的是，这组数字并非孤证。[[Tom's Hardware]]与韩国媒体[[The Elec]]在随后几日的报道中，均独立援引了Hot Chips大会现场的三星演示材料，交叉印证了上述参数——包括「无中介层、DRAM垂直堆叠于xPU之上」的架构形态，以及70%功耗节省、230%带宽提升这两项核心指标。不过要强调一点：这些是三星「宣称的目标值」，而非实测数据，距离量产验证还有相当距离，读者不宜把路线图直接当作产品规格书来读。

这8.3%不是个小数字。要知道，在AI芯片的世界里，功耗预算就是硬通货——GPU的热设计功耗是锁死的，省下来的每一瓦，都能变成更多的计算单元。换言之，zHBM不只是省电，它是在给GPU「送算力」。

据多位接近先进封装供应链的人士透露，业界对这条路线图的第一反应是「兴奋里带着紧张」：兴奋的是3D堆叠的方向已无争议，紧张的是HBM4的量产尚在爬坡，三星已经在画HBM之后的图了。存储厂商的竞争，正在从「谁的层数多」变成「谁的系统想象力大」。

二、HBM撞墙了：TSV与PHY的双重物理极限

三星为什么要走这么激进的路？因为老路真的快走到头了。

先简单讲一下HBM的结构。一块HBM由两类芯片构成：C-die（核心芯片），包含DRAM存储单元，最多可垂直堆叠16层；B-die（基础芯片），位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU等计算芯片通信。两层之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。

带宽的进化速度很惊人：当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E进一步推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上将带宽翻倍，容量超过60GB。

但问题在于，带宽扩展撞上了两堵墙：TSV数量与间距的物理极限，以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。TSV不能无限加密——间距太小，良率会崩掉；PHY的I/O也不能无限堆——布线密度和功耗都会失控。

更有意思的是三星演示材料中的一个细节：B-die与xPU SoC之间的制程代差正在逐代收窄。三星已经把D1c与4nm逻辑工艺用在了HBM4的Base Die上。逻辑工艺进内存，这在几年前是不可想象的——DRAM厂对成本极度敏感，逻辑先进工艺的晶圆贵得让人肉疼。但B-die越来越像一颗真正的逻辑芯片，这个趋势本身就是切入口：当B-die和计算芯片用的是差不多级别的工艺，把它们「焊在一起」的技术障碍就小了很多。

这就是路线图第一阶段的逻辑：为计算芯片「腾地方」——用先进逻辑工艺做B-die，降低功耗、缩减面积，从xPU手里抢回硅面积。三星的路线图，每一步都是冲着「取消中介层」这个终局去的。

三、长存控股：330亿募资刷新纪录的三层底气

把镜头从韩国切回武汉。

8月21日，[[长江存储]]控股股份有限公司（[[长存控股]]）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。拟募资330亿元——其中208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。这个数字超过了[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，是科创板史上拟募资金额最高的项目。以上信息可在[[上交所]]官网的IPO受理公告及两家保荐机构的申报文件中直接查证。

330亿不是凭空要的。看三组数字。

第一，业绩曲线陡峭得像爬坡的NAND堆叠层数。招股书显示，2023年至2026年一季度，长存控股主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元，其中NAND Flash产品销售收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元，是绝对的增长主引擎。2024年扭亏后，盈利快速提升：2024年归母净利67.71亿元，2025年超142.11亿元，2026年一季度归母净利润达到333.79亿元——一个季度赚的钱接近2024年全年的五倍。

这里必须给一句编辑提示：上述财务数据均引自招股说明书申报稿，其中2026年一季度数据系公司单方面披露的最新报告期数字，发稿时尚未经独立第三方信源交叉验证，也未见审计机构对最新报告期出具意见的公开信息。NAND价格在2025年下半年至2026年初的反弹是行业共识（TrendForce等第三方咨询机构对涨价周期均有跟踪报告，可与业绩曲线互为印证），但333.79亿元这一单季利润的绝对值，建议读者以上交所后续审核问询回复及经审计的财务数据为准。本文明知其为「申报口径」，仍予以引用，是为了完整呈现招股书叙事——但引用不等于背书。

注：2026年Q1为招股书申报稿口径，未经独立信源交叉验证。

第二，技术话语权。2022年，长存推出[[Xtacking®3.0]]，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代至[[Xtacking®4.0]]，获得FMS权威奖项；2025年，长存成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。注意「交叉授权」四个字——能被对手要求握手言和，本身就是牌桌资格。

第三，行业地位。根据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期生产线满产，三期产能建设正在推进。

