三星zHBM掀桌，长存330亿IPO

8月的存储产业像同时开了两个战场。[[三星电子]]在Hot Chips上公开[[zHBM]]路线图，要把DRAM直接垂直堆叠到GPU/TPU上，宣称功耗大降70%；几乎同一时间，[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷出科创板史上最高募资额。一边用架构掀桌子，一边用资本补弹药。核心判断：存储正在从2.5D平面互连走向真3D集成，而中国NAND玩家正把利润窗口转化为资本筹码。

三星扔出zHBM：让DRAM直接“住”在计算芯片上

Hot Chips的会场通常不缺少激进架构，但三星DRAM设计团队负责人[[Sangwook Han]]这次拿出的东西，还是让不少做先进封装的人心头一紧。他没有继续谈HBM4E的小幅迭代，而是直接给出一个叫[[zHBM]]的终点方案：取消2.5D中介层（interposer），把DRAM直接垂直堆叠在[[GPU]]、[[TPU]]等计算芯片上方。

这不是简单的封装优化。三星给出的数据相当激进：相比标准[[HBM4E]]，zHBM可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。换句话说，原来被中介层和接口吃掉的电与面积，被部分还给了计算芯片。

要理解这组数字的分量，得先拆开HBM的现有结构。HBM由两类芯片组成：C-die是真正存数据的DRAM核心芯片，可以垂直堆叠最多16层；B-die是位于堆叠底部的基础芯片，负责DRAM控制功能，并通过PHY物理接口层与GPU等计算芯片通信。C-die与B-die之间靠TSV（硅通孔）垂直连接，而HBM模组与GPU之间，则通常放在一个2.5D中介层上再做互连。

zHBM的名字里，Z代表垂直方向上的彻底打通。它要取消的是那个横在存储与计算之间的中介层。一旦DRAM直接堆在计算芯片上，传输路径变短，接口功耗下降，带宽密度提升。业内私下流传一种说法：如果zHBM在2027-2028年前后落地，2.5D中介层相关的设备与材料订单，可能先于量产出现一波预期调整。这种推演未必立刻成真，但架构变化的杀伤力往往就在“预期”二字。

从产业逻辑看，三星这步棋瞄准的是AI算力芯片最头疼的“内存墙”。当GPU算力每两年翻倍，HBM带宽却受限于封装互连时，把存储从侧翼拉到正上方，是比继续堆层数更本质的解法。这也意味着，存储厂开始侵入系统级封装的地盘。

HBM的物理天花板与三星“抢硅面积”三步走

三星的zHBM不是凭空跳出来的。它背后有一条相当务实的三阶段路线图，关键词是先“抢面积”，再“去中介层”。

当前HBM的带宽扩展撞上两面墙。一面是TSV数量与间距的物理极限：DRAM堆叠层数越高，TSV越密，制造难度和热应力问题越突出。另一面是B-die内PHY接口的I/O数量与速度上限：数据要从DRAM单元出来，经过B-die再跨过中介层进入GPU，链路越长，功耗和信号完整性损失越大。

三星切入的第一阶段，是把先进逻辑工艺引入B-die。它已经把D1c DRAM工艺与[[4nm]]逻辑工艺用于[[HBM4]]的Base Die，目标是降低功耗、缩减有效面积。用大白话说，就是让原本“比较笨重”的基础芯片变薄、变聪明，从计算芯片那里“抢回”一部分硅面积。三星称这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。

第二阶段与第三阶段，三星没有在公开演讲中展开全部细节，但从路线图命名和已披露口径可以推测：逐步把B-die的控制与PHY功能更紧密地融合到计算芯片或DRAM堆叠内部，减少对2.5D中介层的依赖，最终走向zHBM——DRAM直接垂直堆叠在xPU上。

数据上，HBM的迭代节奏很清晰：当前[[HBM4]]每个堆叠带宽已超过3TB/s，[[HBM4E]]进入4TB/s区间，[[HBM5]]则在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。而zHBM相对HBM4E还要再提升230%带宽。注意，这是“相对HBM4E”，不是相对HBM5，可见三星对zHBM的期望是跨代级别的。

从产业逻辑看，三星的路线图实际上在重新定义“存储厂”的边界。过去，DRAM厂做存储，逻辑厂做计算，封装厂做中介层。zHBM把这三层压缩成一层，谁能掌握DRAM工艺、先进逻辑工艺与3D集成能力，谁就能在AI存储里拿到定价权。这也解释了为什么三星要强调D1c与4nm的组合：它要证明自己不是一个只会堆DRAM层的存储公司。

长存控股IPO：单季333亿利润与330亿募资的资本叙事

如果说三星在Hot Chips上的表演是技术侧的重磅，那么8月21日[[长存控股]]的IPO受理，则是资本侧的一次标志性事件。[[科创板日报]]记者[[郭辉]]的报道显示，长存控股拟募资330亿元，其中208亿元用于[[长江存储]]量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。

这个募资额直接刷掉了[[长鑫科技]]的295亿元和[[中芯国际]]的200亿元，成为科创板史上拟募资金额最高的项目。保荐机构是[[中信证券]]与[[中信建投]]，两家头部券商联手保荐，足见项目分量。

