三星押注zHBM，长存豪募330亿：存储的黄金时代来了

同一周里，存储产业的东西两端各扔出了一颗深水炸弹。

西边，[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上由DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]正式披露HBM三阶段演进路线图，终点是一个激进到近乎重写封装规则的名字——zHBM：把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU之上，彻底干掉2.5D中介层。

东边，[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元刷新科创板纪录，2026年一季度归母净利润333.79亿元的账面数字让整个行业重新掂量中国大陆NAND力量的分量。

一边是技术路线的终局宣言，一边是资本市场的史诗级融资。两条线索指向同一个判断：存储不再是算力的配件，而是AI产业最硬的那块骨头。

一、Hot Chips上的宣言：三星要把DRAM摞到GPU头上

故事要从Hot Chips的演讲台说起。[[Sangwook Han]]代表三星DRAM设计团队公布路线图时，台下的AI芯片架构师们应该都意识到了分量——这不是常规的HBM4、HBM5代际更新，而是对"内存放在计算芯片旁边"这一默认架构的正面挑战。

按wccftech 8月23日的报道，三星给出的zHBM账面数据相当凶悍：相较标准HBM4E，功耗降低70%，DRAM带宽提升230%，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

先把结构讲成人话。今天的HBM由两类芯片组成：

• C-die（核心芯片）：装着DRAM存储单元，最多垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片/Base Die）：垫在整个堆叠底部，负责DRAM控制逻辑，通过PHY物理接口层与GPU通信。

两层之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。整叠HBM再通过2.5D中介层坐在GPU旁边。

产业逻辑很清楚：AI系统的功耗预算正在被"数据搬运"吃掉。GPU算得越快，等数据的空闲就越多，省下的每一瓦搬运功耗都能换回一瓦有效算力。三星宣称的70%功耗降低，本质上是把"内存离计算更近"这件事推到了物理极限——近到两者贴脸堆叠，中间连中介层都不要了。

二、HBM的物理天花板：TSV与PHY的双重锁死

为什么要如此激进？因为传统路线快撞墙了。

先看现状。据Wccftech报道，当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上将带宽翻倍、容量超过60GB。

但带宽扩展正被两道硬约束锁死：一是TSV数量与间距的物理极限——硅片面积就那么大，通孔不能无限加密；二是Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限——底部那层逻辑芯片的引出能力撑不起无限增长的带宽需求。

更微妙的是第三个变量：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。换句话说，HBM的基础芯片正在用上越来越先进的逻辑工艺，它和GPU的距离，从"隔壁工位"变成了"同一条产线"。

这既是挑战，也是三星的切入口——当B-die的工艺能力追上xPU，"为什么不干脆叠上去"就从一个疯狂的问题变成了一个工程问题。

据多位接近人士的说法，三星这版路线图在Hot Chips上放出后，业内讨论的焦点并不是"能不能做到"，而是"良率和散热要烧掉几年"。但方向本身，已经没什么争议了。

三、三阶段路线图：从"抢面积"到取消中介层

三星的路线图分三步走，第一阶段已经落地。

第一步的核心目标，用三星自己的话说，是从xPU那里"抢回"硅面积。三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die，主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——过去B-die用的是相对成熟的中段工艺，现在直接上4nm，意味着存储厂商开始正面参与先进逻辑工艺的竞赛。

后续阶段的公开细节尚待披露，但终点已经写明：zHBM架构下，DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，2.5D中介层整体取消。

这步棋的战略含义，远大于单项参数：

第一，功耗话语权转移。 每模组节省100W、为GPU释放8.3%功率空间，等于把AI服务器的功耗预算表重新洗牌——省下来的电，可以转化为更多算力核心。

第二，封装权力重排。 中介层是当前2.5D封装产业链的咽喉。zHBM一旦成立，中介层环节的价值将被重构，混合键合等堆叠技术的权重陡增。

第三，存储厂商的卡位升级。 如果DRAM能直接长在计算芯片上，存储厂商与AI芯片厂商的协作深度将逼近SoC设计级。谁先跑通，谁就坐上AI内存架构的定义席。

当然，工程幽默一句：把16层DRAM摞在发热大户GPU头顶上，热设计工程师的头发大概会比芯片先掉光。这也是这条路线图真正的胜负手所在。

四、另一条战线：长存控股330亿IPO与NAND的世界第三

视线转回太平洋西岸。8月21日，[[长江存储]]控股股份有限公司（[[长存控股]]）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]，拟募资330亿元——其中208亿元用于长江存储量产线技术升级，122亿元用于研发项目。

这个数字直接刷新了科创板纪录：超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元。

业绩曲线更能说明问题：

2024年扭亏，2025年净利润翻倍，2026年一季度归母净利润333.79亿元——单季净利率约七成，这个数字的构成值得投资人翻开招股书细读，但盈利质量的大方向无疑已经确立。截至2026年3月31日，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元。

技术坐标同样清晰：2022年推出[[Xtacking]]®3.0，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking®4.0，获FMS权威奖项；2025年成为中国大陆为数不多与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

市场地位上，根据[[TrendForce]]数据计算，2026年一季度长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，其已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期产线满产，三期产能建设正在推进。

产业逻辑上，这是一家被制裁环境逼出来的IDM：无法依赖外部代工，反而完成了设计、制造、封装的垂直整合；无法引进最先进设备，反而用Xtacking的架构创新（外层逻辑与存储单元分开加工再键合）改写了3D NAND的堆叠路径。330亿元募资投向量产线技术升级与研发，说明下一阶段的竞争焦点仍是层数、存储密度与I/O速度——以及三期产能的规模护城河。

五、两条路线一个答案：存储正在主导产业定价权

把三星的zHBM和长存的330亿IPO放在同一张桌上，会发现一件有趣的事：HBM和NAND，一个在向计算芯片的中心冲锋，一个在向资本市场的纵深推进，方向相反，逻辑相同。

逻辑是什么？是AI把存储从"成本项"变成了"性能项"。当训练集群的瓶颈从FLOPs转向带宽与容量，谁能定义内存架构（三星的zHBM），谁掌握关键供给（长存的产能与技术），谁就握有定价权。NAND一季度的暴利和HBM的供不应求，是同一枚硬币的两面。

对产业链而言，两个信号各有指向：设备与材料环节要盯住先进逻辑工艺下沉到Base Die、混合键合渗透到3D堆叠的进程；地缘视角则要冷静地看到，专利交叉授权的出现说明中国存储已进入"必须被谈判"的层级，而非单纯被围堵的层级。

小结

三星的zHBM路线图，是把存储推上计算芯片头顶的架构革命；长存的330亿IPO，是中国NAND力量第一次以完整资产负债表面对公众。一个在改写"内存放哪里"，一个在证明"内存值多少钱"。

未来两到三年，值得盯住三件事：zHBM的散热与良率能否兑现那70%的功耗承诺；HBM4E之后TSV与PHY的极限如何被绕开；以及长存三期产能落地后，全球NAND格局是否从"三强"走向真正意义上的"新平衡"。存储的黄金时代，才刚开场。