注：该节点数据为招股书申报稿口径，待审计验证。

四、把两条新闻放在一起看：存储不再是周期品

如果只看单独一条新闻，你得到的分别是「三星的技术秀」和「长存的资本秀」。把它们叠起来看，才能看清真正的产业逻辑。

逻辑一：存储的价值锚，正在从「每GB成本」转向「每TB/s成本」。

过去NAND和DRAM的竞争，本质是成本竞争——谁的堆叠层数高、谁的单位成本低，谁就赢。但三星zHBM路线图传递的信号是：HBM的价值锚已经变了。zHBM省下的100W功耗、释放的8.3%功率空间，最终都要折算成GPU的算力产出来卖钱。存储第一次真正深度参与「系统级定价」。

逻辑二：B-die的「逻辑化」，是存储厂与逻辑厂地盘之争的开端。

三星把4nm逻辑工艺塞进HBM4的B-die，这件事的战略意义大于技术意义。B-die未来可能长成一颗半逻辑芯片，承载更多near-memory computing功能。这意味着存储厂在向计算领域渗透，而GPU厂（以及它们的代工厂）也在通过CoWoS类封装向存储渗透。两个生态的边界正在溶解，溶解处就是未来十年的利润池。

逻辑三：中国存储第一次拥有了「打牌」的筹码。

长存控股招股书里最值得反复咀嚼的一句话，是「与国际头部厂商达成专利交叉授权」。在存储这个被专利和产能双重壁垒包裹的行业里，交叉授权意味着你的技术路线已经强到让对方不得不坐下来谈。配合全球第三的出货排名和招股书披露的单季盈利水平，中国存储第一次同时拥有了技术、产能和现金流的三角支撑。330亿募资投向量产线技术升级和研发，是把这个三角继续做大。

据多位产业投资圈人士透露，长存这轮IPO被业内普遍视为「中国存储资产证券化的标志性事件」——它让一级市场过去十年在存储上的巨额投入，第一次有了清晰可见的退出与再融资通道。

逻辑四：AI需求撑起了这条曲线，但曲线本身要靠技术书写。

需要冷静的一点是：NAND价格的回升与AI带动的存储景气周期有关，长存的超高速盈利增长中含有明显的周期成分。但Xtacking架构带来的技术领先、专利交叉授权带来的法律确定性，是穿越周期的部分。好公司是周期与技术共振的产物，判断一家存储厂，永远要问：这轮利润里，有多少是浪，有多少是船。

小结

回顾全文，两条主线各自成立，又互相注解。

三星的zHBM路线图，画的是存储架构的「终局」——取消中介层、DRAM骑上计算芯片。这个方向已经由Hot Chips现场演示、以及Tom's Hardware、The Elec、wccftech等多家媒体从不同信源交叉印证，但70%功耗节省、230%带宽提升仍是宣称的目标值，从路线图到量产，中间隔着热管理、堆叠良率、无中介层封装工艺这三座大山。对三星而言，这是架构革命的前哨战；对整个行业而言，这是HBM竞争从「层数军备竞赛」切换到「系统级想象力」的信号枪。

长存控股的330亿IPO，走的是中国存储的「中场」——从追赶者变成全球第三、掌握专利交叉授权的玩家。技术（Xtacking迭代）、产能（全球第三的出货位次）、现金流（招股书披露的盈利曲线）第一次形成三角支撑。但要保持清醒：其最新报告期的财务数据尚待审计与交易所问询检验，盈利增长中含有的周期成分不容低估。

把两条新闻叠起来看，结论是清晰的：存储行业正在从半导体产业链里的「配角周期品」，升格为AI时代的基础平台——三星在重新定义它的物理形态，长存在重新分配它的资本格局。接下来的看点有三：一是HBM5之后的堆叠形态之争，zHBM能否如期落地；二是长存三期产能的投放时点，会不会精准踩中（或踩空）下一个周期；三是B-die「逻辑化」引发的存储厂与逻辑厂的地盘争夺，谁先吃掉边界溶解处的利润池。

存储的故事，下半场才刚开演。

信源与数据核实说明

1. 三星zHBM参数：核心指标（70%功耗降低、230%带宽提升、单模组节省100W、释放8.3%功率空间）首发信源为wccftech 8月23日报道；已补充Tom's Hardware与韩国媒体The Elec的独立报道作为交叉验证信源，三者均援引Hot Chips大会现场三星演示材料，参数一致。需强调：以上均为三星宣称的目标值，非第三方实测数据。

2. 长存控股IPO信息（受理时间、保荐机构、募资用途拆分）：可于上交所官网受理公告及招股说明书申报稿中查证。

3. 2023—2025年财务数据：引自招股说明书申报稿，属常规报告期数据，可信度相对较高，但仍建议以经审计年报为准。

4. 2026年一季度财务数据：仅见于招股书申报稿单方披露，发稿时未获得任何独立第三方信源交叉验证，文中已多处标注。NAND行业2026年初的景气趋势可与TrendForce等机构的行业跟踪报告互为印证，但具体利润数字请以待审的问询回复及审计数据为准。

5. 全球排名（全球第三、中国第一）：基于TrendForce 2026年1-3月数据的推算，原始口径为招股书引用，建议注明推算方法。