存储芯片设备芯片设计评论分析· 3764 字· 约7分钟阅读

内存咋就成了AI机柜里最贵的零件?

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AI编辑团队AI 原创内容
2026-09-24 22:29 发布· 本文由作者与AI协作完成
本内容由人工智能生成,仅供研究参考,不构成投资建议。
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从英伟达Vera Rubin机柜涨价15%、内存占BOM升至26%,到苹果罕见签下不设价格上限的NAND长协,再到ASML High NA EUV联盟拉入存储厂商,一条主线清晰浮现:议价权正从算力侧滑向存储与设备侧。本文拆解数据、梳理产业链逻辑,判断存储叙事如何改写AI硬件的成本结构。

一台AI机柜5300万元,最贵的不是GPU,而是内存。

9月的第一周,三条看似不相关的消息撞在了一起:英伟达通知客户2027年系统涨价超15%;苹果罕见签下不设价格上限的NAND长协;阿斯麦拉上台积电、三星电子、英特尔为High NA EUV护航。把三块拼图合起来看,答案只有一个——存储,正在接管这场AI盛宴的成本话语权。

💰 一柜5300万,内存偷了GPU的风头

涨价的公司千千万,敢提前一年半通知客户涨价的,只有一家。

9月9日消息,英伟达CEO黄仁勋已通知客户,2027年搭载Vera Rubin和Grace Blackwell芯片的服务器价格将上涨超过15%,收件人名单里有微软和谷歌。涨价的核心推手,不是流片费,不是先进封装,而是HBM4和LPDDR5X内存价格的持续飙升。

一台Vera Rubin NVL72机柜到底值多少钱?外媒按零组件做了拆解:单台造价780万美元,约合人民币5300万元——几乎是当前GB300 NVL72机柜(约400万美元)的两倍。Bernstein的测算更激进:算上HBM4和LPDDR5X的同步上涨,单柜造价已被拉高至910万美元,折合人民币6103万元。

彭博社的清单更有意思,我们把它整理成表:

零组件造价(美元)折合人民币
72颗Vera GPU396万2665万元
内存/存储200.16万1347万元
其他网络设备57.6万388万元
Vera CPU(36颗)18万121万元
NVLink 6交换机14.4万97万元
印刷电路板11.7万79万元
电源供应器7.6万51万元
散热7.2万48.5万元
ABF载板2万13.5万元
MLCC/被动元件43202.9万元

最扎眼的数字藏在比例里:内存成本已占整机物料清单的26%,而Grace Blackwell时代这一比例仅为9%。一代产品的功夫,存储从配角熬成了第二主角,而被动元件总共才2.9万元,连内存的零头都不到。

pie title Vera Rubin机柜成本构成

GPU : 50

内存存储 : 26

网络设备 : 9

CPU : 2

供电散热结构件 : 13

业内对这轮涨价的评价很直白:AI是一场巨额投资,只有一路向前,没有回头路。据多位接近人士的说法,英伟达敢涨价,正是因为大家都离不开它——而真正撑起这份底气的,是下游云厂商对HBM4的疯抢。

📈 苹果低头:不封顶的长协意味着什么

全球最强势的采购方开始让渡议价权,这比任何涨价函都更有信号意义。

9月7日媒体报道,苹果近期或已就NAND闪存供应签订长期供货协议(LTA)。交易对手、供货量与定价条款均未披露,但市场人士普遍判断,最可能的供应方是日本闪存制造商铠侠——它本就是苹果NAND的核心供应商。更罕见的是两个条款:协议期限可能长达三至五年,且不设价格上限。

要理解这有多反常,得回到苹果的采购文化。这家公司过去在存储上惯用短期议价、多源比价,凭采购量把价格压到行业最低。如今主动放弃这份筹码,在业内看来近乎"行为艺术"。转折其实早有铺垫:今年2月就有报道称,苹果同意自1—3月季度起,将从铠侠采购的NAND单价上调约一倍,合约改为按季随行就市。

苹果不是一个人在"让步"。此前行业内的多年期长协主要集中在HBM领域,SK海力士在与客户签订的长协中,就允许合约价随现货价格充分上浮——市场一旦走高,成本压力主要由买方承担。此次模式延伸到NAND,且由苹果亲自示范,含金量完全不同。

压力最终会传导到产品端。TrendForce预计,256GB版iPhone 18 Pro在2026年第三季度的存储成本将比一年前高出近四倍,新机售价预计上涨10%至20%,苹果只能自行消化一部分涨幅来守住份额。苹果首款折叠屏机型同样承压:三星电子与SK海力士合计供应该机型12GB LPDDR5内存的70%、NAND的45%,其余由美光科技供应,起售价预计在2099至2299美元之间,高配版本或超3000美元。

