存储大变局：三星赌3D堆叠，长存330亿冲A

2026年8月，存储产业几乎在同一周里炸出两声闷雷。

第一声在加州，[[Hot Chips]]大会上，[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]甩出一份三阶段路线图，终点是一种叫[[zHBM]]的架构——把DRAM直接垂直堆在GPU、TPU头顶上，连2.5D中介层都不要了。第二声在深圳河对岸，[[长存控股]]科创板IPO获上交所受理，拟募资330亿元，刷新科创板历史拟募资纪录——需要强调的是，这只是万里长征的第一步，项目目前处于受理阶段，距离最终发行上市还有漫长的审核路程。

一个是DRAM阵营对『内存如何喂饱AI算力』的极限押注，一个是NAND阵营在多年封锁之后交出的资本答卷。两条线索看似无关，实则指向同一个判断：存储不再是算力的配角，它正在成为整台AI机器重构的起点。

一、Hot Chips现场：HBM的『天花板』到底卡在哪

要理解[[zHBM]]的野心，得先回到Hot Chips那个会场。[[Sangwook Han]]的演讲从HBM的基本结构讲起——这不是客套，而是为后面的杀招做铺垫。

如今的HBM由两类芯片构成：一类是C-die（核心芯片），装着DRAM存储单元，最多可以垂直堆到16层；另一类是躺在堆叠最底部的B-die（基础芯片），负责DRAM控制功能，并通过PHY物理接口层与GPU等计算芯片对话。两层之间的『电梯井』，是穿透硅片的垂直导电通道——TSV硅通孔。

这套架构撑起了AI时代的带宽神话。按三星在现场给出的数据（厂商口径），[[HBM4]]每个堆叠带宽已超过3TB/s，[[HBM4E]]推进至4TB/s区间，[[HBM5]]则直接把带宽在HBM4基础上翻倍，单颗容量超过60GB。

“注：表中zHBM一行均为三星在Hot Chips演讲中给出的宣称目标值，属路线图终点形态，并非当前量产产品的实测数据，后续仍可能调整。

但带宽不是无限涨的。演讲里点出了两堵墙：一是TSV数量与间距的物理极限——硅片面积就那么大，通孔不能无限密；二是Base Die里PHY接口的I/O数量与速度上限——接口本身成了瓶颈。

还有一堵没明说的墙，才是关键伏笔：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。翻译成人话：以前B-die用的工艺比GPU落后好几代，『楼下的人』和『楼上的人』用的不是一个时代的工具；现在两者越来越接近，既然大家的工艺水平差不多，那为什么还要隔着一块中介层互相喊话？

这既是挑战，也是三星路线图切进来的口子。

二、三阶段路线图：从『抢面积』到『掀桌子』

三星的路线图分三阶段走，素材中第一阶段的核心目标已经很清晰：从xPU那里『抢回』硅面积。

具体动作是，三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die。过去Base Die用的是相对便宜的成熟工艺，功能也简单；现在直接上4nm逻辑工艺，图的是两件事：降功耗、缩面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——注意这个词，『融合』，后面所有故事都从这两个字长出来。

而路线图的终点[[zHBM]]，用一个词概括就是：掀桌子。

传统架构里，HBM和GPU是『邻居』关系：DRAM堆叠放在GPU旁边，隔着一块2.5D中介层（interposer），靠ABF基板和硅桥牵线。这块中介层又贵、面积又大、良率还是老大难。zHBM的思路是把邻居关系改成上下铺——DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU之上，中介层整个取消。

后果是惊人的。据wccftech 8月23日报道，三星在演讲中宣称，相比标准HBM4E，zHBM可实现：

• 70%的功耗降低；
• 230%的DRAM带宽提升；
• 每个DRAM模组节省100W功耗；
• 为GPU释放8.3%的额外功率空间。

“信源说明：以上四项数据均出自三星Hot Chips演讲材料、经第三方媒体wccftech转述，属厂商宣称口径，目前没有独立第三方实测数据佐证；且其对比基准是尚未量产的HBM4E，对应的是zHBM路线图终点形态，实际落地时间和最终指标均存在不确定性，读者宜将其视为技术方向宣示而非产品承诺。

最后一条最值得玩味。AI芯片的功耗墙已经顶到天花板，[[英伟达]]们拼命在『如何在1000W里挤出更多算力』上内卷。8.3%的功率空间，意味着GPU可以把省下来的电换成实打实的计算单元——这不是省电费，这是给GPU涨价。

产业逻辑很清楚：当TSV和PHY都逼近物理极限，堆带宽的边际成本急剧上升，那么换掉『连接方式』本身就是最便宜的带宽。2D平面做不到，2.5D半路出家，唯有真3D。圈内流传的一句玩笑是：『HBM卷到最后，卷的是怎么让自己消失。』

当然，宣称归宣称，DRAM直接压在GPU上，散热、良率、测试，每一项都是硬仗。路线图从Paper到Fab，中间隔着好几代良率爬坡。

三、另一条战线：长存控股的330亿与三张财务曲线

就在三星画饼的同一周，上海证券交易所科创板受理了[[长存控股]]的IPO申请。这家长江存储控股股份有限公司拟募资330亿元——其中208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元投向研发相关募投项目。保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。

