三星押注zHBM，长存330亿闯关：存储的分岔路口

导语

2025年8月，存储行业讲出了两个截然不同的故事：三星在Hot Chips 2025大会上披露三阶段HBM路线图，终点是取消中介层、把DRAM直接摞在GPU头上的zHBM；而长存控股的科创板IPO获受理，拟募资330亿元刷新纪录，2025年一季度归母净利润高达333.79亿元（来源：上交所披露的招股说明书）。一个是技术叙事的极致化，一个是资本叙事的兑现时刻。存储行业的分岔路口，比任何时候都清晰。

一、Hot Chips上的“抽梯子”：三星要把中介层干掉

故事要从Hot Chips 2025大会讲起。三星DRAM设计团队的Sangwook Han登台演讲，正式披露了HBM演进的三阶段路线图（来源：三星现场演讲材料，经wccftech 2025年8月23日报道）。这个路线图的终点站，是一种叫zHBM的全新架构——把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。

先说HBM是什么。它由两类芯片构成：

• C-die（核心芯片）：包含DRAM存储单元，最多可垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片）：位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY物理接口层与GPU通信；
• 两者之间靠TSV（硅通孔）——一种穿透芯片的垂直导电通道——连接；而整个堆叠目前仍需通过2.5D中介层与计算芯片互连。

据wccftech 8月23日报道，当前HBM4每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。

但带宽不能无限扩张。三星自己点出了两堵墙：TSV数量与间距的物理极限，以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。换句话说，靠“堆得更多、连线更快”这条路，边际收益正在快速衰减。

产业逻辑很直白：当平面和“侧面”的路快走完，就只剩“头顶”可走。三星的三阶段路线图，本质上是把HBM从“挂在GPU旁边的内存”重新定义为“长在GPU上面的内存”。这不是参数升级，而是封装哲学的改写。

二、zHBM的账本：70%降耗、230%带宽，数字背后的取舍

三星给出的账本相当激进（来源：三星Hot Chips 2025演讲材料）。相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现：

这组数字里，最有意思的是最后一条——释放8.3%的功率空间。AI芯片的紧箍咒从来不是晶体管数量，而是功耗墙。把DRAM摞到GPU头顶、缩短数据搬运距离，省下来的每一瓦都可以还给计算核心。对数据中心运营商而言，100W/模组的节省意味着实打实的电费和散热capex。

沿三星给出的演进路径看：HBM4的Base Die引入D1c与4nm逻辑工艺，带宽超3TB/s；HBM4E带宽进入4TB/s区间，TSV与PHY逼近物理极限；HBM5带宽翻倍、容量超60GB；到zHBM，则彻底取消2.5D中介层。

值得注意的是路线图第一阶段的动作：三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die，主要目的是降功耗、缩面积。素材中明确指出，这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点，而B-die与xPU SoC之间的制程代差正在逐代收窄——这既是挑战，也为三星的路线图提供了切入口。

判断是：HBM的竞争主战场正在从“DRAM堆叠层数”转移到“逻辑工艺+先进封装的融合能力”。这意味着存储厂与逻辑代工厂的边界将变得模糊——三星既是DRAM厂又是代工厂，恰好两条腿都有。这也是为什么这条路线图由三星、而非纯存储厂先提出来。

三、另一条战线：长存控股330亿元刷新科创板纪录

把镜头切回国内。2025年8月21日，长江存储控股股份有限公司（长存控股）科创板IPO获受理，拟募资330亿元，其中208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发募投项目。保荐机构为中信证券和中信建投（来源：上交所官网IPO受理公告及招股说明书）。

这个数字的分量在于对比：按招股书披露的拟募资金额计，330亿元超过长鑫科技此前披露的295亿元与中芯国际2020年招股书中的200亿元，是科创板史上拟募资金额最高的项目（需要说明的是，中芯国际当年实际募资因超额配售达532.65亿元，故此处的“纪录”以申报拟募资额口径为准）。

财务面的曲线相当陡峭。招股书显示（来源：招股说明书财务章节）：

需要提醒的是，2025年一季度333.79亿元的归母净利润对应470.42亿元的单季收入，净利率超过70%，明显受益于NAND周期上行阶段企业级产品的量价齐升，能否持续仍需观察。招股书亦披露，截至2025年3月31日，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元。

根据TrendForce数据计算，2025年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2025年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地；二期产线满产，三期产能建设正在推进。

