一个季度赚333亿，存储终于上桌了？
长存控股科创板IPO拟募资330亿刷新纪录，三星在Hot Chips抛出zHBM三阶段路线图。NAND与DRAM两条战线同时指向3D堆叠的终极形态：存储不再围绕计算芯片转，而是计算芯片开始围着存储改设计。
一个季度赚333亿，存储终于上桌了？
导语
八月的半导体圈，两条新闻看似无关，其实指向同一件事：存储的地位正在被重估。
一边，长江存储控股（下称长存控股）科创板IPO获受理，拟募资330亿元刷新科创板纪录，2026年一季度归母净利润高达333.79亿元；另一边，三星在Hot Chips大会上抛出zHBM三阶段路线图，要把DRAM直接垂直堆在GPU上，掀掉2.5D中介层。
一句话判断：存储不再只是芯片旁边的配件，它开始改写整个芯片的架构逻辑。
📈 一季度净利333亿，这是什么概念
先看一组让同行沉默的数字。
长存控股招股书显示，2023年至2026年一季度，公司主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元。其中NAND Flash产品收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元——单季度NAND收入452亿，几乎追平2023年全年。
| 报告期 | 营业收入（亿元） | NAND Flash收入（亿元） | 归母净利润（亿元） |
|---|---|---|---|
| 2023年 | 187.47 | 141.02 | 亏损 |
| 2024年 | 452.03 | 398.80 | 67.71 |
| 2025年 | 631.85 | 566.60 | 142.11 |
| 2026年Q1 | 470.42 | 452.38 | 333.79 |
2024年扭亏，2025年净利翻倍，2026年一季度单季净利333.79亿元——按470.42亿的营收粗算，净利率超过七成。即便考虑到企业级存储涨价周期的加持，这也是存储行业教科书级别的盈利曲线。截至2026年3月末，公司累计亏损已收窄至约34亿元，基本可以宣告历史包袱出清。
市场地位同样硬：根据TrendForce数据计算，2026年一季度，长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名均列全球第三、中国第一。
这次的IPO拟募资330亿元，其中208亿元投向长江存储量产线技术升级，122亿元投向研发。这个数字超过了长鑫科技的295亿元和中芯国际的200亿元，是科创板史上拟募资最高的项目。保荐机构为中信证券和中信建投。
据接近投行的人士透露，330亿的规模在受理前内部就引发过讨论——「这个体量，已经不是融资，是给产能三期定价。」目前公司二期产线已满产，三期产能建设正在推进中。
产业逻辑很清晰：NAND的技术和资本门槛已经高到只有少数玩家能留在牌桌上，而长存控股用三年时间从亏损走到单季333亿净利，完成了从「追赶者」到「定价参与者」的身份切换。上市融资本质上是为下一轮技术竞赛储备弹药。
🔋 三星的野心：把内存摁到GPU头顶上
金句开场：真正的架构革命，往往从「取消一个零件」开始。
同期的Hot Chips大会上，三星DRAM设计团队的Sangwook Han发表演讲，正式披露了HBM演进的三阶段路线图。终点是一个新名词：zHBM——把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层。
要理解这件事的分量，得先看懂现在HBM的构造。当前的HBM由两类芯片组成：
- C-die（核心芯片）：包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；
- B-die（基础芯片）：位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY物理接口层与GPU通信。
两者之间靠TSV硅通孔连接——穿透芯片的垂直导电通道。而整个HBM要通过2.5D中介层「抬」到GPU旁边。
三星给出的账面数据相当激进：相较标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。
| 指标 | zHBM相对HBM4E的变化 |
|---|---|
| 功耗 | 降低70% |
| DRAM带宽 | 提升230% |
| 单DRAM模组功耗 | 节省100W |
| GPU可用功率空间 | 释放8.3% |
背景是HBM的带宽竞赛已经摸到物理天花板：当前HBM4单堆叠带宽超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5计划在HBM4基础上带宽翻倍、容量超60GB。但两条硬约束挡在路上——TSV数量与间距的物理极限，以及B-die内PHY接口的I/O数量与速度上限。
三星的解法不是把墙推得更高，而是把墙拆掉：既然数据搬运的「过路费」（中介层+PHY+TSV）越来越贵，那就让DRAM和计算芯片直接面对面。
💡 两条战线，同一个词：3D堆叠
有意思的是，把三星和长存的路线图并排看，你会发现全球存储头部厂商都收敛到了同一个技术方向上。
三星第一阶段的核心，是给HBM4的B-die用上D1c工艺和4nm逻辑工艺——主要目的是降功耗、缩面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。用一位设备厂商工程师私下的话说，「B-die正在变得不像DRAM芯片，更像一颗逻辑芯片。」
而长存控股的Xtacking®技术，走的正是同构异曲的路：早在2022年推出Xtacking®3.0时，就已成为全球首批推出200层以上3D NAND的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking®4.0，拿下FMS权威奖项，重塑了全球3D NAND的技术发展路线。
Xtacking 3.0 突破200层
Xtacking 4.0 获FMS奖项
与国际头部厂商专利交叉授权
IPO受理 拟募资330亿
两者的产业逻辑高度一致：存储器的下一场竞赛，不再是「把存储单元做小」，而是「把存储、逻辑、接口在三维空间里重新排布」。
这意味着存储厂必须掌握越来越强的逻辑工艺能力（三星的4nm B-die），也意味着未来的AI芯片设计必须从存储的视角重新规划功率预算与布局——三星那个「为GPU释放8.3%功率空间」的说法，翻译过来就是：过去是计算芯片定义内存规格，未来内存的架构会反过来定义计算芯片的设计边界。
这背后还有一个容易被忽略的信号：长存控股2025年成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。交叉授权意味着什么？意味着你在3D NAND的某些关键节点上，已经拥有对方绕不开的专利筹码。存储行业几十年来「专利墙」的攻守态势，第一次出现了方向性变化。
⚠️ 冷静一点：愿景与量产之间隔着什么
当然，路线图不等于产品，PPT不等于良率。
三星的zHBM是三阶段路线的终点，当前落到实处的只是第一阶段——D1c与4nm逻辑工艺进入HBM4的B-die。把DRAM堆在计算芯片上，意味着热管理、测试修复、键合精度全部要重新发明，那是一条没有前人踩过的工程路径。多位接近设备供应链的人士反馈，混合键合相关的新增工艺步骤，「每一道都是钱」。
长存控股这边，挑战同样现实：330亿募资中的208亿投向「量产线技术升级」，说明即便是全球第三，产能与工艺升级仍是烧钱主战场。企业级市场的高景气能否持续、NAND价格周期何时反转，都会直接影响这份利润表的可持续性——七成净利率显然是周期高点下的产物，而非稳态。
但方向性判断不受影响：存储行业正在经历一次价值重估。过去它被当作强周期的「大宗商品」交易，现在它既是AI算力的瓶颈资源（HBM），又是数据中心容量的战略底座（企业级NAND），技术上还站在3D异构集成这条主航道上。资本市场的态度已经说明了问题——330亿的科创板纪录，就是市场给存储行业投的信任票。
小结
三星要把DRAM摁到GPU头顶，长存控股要用330亿继续堆层数，两条战线殊途同归：3D堆叠时代，存储第一次获得了重新定义芯片形态的话语权。
对产业观察者来说，接下来值得盯三个信号：三星zHBM路线图从PPT走向工程验证的进度；HBM4 B-die逻辑工艺融合的良率表现；以及长存控股上市后三期产能与Xtacking®下一代技术的落地节奏。存储上桌了，接下来轮到谁让座？