真正让市场侧目的，是长存控股的利润表。招股书显示，2023年至2026年一季度，公司主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元和470.42亿元。其中NAND Flash产品销售收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元。更夸张的是归母净利润：2024年扭亏为盈，全年盈利67.71亿元；2025年归母净利润142.11亿元；2026年一季度单季归母净利润高达333.79亿元。截至2026年3月末，累计亏损已大幅收窄至约34亿元。

单季333.79亿利润是什么概念？它已经超过2025年全年利润的两倍，也超过本次IPO募资总额。这种利润爆发，核心来自NAND Flash的涨价周期与出货量增长。根据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

技术底牌也不弱。长存控股2022年推出的[[Xtacking]]3.0技术，使其成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代的Xtacking4.0获得FMS权威奖项；2025年更是成为中国大陆为数不多与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

产业逻辑上，长存选择在这个时点IPO，是典型的“周期高点锁价”。存储是重资产强周期行业，单季333亿利润不会永远持续，但资本市场看的是盈利能力和产能后劲。330亿募资中约63%投向量产线技术升级，说明长存不是简单拿钱扩产，而是要借利润窗口把制程和产能效率再拉一个台阶。截至2026年3月末，二期生产线已经满产，三期产能建设正在推进。对投资者来说，这是一场用NAND涨价周期换技术升级时间的交易。

存储双线作战：HBM军备竞赛与NAND的中国变量

把三星zHBM和长存IPO放在一起看，会发现它们其实是同一条产业逻辑的两面：AI吃掉一切存储，而存储的供给端正在分层。

三星的zHBM瞄准的是AI训练与推理中最高价值的“近存”环节。当[[HBM5]]把带宽翻倍、容量拉到60GB以上，仍不能满足GPU对内存带宽的胃口时，就必须从架构上动手。zHBM取消2.5D中介层，把DRAM直接压在计算芯片上，本质是把存储从“隔壁仓库”变成“楼上仓库”。这不仅是三星一家的事：一旦这条路线被验证，HBM的竞争会从堆叠层数转向3D集成能力，2.5D先进封装环节将面临价值重估。

长存控股的IPO，则代表NAND Flash这一大容量存储战场的中国变量。2026年一季度，长存的NAND Flash收入已经达到452.38亿元，超过2023年全年。这背后是企业级服务器、数据中心对NAND的持续吞噬。更重要的是，长存通过Xtacking架构在200层以上3D NAND上实现了技术领先，还与国际头部厂商达成专利交叉授权。换句话说，中国NAND厂商第一次在技术路线和专利筹码上，都拿到了全球牌桌的入场券。

有长期跟踪存储设备的产业人士私下说，三星zHBM路线图如果2027-2028年落地，2.5D中介层相关设备订单可能先于量产出现波动；而长存的三期产能一旦爬满，NAND的全球价格弹性会进一步向中国厂商倾斜。这些判断未必精准，但方向感很明确：存储的地缘与技术竞争，已经从单点突破进入系统战阶段。

从地缘视角看，三星的zHBM是韩国存储巨头在AI存储上的一次“防守反击”，要巩固其在HBM高端市场的地位；长存IPO则是中国存储产业在NAND领域的一次“资本亮相”，用利润与产能证明自己不是周期过客。两者的共同点在于：存储的胜负手，正在从单纯的技术参数，变成架构定义权与资本续航力的综合比拼。

从2.5D到真3D：存储的垂直整合会引爆什么

存储产业过去十年的演进，大致是两条线：DRAM向上堆层数，NAND向3D堆叠层数要密度。三星zHBM和长存IPO，分别把这两条线推向更极端的垂直整合。

zHBM的出现，意味着DRAM不再只是被动响应计算芯片的存储单元，而是成为计算芯片正上方的主动集成层。它要吃掉原来属于2.5D中介层、B-die PHY甚至部分封装的功能。这对产业链的影响是连锁式的：如果DRAM直接堆叠在GPU上成为主流，2.5D中介层的面积需求可能下降，而晶圆级混合键合、TSV工艺、热管理材料的价值会上升。换句话说，不是封装不重要了，而是封装被重新分配到晶圆制造和存储工艺内部。

长存IPO的330亿募资，同样指向垂直整合：208亿投入量产线技术升级，而不是单纯买设备扩产能。这说明长存想把NAND的制程迭代速度与产能爬坡能力绑定，用更先进的3D NAND层数和更高效的产线，拉大与追赶者的距离。NAND Flash的技术竞赛远未结束，200层以上之后，层数、密度、I/O速度的竞争还会继续，而资本就是这场竞赛的燃料。

回到投资与产业判断，三星zHBM目前仍是路线图，真正量产还需跨越热管理、良率、测试等多道关卡；长存IPO还要经历问询、注册、发行等流程。但方向已经很难逆转：存储正在从“平面互连”走向“真3D集成”，从“单一器件”走向“系统底座”。未来两三年，谁能把DRAM、NAND与逻辑芯片的边界重新画一遍，谁就能在AI时代定义存储的下一张版图。

小结

三星用zHBM把DRAM从2.5D侧翼拉到计算芯片正上方，长存用330亿IPO把中国NAND送上资本牌桌。两件事同时发生，不是巧合，而是存储产业进入“架构+资本”双周期共振的信号。对产业链而言，zHBM威胁的是中介层与封装旧秩序，长存IPO强化的是NAND供给新变量。存储的下一个分水岭，不在层数，而在谁能把存储真正“叠”进系统。