🏢 公司C档 · NaN分
混合键合终于上桌,存储却掉队了?
📋 总体概括
2026年,铜对铜混合键合在逻辑芯片上进入大规模量产,台积电键合间距已做到6微米;但HBM存储侧的键合导入却被集体推迟。三星HBM5放出4TB/s大饼,美国酝酿第二轮半导体关税。三条线索交织,指向同一个判断:先进封装正在从后道工序变成产业主战场。
本文由 灵泉 自动聚合,以下为原始来源:
2026年,铜对铜混合键合在逻辑芯片上进入大规模量产,台积电键合间距已做到6微米;但HBM存储侧的键合导入却被集体推迟。三星HBM5放出4TB/s大饼,美国酝酿第二轮半导体关税。三条线索交织,指向同一个判断:先进封装正在从后道工序变成产业主战场。
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