先进封装🔥9.0
消息称Groq正计划将3D堆叠式DRAM封装技术应用于下一代芯片
📋总体概括
据财联社报道,AI推理芯片公司Groq计划在下一代芯片中采用3D堆叠式DRAM封装技术,用DRAM替代现有以SRAM为中心的存储设计。SRAM速度快但容量受限,DRAM虽较慢却可支撑大容量;配合3D垂直堆叠封装可减小芯片面积、提升能效。此举被业内解读为Groq试图通过存储架构革新大幅提升芯片容量,在推理芯片性能与成本竞争中另辟蹊径。
⚡关键信息
- ▸Groq计划将3D堆叠式DRAM封装技术用于下一代芯片
- ▸此举意味着用DRAM替代现有以SRAM为核心的芯片设计
- ▸SRAM速度快但容量有限,DRAM较慢但适合实现大容量芯片
- ▸3D封装垂直堆叠芯片,可减小表面积并提高能效
🔥犀利点评
Groq一直押注SRAM换取极致低延迟推理,如今考虑转向DRAM,本质是容量与成本对速度的反击。大模型推理的瓶颈早已从算力转向内存容量与带宽,HBM在GPU上验证了这条路线。放弃纯SRAM路线说明Groq也在向现实低头:再快的SRAM,装不下大模型参数就是原罪。
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