美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，1ε 晶圆键合、 ζÅ High NA EUV

📋总体概括

美光在2026年度技术网络研讨会上给出DRAM路线图判断：经二十多年探索，4F² DRAM因复杂度与成本问题没有可行规模化路径，公司转向3D DRAM作为长期发展方向。现有节点方面，第7代1δ正处良率爬坡，第8代1ε将引入晶圆键合，首个亚10nm级节点ζÅ进入早期开发并导入High NA EUV光刻，后续ηÅ节点计划应用新材料。这一表态与长鑫存储推进4F²混合键合、三星据传放弃4F²形成对照，揭示了DRAM微缩路线的产业分歧。