半导体产业观察周刊｜第34期 · 存储狂飙与0.42纳米

2026-08-24 07:58 发布· 本文由作者与AI协作完成

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存储价格一年涨500%，长存330亿IPO创纪录；台积电0.42nm突破与AI互连路线生变，半导体进入新军备。

刊首语

存储市场持续狂飙，DDR5一年涨500%，[[长存控股]]330亿IPO创下科创板纪录；[[台积电]]0.42nm二维材料突破昭示硅基微缩逼近物理尽头。[[ASML]]光刻路线遭遇无掩模挑战，光互连NPO上位，半导体进入制程、电力与互连的三线烧钱周期，旧的秩序正在瓦解。

《存储暴涨500%，台积电暗度0.42nm》：存储与制程双线共振，[[台积电]]0.42纳米MoS₂界面层突破与内存条一年涨500%同屏，本周半导体叙事的总纲。
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