一句话总结这节:当买家开始抢着锁量,说明定价权已经易手。

🔁 产能天平:HBM吃掉了通用存储的粮

存储厂不是在涨价,是在重新分配产能。

为什么NAND和LPDDR突然紧张?供给端的解释很清楚:眼下HBM与服务器DRAM需求高涨,原厂产能大量向其倾斜,包括LPDDR在内的通用型DRAM供应随之趋紧。HBMdie来自同一批DRAM产线,每多堆一层堆叠,通用内存就少一批货——这是一道简单的算术题,只是过去没人愿意算给苹果看。

卖方的策略也在系统性转向长协。整理一下时间线:

  • 2026年2月:媒体报道苹果同意铠侠NAND单价上调约一倍,合约改为按季调整
  • 2026年7月:媒体报道SK海力士长协允许合约价随现货充分上浮
  • 2026年9月:苹果被曝签下三至五年NAND长协,不设价格上限
  • 2028年(目标):铠侠核心客户长协锁定量提升至出货量50%
  • 规划中:三星电子以长期合约覆盖总产能的60%至70%,生产端保留弹性

这张闭环图揭示了当下存储产业的运转方式:原厂把最好的产能喂给AI,用涨价和长协把周期波动的风险转移给买家,换来的是资本开支的确定性和利润结构的重塑。对存储厂而言,这是几十年来第一次在客户面前挺直腰杆;对铠侠这样长期在盈亏线附近徘徊的玩家来说,铠侠在2026财年第一财季财报中把长协列为战略重点,本身就是一种姿态宣示。

下一个悬念是:苹果会不会把长协策略延伸到移动DRAM?由于HBM挤占产能,围绕未来iPhone所需的LPDDR5X和LPDDR6,苹果很可能与三星电子、SK海力士及美光科技追加签约。手机端的存储通胀,可能才刚刚开始。

🔬 光刻机这边:High NA联盟里第一次有了存储厂

设备端的每一步技术定义,都在为存储的长期紧张埋下伏笔。

9月8日,阿斯麦一天连发三条公告,宣布与台积电、三星电子及英特尔推进下一代高数值孔径(High NA)极紫外光刻技术应用。三家给出的时间表各有看点:台积电计划自2030年起将High NA用于先进制程大规模生产;三星电子计划2028年前首次将High NA用于DRAM大规模生产;英特尔则表示已处理超过100万片High NA EUV相关技术的晶圆。

这次合作真正的技术焦点是掩模。三星回应称,合作旨在推动12英寸光掩模技术,以取代使用几十年的6英寸光掩模格式。背景是:现行EUV设备单次曝光面积约为800平方毫米,英伟达、谷歌等设计的芯片已经摸到这个极限——要知道12英寸晶圆有效作业面积有70000平方毫米左右。High NA虽然能打印更精细的图案,但目前掩模更小,曝光尺寸上限反而更紧。阿斯麦计划升级更大尺寸掩模,2031年前展示配备大掩模的试点生产线,2033年实现量产能力。ASML首席技术官Marco Pieters放话:如果成功,整个行业的系统产能将提升40%。

对本文主题而言,最值得玩味的是SK海力士的最新声明:公司正在评估是否参与该联盟,以推进12英寸掩模的引入,目标是2028年将High-NA EUV应用于DRAM大规模生产。

这是存储厂第一次如此深度地介入光刻技术的早期定义。过去设备路线图由逻辑大厂主导,存储厂跟随导入;现在三星和海力士抢着把High NA塞进2028年的DRAM产线,等于把"存储长期紧张"的判断写进了未来五年的资本开支里。设备、材料、存储、代工四方联盟成型,AI基础设施的供给侧从此互相绑定。

小结

把三条新闻串起来,2026年9月这个节点非常清晰:算力侧在涨价,存储侧在锁量,设备侧在画饼——而三者的交汇点都是同一个判断:AI需求不会回头。内存占BOM从9%涨到26%,苹果签下不设上限的长协,存储厂挤进光刻联盟,本质上是同一件事的三个切面:议价权完成了从算力向存储的交接。往后看,值得盯住三个变量:HBM4产能爬坡是否兑现、苹果是否把长协延伸到LPDDR、以及12英寸掩模能否按2033年的时间表落地。存储的黄金年代,可能比所有人预想的都长。

本文数据来自彭博社、财联社等公开报道及TrendForce、Bernstein测算,不构成投资建议。