存储芯片🔥8.0
押注AI存储!三星M2800基带转2nm 过半4nm产能倾斜HBM4
📋总体概括
三星将原定2027年完成开发的外挂5G基带芯片M2800由4nm升级至2nm制造,该芯片与Exynos 2800搭配,率先用于2028年上市的Galaxy S28系列。基带转2nm后释放的4nm产能将转产HBM所需的基础逻辑芯片。三星2026年2月率先量产HBM4,采用4nm逻辑基底加1c nm DRAM,单引脚速率11.7Gbps、最高13Gbps,超JEDEC标准约46%;HBM4良率从不足60%提升至80%。瑞银模型预计三星HBM份额将从2025年20%升至2027年40%,首次超过SK海力士登顶全球第一。
⚡关键信息
- ▸三星M2800基带芯片由4nm升级至2nm制造,将与Exynos 2800搭配用于2028年Galaxy S28系列
- ▸基带转2nm释放的4nm产能将转产HBM所需的基础逻辑芯片,资源全面向AI存储倾斜
- ▸三星2026年2月率先量产HBM4,单引脚速率最高13Gbps,超出JEDEC标准8Gbps约46%
- ▸HBM4良率从量产初期不足60%提升至80%,提前完成年底目标
- ▸瑞银预计三星HBM份额2027年达40%,将首次超过SK海力士的39%登顶全球第一
🔥犀利点评
三星这步棋透露一个残酷现实:手机基带这种自研芯片的优先级,已经彻底让位于AI存储的钱景。把4nm产能喂给HBM4逻辑基底,本质是把先进制程当HBM的配套工具用,赌的就是HBM四年翻倍的份额曲线。良率80%+超JEDEC近一半的速率,若属实,SK海力士的霸主地位确实悬了——但瑞银模型终究是模型,2027年才能验真伪。
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