三星zHBM亮剑，长存330亿补血

导语

[[三星]]在Hot Chips上甩出一张“DRAM直接上GPU”的路线图，同周长存控股330亿元IPO获受理。一边是[[zHBM]]要拆掉2.5D中介层，把存储和计算芯片垂直焊死；另一边是中国NAND玩家用[[Xtacking]]堆出全球第三，2026年Q1单季净利333.79亿元。存储业的竞争，正从平面制程转向立体堆叠，从技术路线转向资本开支。本文拆解两条线：三星的三阶段HBM路线图，以及长存IPO背后的存储资本战争。

三星的三阶段HBM：从B-die抠面积，到zHBM拆中介层

在Hot Chips演讲台上，[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]正式披露了HBM演进的三阶段路线图。多位参会者私下说，三星这次把zHBM端上台面，明显是要在HBM叙事上夺回主动权——过去两年[[SK海力士]]在AI存储上出尽风头，三星需要一个新故事。

传统HBM由两类芯片构成：C-die（核心DRAM存储单元，最多堆叠16层）和B-die（Base Die，负责DRAM控制、PHY物理接口，与GPU等计算芯片通信）。两者通过TSV硅通孔垂直连接，整个HBM堆叠再通过2.5D硅中介层与GPU并排封装。当前[[HBM4]]单堆叠带宽已超3TB/s，[[HBM4E]]向4TB/s迈进，[[HBM5]]则要在HBM4基础上带宽翻倍、容量超60GB。但带宽再往上走，两道物理墙越来越近：TSV数量与间距逼近极限，Base Die内部PHY的I/O数量和速度也到顶。

三星第一阶段的核心，是从计算芯片那里“抢回”硅面积。三星已经把D1c DRAM与4nm逻辑工艺导入HBM4的Base Die。这步看似只是换了个底座工艺，本质上却是让存储芯片的底座逻辑化——用先进逻辑工艺做Base Die，面积更小、功耗更低。据Wccftech报道，终极的zHBM方案宣称相比标准HBM4E可实现：功耗降低70%、DRAM带宽提升230%、每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

产业逻辑上，三星第一阶段看似保守，只改Base Die工艺，但正是这一步把存储芯片的底座从DRAM工艺硬拉到4nm逻辑工艺，为后面取消中介层、直接堆叠DRAM到xPU上铺路。判断：zHBM不是渐进式改良，而是架构跳跃——DRAM从“旁边的高速缓存”变成“计算芯片头上的主存”，物理距离从毫米级缩到微米级。但散热、信号完整性、热膨胀系数失配、测试良率都会成为天堑。短期zHBM的良率会非常难看，但方向已经清晰：HBM从2.5D走向3D，中介层的地位可能被逐步削弱。

zHBM的真实意图：存储与逻辑制程融合，先进封装变天

取消2.5D中介层，把DRAM直接堆叠在GPU上，听起来像把内存颗粒直接焊在计算芯片天灵盖上。据多位接近封装设备供应商的人士私下说，这种结构对混合键合和TSV的对准精度要求远超当前HBM，热膨胀系数失配会要人命。但这些工程难题背后，藏着三星更大的企图。

传统HBM与xPU并排放在硅中介层上，数据通过中介层横向传输，互连距离长、功耗大。zHBM垂直堆叠后，互连距离从毫米级降到微米级，所以三星敢喊出功耗降70%、带宽升230%。三星在演讲中强调，B-die与xPU SoC之间的制程代差正在逐代收窄，这为zHBM提供了切入口。三星已经把4nm逻辑工艺导入Base Die，意味着存储厂开始掌握逻辑芯片级别的设计和制造能力，这是一个危险又性感的信号。