330亿是什么概念？招股书显示，这一数字超过长鑫科技的295亿元与中芯国际的200亿元，成为科创板史上拟募资金额最高的项目。注意，后两位一个是DRAM主力，一个是晶圆代工一哥——曾经科创板募资榜上的天花板，这次被一家存储IDM掀了。但也要说明，330亿目前只是申报口径的『拟募资』数字，实际发行规模要等到注册与询价之后才能确定。

更值得看的是招股书里的三条曲线：

“口径说明：上表数据均引自长存控股招股说明书（申报稿），为发行人申报口径；其中2026年一季度数据未经审计（或以申报会计师审阅数为准），2025年年报数据亦属申报财务资料。公司IPO目前处于上交所受理阶段，后续还需经历审核问询、上市委审议、证监会注册等环节，能否成行、何时发行、实际募资额均存在不确定性。此外，单季度333.79亿元利润中包含了NAND价格周期上行带来的收益，属于典型的强周期行业利润形态，不宜按年化线性外推。

收入三年增长逾三倍只是开胃菜，真正的重头是利润：2024年扭亏盈利67.71亿元，2025年归母净利润超142.11亿元，2026年一季度单季归母净利润333.79亿元——一个季度赚了过去几年的总和。截至2026年3月31日，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元，按这个赚钱速度，历史欠账一个季度就能翻篇——当然，前提是NAND价格周期不翻脸。

支撑曲线的是产品和产能。2022年，[[Xtacking]] 3.0技术让公司成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking 4.0，拿下FMS权威奖项，重塑全球3D NAND技术发展路线；2025年，公司成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业——这句话在地缘语境下的分量，懂行的都明白。

规模上，截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地；招股书披露二期生产线已经满产，正在推进三期产能建设。按[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月，公司在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

四、两条战线汇合处：存储的定义正在被改写

把三星和长存控股放在同一张桌上看，你会发现一个被行业悄悄接受的共识：3D堆叠正在统一DRAM和NAND的技术语言。

长存的[[Xtacking]]路线，本质上就是把NAND的存储阵列与逻辑外围电路用先进的键合工艺分两层做、再垂直拼起来——这是『混合键合』在大规模量产上最成功的先例之一。而三星zHBM的终点，同样是把DRAM直接键合到计算芯片上。NAND已经走过的路，DRAM正沿着相似的坡道往上爬。垂直方向的硅通孔、键合、分层制造，正在取代平面的制程微缩，成为存储容量与带宽的新引擎。

这对产业链的牵引是结构性的。先进封装设备（键合机、混合键合）、TSV工艺相关设备材料、以及Base Die所需的先进逻辑工艺，价值量将系统性上移；而2.5D中介层的供应商则要面对一个逐步缩小的蛋糕。对设备与材料厂商而言，未来几年最确定的增量，不在光刻机旁，而在键合机旁。

地缘维度上，两条线索也构成了有趣的对照。三星用zHBM宣示DRAM架构主导权的野心——如果DRAM直接堆上xPU成为标准，那么存储厂商与GPU厂商之间的接口话语权将重新洗牌，这恰恰是[[SK海力士]]凭HBM3/3E在英伟达供应链里建立的护城河。而长存控股的IPO，则在另一个方向上画出了闭环的前半段：技术做到与头部交叉授权、全球份额第三、单季净利333亿——在最严苛的封锁环境下，中国存储第一次以『正常生意』的姿态叩响了资本市场的大门。

一位接近存储设备供应链的人士的评价颇为克制：『以前看长存是看政策，现在要看产能爬坡和NAND价格周期。上市之后，它得用季报说话了。』这话换个角度理解，就是长存控股的下一个对手不再是禁令，而是[[三星]]、[[铠侠]]、[[SK海力士]]们自带的NAND价格波动——盈利质量能不能穿越周期，才是330亿之后的真正考题。

把两条战线放回同一个坐标系，结论其实已经浮出水面：DRAM和NAND，一个管算力的『血液流速』，一个管数据的『仓库容量』，过去几十年沿着各自的平面路线内卷，如今却在『3D堆叠+先进键合』这个交叉口殊途同归。三星的zHBM赌的是，当平面微缩逼近极限，谁重新定义芯片之间的垂直连接，谁就重新定义算力的形态；长存控股的330亿赌的是，在被封锁的场地上，靠技术追赶和资本输血，把中国存储从跟随者变成规则参与者。一个在改写内存与算力的物理接口，一个在改写中国存储的资本叙事——而它们的交汇点，正是AI时代那句话的注脚：算力的下一个数量级，不写在光刻机的掩膜版上，写在堆叠芯片之间的那几微米里。

小结

三星的zHBM和长存控股的330亿，一个改写内存与算力的连接方式，一个改写中国存储的资本叙事，但底层是同一件事：AI把存储从配角推到了舞台中央，谁掌握堆叠与键合，谁就掌握下一代算力的入口。对三星，zHBM是从Paper到量产的长跑，眼前的一切还停留在宣称口径，HBM5之前每一步都是试金石；对长存控股，获受理只是把技术积累兑现为资本平台的第一张门票，问询、过会、发行，再到三期产能与NAND周期的赛跑，才刚刚开始。存储芯片的岔路口，两条路都通向3D——只不过一条通向GPU的头顶，一条通向科创板的门口。