存储的黄金时代:从三星zHBM到长存330亿IPO
三星在Hot Chips披露三阶段HBM路线图,终点是取消中介层、将DRAM直接堆叠在计算芯片上的zHBM;同期长存控股科创板IPO获受理,拟募资330亿元刷新纪录。本文拆解HBM的物理瓶颈、存储价值重估与地缘棋局。
导语
八月的半导体圈,两条新闻几乎同时落地:一头是[[三星]]在[[Hot Chips 2026]]大会上甩出三阶段HBM路线图,终点是一种叫zHBM的架构——把DRAM直接垂直堆到GPU脑袋上;另一头是[[长存控股]]科创板IPO获受理,拟募资330亿元,刷新科创板历史纪录。
一西一东,一技术一资本,指向同一个判断:存储,正在从AI时代的配角,走到舞台正中央。
一、Hot Chips上的一颗“炸弹”:把DRAM焊到GPU头上
先说场景。[[Hot Chips]]历来是芯片架构师们的“年度茶话会”,各家拿出来的一般是PPT层面的前瞻。但今年[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]登台后,台下坐着的GPU厂商高管们大概没那么轻松了。
三星公布的,是一份HBM演进的三阶段路线图。终点站叫zHBM:将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上,彻底取消2.5D中介层(interposer)。
这组数字值得逐条品味。据wccftech 2026年8月23日报道,相较于标准HBM4E,zHBM方案宣称:
- 功耗降低70%;
- DRAM带宽提升230%;
- 每个DRAM模组节省100W功耗;
- 为GPU释放8.3%的额外功率空间。
需要说明数据口径:上述四项数字均出自三星在Hot Chips 2026会议上公开披露的会议材料,wccftech、Tom's Hardware等海外媒体于8月23日前后先后报道,相互印证的均为三星官方宣称值——对比基准是标准HBM4E方案,属架构设计与仿真推演结果,尚无第三方实测数据,最终量产表现仍需观察。
翻译成人话:AI芯片最大的两块成本——电费和面积,zHBM声称都能省下可观的一块。对数据中心的运营者而言,8.3%的功率空间意味着同等供电预算下可以再多点亮几颗GPU,这比任何架构白皮书都更有说服力。
换个角度看这组宣称值的意义:三星这不是在改良HBM,而是在重新定义HBM和计算芯片的关系——从“邻居”变成“上下铺”。当然,宣称值与量产落地之间隔着良率、散热与封装工艺三道坎,这也是所有竞品同样要面对的。
产业逻辑也很清晰:当摩尔红利放缓,系统级的创新只能靠“贴得更近”来换取带宽和能耗。三星把宝押在了“垂直”这个方向上。
二、带宽的物理天花板:TSV、PHY与那层中介层
要看懂zHBM为什么“非做不可”,得先明白今天的HBM卡在哪。
目前的HBM由两类芯片构成:
- C-die(核心芯片):包含DRAM存储单元,可垂直堆叠最多16层;
- B-die(基础芯片/Base Die):位于堆叠底部,负责各类DRAM控制功能,并通过PHY(物理接口层)与GPU等计算芯片通信。
两层之间靠TSV(硅通孔)连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。整个结构再通过中介层与计算芯片相连。
按代际看,带宽的爬坡速度惊人(代际参数综合三星、SK海力士公开路线图及TrendForce 2026年发布存储行业报告,口径为单堆叠带宽):
| 代际 | 带宽水平 | 备注 |
|---|---|---|
| HBM4 | 单堆叠超3TB/s | 当前主力 |
| HBM4E | 推进至4TB/s区间 | 三星zHBM对比基准 |
| HBM5 | 较HBM4带宽翻倍 | 容量超60GB |
但物理规律不答应。带宽持续扩展面临两大硬约束:TSV数量与间距的物理极限,以及Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。通俗地说,就是“针脚不能无限加密度,接口不能无限提速率”。
与此同时,一个微妙的趋势是:B-die与计算芯片(xPU SoC)之间的制程代差正在逐代收窄。B-die正在用上4nm级别的逻辑工艺,这与GPU大芯片的距离越来越近——这既是挑战,也为三星的路线图提供了切入口。
三星路线图的第一阶段,核心目标是从xPU那里“抢回”硅面积:已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die,主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。
值得玩味的是竞争焦点的迁移:过去各家拼的是堆层数,现在拼的是谁家的Base Die逻辑工艺更先进。HBM的军备竞赛,已经从存储卷到了逻辑——这也解释了为什么三星把路线图的终点设在“取消中介层”上:那层中介层,正是存储与计算之间最后一堵物理的墙。
三、另一条战线:长存控股330亿刷新科创板纪录
镜头转回国内。2026年8月21日,[[长江存储控股股份有限公司]](下称[[长存控股]])科创板IPO获受理(受理信息可在上交所官网发行上市审核项目动态中查证),拟募资330亿元,其中208亿元用于长江存储量产线技术升级项目,122亿元用于研发相关募投项目(208+122=330,与募资总额口径一致)。保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]],均已在受理公告中披露。
这个数字有多重?横向一比就知道(以下金额均以上交所及各公司招股文件公开披露口径为准):
| 科创板IPO | 拟募资金额 |
|---|---|
| 长存控股 | 330亿元 |
| 长鑫科技 | 295亿元 |
| 中芯国际 | 200亿元 |
长存控股刷新了科创板史上拟募资金额的最高纪录。