产业逻辑上，zHBM若成立，2.5D先进封装（类似[[台积电]]CoWoS）在高性能计算特定场景的需求会被分走一部分，而TSV、混合键合、临时键合、背面供电等设备与材料需求会大幅上升。与此同时，[[SK海力士]]与台积电在HBM和先进封装上绑定极深，三星绕开中介层，本质上是想用垂直集成绕开“逻辑代工+封装代工”的联盟。判断：未来存储厂、逻辑厂、封装厂的界限会进一步模糊，zHBM可能催生新的设备材料供应商，也可能让老玩家重新洗牌。三星把zHBM端上台面，不是发布产品，而是在重写HBM的游戏规则。

长存控股IPO：330亿补血，NAND的中国式逆袭

8月21日，科创板受理[[长存控股]]IPO，拟募资330亿元。消息一出，存储人的朋友圈被“Q1净利333.79亿”刷屏。有投资人私下感慨，一家存储厂单季赚出A股很多公司一年的利润，存储周期真疯起来不讲道理。

招股书显示，长存控股2023年至2026年Q1主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元；归母净利润2024年扭亏为盈67.71亿元，2025年142.11亿元，2026年Q1高达333.79亿元。单季净利是2025年全年的2.35倍。累计亏损从最高峰大幅收窄至约34亿元。根据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月长存控股在全球NAND Flash厂商按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。

技术面上，长存控股2022年推出[[Xtacking]] 3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业；2024年迭代Xtacking 4.0，获得FMS权威奖项；2025年成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。目前二期生产线已经满产，正在推进三期产能建设。330亿募资中，208亿元用于量产线技术升级，122亿元用于研发相关项目。

产业逻辑上，单季净利率约71%，不能全归因于技术突破，NAND Flash涨价周期是重要推手。但长存能接住这波周期，靠的是企业级SSD放量和Xtacking架构带来的成本优势。330亿创科创板纪录，超过[[长鑫科技]]的295亿元和[[中芯国际]]的200亿元，说明资本市场对存储IDM的定价逻辑变了：不再是单纯烧钱，而是高利润、高壁垒、战略安全。但也要警惕，存储周期波动剧烈，产能扩张需匹配需求，否则2027年价格雪崩不是开玩笑。长存IPO不只是一次融资，它把中国NAND从“追赶者”推到了“全球供给关键变量”的位置。

立体战争：HBM与NAND的资本开支竞赛，地缘格局

三星在Hot Chips讲zHBM，长存在科创板递表，两条新闻看似无关，实则是存储业同一个趋势的两面：3D堆叠成为技术主线，资本开支成为生存底线。有设备商朋友说，现在存储厂开会，三句话不离“堆叠层数”和“资本开支”。

HBM依赖DRAM的TSV堆叠，NAND靠Xtacking/3D NAND层数竞赛。三星zHBM宣称每DRAM模组省100W，直指AI数据中心电费痛点；长存Q1营收470亿元，全年大概率破1500亿元，三期产能建设是吞金兽。长存330亿募资中208亿用于量产线技术升级，说明现有产线升级比新建更急迫——这背后是NAND层数从200+向300+甚至400+迈进，设备精度要求陡增。三星zHBM若成功，AI存储门槛进一步抬高，中国厂商在HBM领域短期难追；但在NAND领域，长存已经证明可以靠架构创新实现全球第三。

地缘视角下，美国对先进存储设备有出口限制，但长存通过Xtacking架构创新和专利交叉授权部分缓解了合规风险。三星zHBM路线图也暗含地缘信号：当DRAM可以直接堆叠在计算芯片上，HBM的供应链将更高度集中在少数拥有逻辑+存储+先进封装能力的巨头手中。中国在NAND战场有了一席之地，但在HBM战场仍是看客。不过，长存募资扩产和国产设备渗透，可能在未来3-5年缩小差距。

小结

三星zHBM把DRAM垂直堆到计算芯片上，长存IPO用330亿继续堆NAND层数，存储业的立体战争已从技术延伸到资本。前瞻：未来12个月，看三星zHBM能否从路线图走向工程样品，看长存三期产能爬坡和HBM国产化进度。存储业的竞争逻辑，已经变成“谁能在3D堆叠的每一层里抠出功耗、面积和良率，谁就能活到下一个周期”。