存储翻身仗：三星押注zHBM，长存330亿冲关

导语

8月下旬的两条新闻，值得放在同一张桌子上看。

一边是在Hot Chips大会上，[[三星]]DRAM设计团队的Sangwook Han正式公布了HBM三阶段演进路线图，终点是一种叫[[zHBM]]的架构——把DRAM直接垂直堆在GPU、TPU头上，彻底取消2.5D中介层。

另一边，[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新[[中芯国际]]、[[长鑫科技]]保持的纪录。

一个改技术架构，一个改资本结构。但它们指向同一个判断：存储，正在从半导体业的周期品，变成AI时代的技术制高点。

一、HBM撞墙：3TB/s之后，物理开始收税

先补一课HBM是什么。HBM（高带宽内存）是目前AI训练和推理系统里最关键的存储组件，它的结构其实是两种芯片的叠罗汉：

• C-die（核心芯片）：装着DRAM存储单元，最多垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片）：垫在堆叠底部，负责各类DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU等计算芯片通信。

两者之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。

这条技术路线过去几年的战绩堪称凶猛。据[[wccftech]]报道，当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，[[HBM4E]]推进至4TB/s区间，[[HBM5]]则要在HBM4基础上把带宽再翻倍，单堆叠容量超过60GB。

但带宽狂奔到今天，两堵墙已经肉眼可见。

第一堵墙是TSV数量与间距的物理极限。每多一层C-die、每提升一点带宽，TSV就要更密、更多，硅片上的开孔空间和工艺良率都在接近天花板。第二堵墙是B-die内PHY接口的I/O数量与速度上限——PHY是数据进出HBM的总闸门，闸门不够宽，里面堆再多DRAM也是堵车。

还有一层不那么显眼但更微妙的变量：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差，正在逐代收窄。这个细节在三星看来不是威胁，而是切入口——后面的路线图全靠它。

产业逻辑很清楚：HBM的性能竞赛，正在从'堆更多DRAM'转向'重新设计DRAM与计算芯片的连接方式'。谁先跳出2.5D中介层的框架，谁就拿到下一代的定义权。

二、三星三阶段：干掉中介层，DRAM骑到GPU头上

把镜头拉回Hot Chips会场。Sangwook Han的演讲被业内视为三星对HBM话语权的一次正面表态——在这条目前由对手主导、客户说了算的赛道上，三星需要一个自己的终局叙事。

路线图第一阶段的核心目标很直白：从xPU（计算芯片）那里'抢回'硅面积。

三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于[[HBM4]]的Base Die，主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——过去B-die用的是相对成熟的工艺，现在直接上4nm，等于承认：Base Die正在变成一颗真正的逻辑芯片。

而路线图的终点[[zHBM]]，则是更激进的一步：将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。

数字是这套叙事的弹药。三星宣称，相较于标准[[HBM4E]]，zHBM方案可以实现：

• 70%的功耗降低；
• 230%的DRAM带宽提升；
• 每个DRAM模组节省100W功耗；
• 同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

把100W和8.3%这两个数字翻译成工程语言：在AI服务器里，功率预算是比面积更硬的约束。zHBM省下来的每一瓦，都可以还给GPU的算力晶体管。这也是为什么三星敢把'为GPU释放功率空间'单独列进收益清单——它卖的不是内存，是系统级功耗预算的再分配权。

当然，冷静地说，这条路线的工程难度极高：DRAM堆上逻辑芯片，散热、键合、测试全部要重做一遍。但从产业格局看，一旦DRAM与逻辑的物理边界消融，先进封装就从'配套环节'升格为'竞争主场'——这正是三星最需要讲的故事。

三、长存330亿：从追赶到全球第三的资本化一跃

同一个8月，另一场战役在科创板开打。

8月21日，[[长存控股]]（长江存储控股股份有限公司）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟募资330亿元——其中208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。

330亿是什么概念？招股书规划的这一数字，超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，是科创板史上拟募资金额最高的项目。

撑得起这个估值的，是一份陡峭的增长曲线：

“编者注：表中2026年一季度数据存在几处需要警惕的异常。其一，单季归母净利润333.79亿元，不仅远超2025年全年（超142.11亿元），甚至超过了当年全年的主营收入规模增速所能解释的范围，如此陡峭的利润弹性，通常指向非经常性损益（如长期股权投资重估、公允价值变动）或会计政策的追溯调整，而非单纯的产品涨价；其二，单季主营收入470.42亿元，已逼近2025年全年631.85亿元的七成，若属实则意味着NAND价格与出货量在单季内出现了极端跳升，需结合周期位置与披露口径交叉验证。此外，'累计亏损收窄至约34亿元'的表述，与前述利润规模之间的勾稽关系也有待招股书细节进一步确认。在IPO招股书语境下，越是漂亮到反常识的数字，越需要保留一分审慎。