募资用途的分配也值得细看:208亿投向量产线技术升级,占比约63%——说明产能与技术迭代仍是第一优先级;122亿投向研发,呼应其技术追赶的态势。
财务面上,这家公司正处在陡峭的增长曲线上:
| 报告期 | 营业收入(亿元) | 其中NAND Flash收入(亿元) | 归母净利润(亿元) |
|---|---|---|---|
| 2023年 | 187.47 | 141.02 | 亏损 |
| 2024年 | 452.03 | 398.80 | 67.71 |
| 2025年 | 631.85 | 566.60 | 超142.11 |
| 2026年一季度 | 470.42 | 452.38 | 333.79 |
“数据口径说明:2023—2024年数据引自招股说明书申报稿中的经审计财务数据;2025年度数据为招股书披露口径(以经审计数为准);2026年一季度数据未经审计。所有财务数据最终以交易所问询回复及正式披露文件为准。
三年时间,营收从187亿冲到631亿,2024年扭亏后盈利快速抬升;截至2026年3月31日,累计亏损已大幅收窄至约34亿元。一个季度470亿营收、333亿归母净利润——净利率水平极为亮眼,超出存储行业常态,其构成细节(包括产品组合、价格弹性与一次性损益的影响)值得投资者在后续问询中持续追问。
市场地位上,根据[[TrendForce]]发布的2026年第一季度全球NAND Flash品牌厂商排名数据测算(口径:销售金额与出货量,统计周期2026年1-3月),长存控股按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末,公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地,二期产线满产,三期产能建设正在推进(产能数据引自招股说明书申报稿)。
四、价值重估:存储从周期品变成AI“卖铲人”
把两条新闻放在一张桌子上看,才能看清这轮存储行情的本质。
过去二十年,存储在半导体产业链里的角色近乎“周期品”:扩产—过剩—杀价—去库存,周而复始。但AI改变了一件事——带宽成了稀缺资源。HBM在HBM4上单堆叠超3TB/s、HBM4E奔向4TB/s,每一代的带宽翻倍,背后都是存储厂商在架构、封装、逻辑工艺上的真金白银。
当存储的技术含量从“堆层数”升级为“堆系统架构”,其定价权和利润结构也随之改变。三星敢在zHBM上喊出70%功耗降低,前提是它把DRAM设计和先进逻辑工艺捏在了一起——这种能力壁垒,恰恰是超额利润的来源。
国内这条线同样在验证这个逻辑。长存控股的技术叙事相当硬核:2022年推出[[Xtacking]]®3.0,成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业,实现国内存储技术首次领先世界先进水平;2024年在[[FMS]](未来存储峰会)上,Xtacking®4.0迭代并获得FMS权威奖项,重塑全球3D NAND技术路线;2025年更成为中国大陆为数不多与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业(以上技术节点时间均以公司公开披露及招股书表述为准)。
尤其是专利交叉授权这一条,产业意义常被低估——它意味着从“被动防守诉讼”变成了“坐上牌桌谈条件”。国际巨头愿意拿出自己的专利库与一家中国存储公司对等交换,本身就是对其技术实力最有分量的背书——这比任何一句评价都更“诚实”。
技术升级带来的收入结构变化也在招股书中显形:NAND Flash产品收入占比持续提升,企业级场景(服务器、数据中心)成为增长主引擎——这与HBM的故事同源:AI对存储的需求,正在从容量转向带宽与能效。
五、两条路线,同一个方向:往“计算”里钻
如果只提炼一个关键词,我会选“融合”。
三星的zHBM,是把存储往计算芯片怀里送——DRAM直接堆在xPU上,中介层退场;长存控股的Xtacking,本质也是把CMOS逻辑晶圆与NAND阵列晶圆分开制造再键合,让逻辑工艺不受存储工艺拖累。东西半球的两家公司,殊途同归地承认了一个事实:存储与计算的边界,正在物理层面瓦解。
往深处看一层,两条路线其实是同一枚硬币的两面:技术融合决定天花板,资本开支决定地板。三星的三阶段路线图勾勒的是存储厂商能爬多高,长存控股的330亿募资回答的是追赶者要铺多厚的底座——没有Base Die上的4nm,就没有zHBM;没有三期产能的爬坡,全球第三的位置就守不住。
地缘视角下也要冷静一句:存储是中美科技博弈中少有的、中国大陆已站上第一梯队且握有交叉授权筹码的品类。全球第三的位置、330亿的募资规模、三期产能的推进,意味着未来数年NAND市场的供给格局和价格弹性,都将多一个不可忽视的变量。
对产业链上的观察者与投资者而言,下一步要盯的不是某一家公司的某一场发布会,而是一个更根本的问题:当存储与计算的物理边界消失,今天围绕“存储厂”与“芯片厂”建立的估值框架、供应链关系乃至竞争格局,都需要被重新写一遍。这场重写才刚刚开始,而八月这两条新闻,就是它的序章。
小结
三星用zHBM回答“HBM之后是什么”,长存控股用330亿回答“存储的下半场靠什么打”。两条线索指向同一个产业拐点:存储不再是算力的配套件,而是决定AI系统成败的核心资产。
需要保持清醒的是:zHBM的70%功耗降低、230%带宽提升均为厂商宣称值,尚未经过第三方验证与量产检验;长存控股IPO目前仍处受理阶段,后续问询、财务数据审计确认与募投落地均存在不确定性。基于此,接下来值得盯住的信号有三个:其一,zHBM路线图第二阶段的技术细节披露与工程样品进展;其二,长存控股IPO的问询进展、经审计财务数据的最终确认,以及三期产能爬坡节奏;其三,HBM5时代Base Die逻辑工艺的军备竞赛走向。
存储的黄金时代,才刚刚开盘——但开盘价是宣称值,成交价要靠量产和业绩来确认。