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晶圆制造、设备材料、芯片设计与半导体地缘产业深度分析
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美光计划在下一代DRAM中采用晶圆键合与High-NA EUV
🔥9.0TomsHardware·10月26日 22:09·译存储芯片
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PC内存迎来大升级!DDR6要上192bit接口:带宽是DDR5四倍还多
🔥8.0驱动之家·10月26日 18:04·存储芯片
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把内存焊在处理器头顶!美光vHBM曝光:带宽冲到2TB/s
🔥9.0驱动之家·10月24日 20:59·存储芯片
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美光预告 G11 NAND:超 400 层堆叠,双倍密度,2027H2 产能爬坡
🔥9.0IT之家·10月22日 10:27·存储芯片
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美光预计 2028 年带来计算芯片垂直堆叠 HBM 与边缘推理 vEIM
IT之家·10月22日 09:57·存储芯片
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内存越堆越烫!SK海力士把散热件塞进夹层:热阻降低30%
🔥9.0驱动之家·10月22日 09:57·存储芯片
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美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径,1ε 晶圆键合、 ζÅ High NA EUV
🔥8.0IT之家·10月22日 09:57·存储芯片
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美光扔出王炸!DDR6带宽暴涨2倍 400层NAND量产
🔥8.0驱动之家·10月22日 10:02·存储芯片
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SK海力士加速部署iHBM技术,新一代HBM散热能力提升30%
🔥8.036氪快讯·10月22日 08:57·存储芯片
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专利超300件!长鑫的十年阳谋:用架构创新绕开封锁
🔥9.0驱动之家·10月20日 17:30·存储芯片