存储芯片🔥8.0
三星预热全新HBM5,性能达HBM4E两倍——雄心勃勃的数据传输速率或暗示4096位接口
原标题: 三星预热全新HBM5,性能达HBM4E两倍——雄心勃勃的数据传输速率或暗示4096位接口
📋总体概括
三星预告其HBM5内存计划,目标在2020年代末实现单堆栈4 TB/s带宽,性能约为HBM4E的两倍,并可能采用4096-bit接口。该技术有望让AI加速器聚合内存带宽达到约100 TB/s,进一步巩固三星在高带宽内存领域与SK海力士的竞争地位。
⚡关键信息
- ▸三星HBM5目标单堆栈带宽4 TB/s,性能为HBM4E的两倍
- ▸可能采用4096-bit超宽接口实现高数据传输率
- ▸AI加速器聚合内存带宽有望达约100 TB/s,预计2020年代末落地
🔥犀利点评
带宽翻倍听着猛,但良率与散热才是HBM竞赛的真正生死线。
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