业内私下流传的说法是：存储是个“熬周期”的生意，前十年烧钱换产能，后两年利润一年补回来——长存这份招股书几乎是这句话的标准注脚。从187亿到631亿的年收入跃升，叠加NAND占比始终在75%上下，说明增长的主引擎就是主业的量价共振，而非多元故事。

330亿元的去向同样值得细读：208亿投向量产线技术升级，超过六成资金押在制造端。存储芯片的竞争，说到底是“工艺迭代速度×单位成本”的竞争，募资结构本身就是公司对行业本质的认知声明。

四、从追赶者到路线定义者：Xtacking的三级跳

技术面上，长存控股这份招股书里最有含金量的一段，是Xtacking的三次迭代：

• 2022年，推出Xtacking 3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；
• 2024年，迭代至Xtacking 4.0，获得FMS权威奖项，招股书称其“重塑全球3D NAND技术发展路线”；
• 2025年，成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

这三步的产业含义层层递进。第一步是“追平”——200层俱乐部里有了中国面孔；第二步是“定义”——当你的技术方案被FMS奖项背书、被同行参考，你就从跟随者变成了路线图上的坐标；第三步最关键：专利交叉授权是头部俱乐部的一种身份认证。存储行业的护城河从来不只在fab里，更在专利墙上——能和头部厂商交叉授权，意味着你的专利组合让对方不得不坐到谈判桌前。

判断是：NAND赛道的中国力量已经完成了从“产能追赶”到“技术对话”的切换。这与DRAM侧的格局形成有趣的镜像——三星在HBM上用架构创新摆脱物理极限，长存在NAND上用Xtacking的混合键合思路改写3D堆叠的成本曲线。两者殊途同归：存储的下一程，拼的是架构与封装，而不再只是光刻精度。

五、分岔路口：技术叙事与资本叙事的合流点

把两条新闻放在一起看，会发现它们其实指向同一个终局。

三星的zHBM，是在AI算力饥渴下对“内存墙”的正面强攻——用3D垂直堆叠换取带宽、功耗和功率预算的全面改写，代价是DRAM与逻辑工艺、封装能力的深度耦合，这对设计、制造、封测一体化的能力要求极高，天然利好IDM巨头。

长存的IPO，则是在NAND周期上行的窗口期，用资本市场补足三期产能与技术升级的弹药。商业模式上，它同样是IDM——自研Xtacking、自建fab、直接出货企业级市场。可以说，330亿元募资买的是“在下一轮技术迭代中继续留在牌桌上”的资格。

有意思的是企业级市场这个合流点。素材提到，长存控股的NAND广泛应用于企业服务器、数据中心，且正受益于NAND技术演进带来的企业级场景扩容——而三星的zHBM瞄准的也是同一批客户：AI数据中心。未来存储巨头的估值锚，将越来越取决于它在AI基础设施BOM（物料清单）里占据的位置，而不是消费电子的出货量。

一位接近存储行业的人士的说法虽然朴素但到位：往后看，存储公司要么长成“逻辑+封装+存储”的混合体，要么成为纯粹的成本追随者，中间地带会加速消失。

小结

三星的zHBM路线图宣告HBM竞争进入“取消中介层”的3D时代，DRAM与逻辑工艺的融合将成为分水岭；长存控股以330亿元募资冲刺科创板，则标志着中国NAND力量从追赶转入资本与技术双轮驱动。一西一东，一DRAM一NAND，但方向一致：存储的竞争已从节点微缩转向架构重构与体系化能力。

不过，两条叙事目前都还停留在“预告”而非“兑现”阶段。三星的zHBM距离量产没有明确时间表，中介层的取消意味着DRAM堆叠要直接承受计算芯片的热与应力，工程难度被业内普遍低估；长存的超高利润率则高度绑定NAND周期位置，一旦2026年供给端放量、价格回落，招股书里最亮眼的数字就会变成最脆弱的数字。对读者而言，需要盯住的不是宣称的指标，而是三个可验证的节点：HBM5的量产节奏、zHBM原型在下一届技术会议上的披露深度，以及长存三期产线的实际爬坡曲线和IPO过会后的募资落地进度。分岔路口已经出现，但哪条路走通，要看接下来十二个月里，谁先把叙事变成硅片。

信源与数据说明：本文三星HBM路线图及zHBM指标引自三星Hot Chips 2025大会演讲材料（经wccftech 2025年8月23日报道转述，为厂商宣称值，尚未经第三方验证）；长存控股财务数据与募资用途引自上海证券交易所官网披露的招股说明书；全球NAND排名引自TrendForce 2025年第一季度统计。装饰性流程图已精简，关键数字均已标注一手信源。