两年时间，主营收入从187亿干到631亿；2024年扭亏后盈利快速爬坡。技术叙事同样完整：

• 2022年，推出[[Xtacking]]®3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；
• 2024年，迭代[[Xtacking]]®4.0，斩获FMS权威奖项，招股书称之为'重塑全球3D NAND技术发展路线'；
• 2025年，成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

市场地位上，根据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地；二期生产线已经满产，正在推进长存三期产能建设。

不过，把'全球第三'放进竞对坐标系里看，成色需要打个折：排在前面的[[三星]]与[[SK海力士]]（含Solidigm）合计吃下了NAND市场过半的份额，第三名的铠侠与紧随其后的[[西部数据]]、[[美光]]也都在232层以上的产品节点上贴身缠斗。长存的技术追平，改变的是'能不能打'的问题，还没有改变'牌桌座次'的力量对比——头部厂商的资本开支规模、企业级SSD的客户认证深度，依然是长存需要逐季追赶的差距。

产业逻辑并不复杂：NAND是典型的重资产、强周期行业，技术追平只解决了'能不能打'的问题，三期产能的资金从哪来、研发的弹药够不够厚，才是决定下一轮周期能不能坐稳牌桌的问题。330亿IPO，本质上是把技术领先兑换成资本弹药——在周期上行、利润最肥的时点上市融资，时机选得相当老练。

四、同一张牌桌：存储的估值逻辑正在换锚

把三星和长存放回一张桌子，会发现两件事共享同一个底层变量：AI改写了存储的定价方式。

过去，存储是PC和手机里的成本项，采购逻辑是'谁便宜买谁'；现在，HBM的带宽直接决定AI芯片的算力兑现率，企业级NAND撑起数据中心的存力底座——长存控股招股书里，企业服务器、数据中心被明确列为产品的核心应用场景。存储从成本项变成了性能项，这就是估值逻辑换锚的全部含义。

更深一层的观察是：HBM和3D NAND，殊途同归地走向了'垂直'。三星的zHBM要把DRAM堆上计算芯片，长存的[[Xtacking]]早已把外围电路与存储单元分开制造再垂直键合。3D堆叠正在成为存储业的技术母语，而这背后的直接受益者，是键合、TSV、混合键合相关的设备与材料环节——这是设备供应链值得盯住的一条暗线。

竞对视角下，这场换锚对三星与SK海力士的意义并不对称。SK海力士凭借HBM3E对英伟达的先发卡位，长期占据HBM市场的主导份额；三星的zHBM路线图，本质上是一次'跳出现有规则'的弯道 attempt——与其在HBM4的既有规格下追赶，不如把战场拉到对手还没布局的'DRAM堆上逻辑芯片'。而长存的330亿，则是以资本化对冲竞对压制的另一条路径：头部厂商可以封锁设备与工艺，但封锁不了一个手握现金流与技术专利的中国存储厂商把产能烧到满产。三家企业的动作指向同一个判断——下一轮存储竞赛的胜负手，已经从'产能规模'前移到'架构定义权+资本弹药'的组合。

地缘视角下也要冷静看两面。长存与国际头部厂商达成专利交叉授权，说明其技术积累已进入'不得不互相给门票'的量级，这是话语权的实质改善；但先进存储始终是地缘敏感度最高的品类之一，330亿募资中208亿投向量产线技术升级，也说明管理层对持续追赶的紧迫感有清醒认知。资本市场的钱，买不来良率，更买不来免于管制的豁免——这条路上没有捷径。

至于三星的zHBM，圈内普遍的判断是：方向确定，节奏存疑。取消中介层意味着重新设计整个封装生态，GPU大厂的配合意愿、散热方案的成熟度，都不是三星一家能拍板的。但路线图本身已经完成了它的第一个任务——把'存储只是配套'的旧叙事，彻底翻篇。

归结起来，8月下旬这两条新闻的真正交汇点在于：技术端，3D堆叠正在抹平存储与逻辑的产业边界；资本端，AI溢价正在把存储公司从'周期股'的估值框架里解放出来。当架构定义权与资本化能力同时成为变量，存储业的下一个十年，将不再由周期决定，而是由谁掌握'垂直'的话语权决定。

小结

一周之内，三星用zHBM路线图宣示存储架构的定义权，长存用330亿IPO锁定产能与研发的粮草。前者赌的是'DRAM堆上计算芯片'的3D终局，后者赌的是NAND技术领先能否兑换成持续的资本优势。

接下来值得盯三个信号：zHBM何时从路线图走进联合研发协议；长存三期产能的爬坡节奏；以及HBM与3D NAND的堆叠需求，能否真正传导为键合与TSV设备订单。存储的翻身仗，才刚打到中场。