半导体产业观察 · 事件追踪
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台积电0.42nm二维材料制程突破
台积电在二维材料领域取得重大突破，研发出0.42纳米MoS₂界面层制程技术，昭示硅基芯片微缩逼近物理极限。该技术有望在传统制程受限于物理规律后继续延续性能提升，但量产与成本挑战巨大，同时与ASML光刻路线及无掩模技术路线形成竞争，制程、电力与互连三线烧钱模式启动。
台积电0.42nm二维材料技术突破
台积电宣布在0.42纳米节点采用MoS₂二维材料界面层取得突破，昭示硅基微缩逼近物理尽头，为后摩尔时代制程路线提供新方向。同期ASML光刻路线遭遇无掩模技术挑战，先进制程竞争格局酝酿变化。
台积电0.42nm二维材料突破
台积电在0.42nm工艺节点实现MoS₂（二硫化钼）二维材料界面层关键突破，昭示硅基制程微缩逼近物理极限。该技术探索将二维材料引入先进制程，为后硅时代芯片制造开辟新路径，或将重塑全球先进制程竞争格局。
台积电0.42纳米二维材料制程突破
台积电在MoS₂二维材料界面层技术上实现0.42纳米突破，标志着硅基制程微缩逼近物理极限。该技术为后硅时代的关键路径，与ASML光刻路线形成互补与竞争，推动半导体产业进入制程、电力与互连三线并行的重资本烧钱周期。
长存控股IPO获受理，330亿募资创科创板纪录
2026年8月21日，长江存储控股股份有限公司科创板IPO获上交所受理，拟募资330亿元，超过长鑫科技295亿元和中芯国际200亿元，成为科创板史上最高募资额项目。募资中208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发，中信证券与中信建投联合保荐。公司2026年一季度归母净利润达333.79亿元。
台积电0.42nm二维材料突破
台积电在二维材料界面层实现0.42纳米级突破，标志着硅基制程微缩逼近物理极限。该技术或为后硅时代延续摩尔定律提供新路径，也引发对ASML光刻路线与无掩模工艺未来走向的激烈讨论。
台积电0.42nm二维材料界面层突破
台积电在0.42nm节点实现MoS₂二维材料界面层突破，为延续摩尔定律提供新路径，也标志硅基微缩逼近物理极限。该技术将与ASML光刻及无掩模路线形成竞争，影响下一世代先进制程与设备路线选择。
沪硅产业半年报：硅片销量增九成但亏损扩大
沪硅产业发布2026年上半年财报，300mm半导体硅片销量同比增幅超90%，营收达23.17亿元，但净亏损扩大至9.65亿元，上年同期亏损3.67亿元。亏损主因包括研发投入增加、欧元汇率波动导致财务费用增加及存货减值。截至上半年末，上海、太原两地300mm硅片合计产能达100万片/月，预计年底达120万片/月。公司称国内硅片市场逐步企稳，价格优化红利或于下半年释放。
长存控股IPO辅导验收
2026年8月19日，长江存储控股股份有限公司IPO辅导状态由“辅导备案”变更为“辅导验收”。中信证券、中信建投于5月19日同日签约辅导，三个月完成一期辅导。长存控股旗下长江存储为中国唯一3D NAND IDM，全球NAND出货份额14%，此次上市进程是A股半导体存储资本化的重要里程碑。
台积电与阳明交大实现0.42纳米MoS₂界面突破
台积电与阳明交大在原子级半导体工艺取得突破，实现0.42纳米二硫化钼（MoS₂）界面。该成果将制程叙事推进到原子尺度，为后硅时代晶体管与超薄沟道器件奠定基础，同时引发对ASML光刻霸权及无掩模革命路线的讨论，半导体进入三线烧钱模式。
台积电联合阳明交大突破0.42nm二维材料界面层
台积电与阳明交大合作研发出0.42纳米二维材料界面层，突破硅基制程物理极限，为后硅基芯片技术卡位奠定基础。该成果若实现产业化，将影响先进制程竞争格局，并推动AI算力瓶颈下新材料路线的加速落地。
台积电0.42纳米二维材料界面层技术突破
台积电联合阳明交大在二维材料界面层研究中实现0.42纳米突破，被认为是硅基半导体极限之后的关键技术卡位。该成果或为后硅基芯片提供新路径，但目前停留在实验室阶段，距离商用仍远。此突破显示晶圆制造龙头正加速布局“后硅基”时代，与ASML光刻霸权形成暗战。
台积电0.42nm二维材料界面层突破
台积电联合阳明交通大学研发出0.42纳米二维材料界面层，突破硅基极限，为后硅基晶体管和先进逻辑制程提供新路径。该成果被视为在ASML光刻霸权遭遇无掩模讨论之际，台积电抢先布局下一代半导体材料的关键动作。
台积电与阳明交大实现0.42纳米MoS₂界面突破
台积电与阳明交大在MoS₂界面实现0.42纳米级突破，推动制程叙事进入原子级尺度。该技术进展加剧了关于ASML光刻霸权与无掩模革命路线的讨论，半导体行业由此进入‘三线烧钱’模式，制程、封装与互连的竞争同步升级，对晶圆制造格局产生深远影响。
台积电实现0.42纳米二维材料晶体管界面突破
台积电企业研究部与阳明交通大学合作，在单层MoS₂晶体管中实现0.42纳米铝氧化物界面，兼具强栅极控制与电子传输保护，为后硅时代晶体管微缩提供物理基础。目前仍处实验室阶段，距离量产需解决大面积转移、接触电阻、CMOS集成等难题。该突破标志台积电在二维材料技术上抢先卡位。
中芯国际季度营收首破30亿美元并提高晶圆报价
中芯国际2026年二季度营收首次突破30亿美元，同比大增36.1%，净利润约4.792亿美元，同比近三倍。在美国出口管制下，本土AI芯片订单回流，公司产能利用率高位并提高晶圆报价。分析认为其享受“隔离市场”红利，涨价能力来自地缘扭曲下的供给短缺，可持续性依赖国产设备突破。
中芯国际季度营收首破30亿美元并提高晶圆报价
8月初，中芯国际发布财报，季度营收首次突破30亿美元，同比大增36.1%，净利润4.792亿美元，接近三倍。在美国出口管制下，中国AI芯片设计需求回流本土，中芯国际作为先进制程主力，产能利用率维持高位并提高晶圆报价。这体现地缘隔离市场中的定价权，同时拉动国产设备需求。
中芯国际营收首破30亿美元并涨价
中芯国际发布财报，季度营收首次突破30亿美元，同比增36.1%，净利润4.792亿美元，同比增近三倍，并提高晶圆报价。美国制裁下中国大陆AI芯片订单回流本土，形成“隔离市场”红利，同时拉动国产设备需求。