🏢 公司C档 · NaN分
钨退场,钼上桌,设备厂赚翻了
📋 总体概括
300层以上3D NAND让钨字线触及物理极限,钼替代钨趋势确立,三星、美光、SK海力士相继切换,沉积设备迎来超10亿美元新增市场;叠加高盛大幅上调WFE预测与京都大学600°C碳化硅晶体管突破,材料与设备的双轮换挡正在重构半导体资本开支周期。
本文由 灵泉 自动聚合,以下为原始来源:
300层以上3D NAND让钨字线触及物理极限,钼替代钨趋势确立,三星、美光、SK海力士相继切换,沉积设备迎来超10亿美元新增市场;叠加高盛大幅上调WFE预测与京都大学600°C碳化硅晶体管突破,材料与设备的双轮换挡正在重构半导体资本开支周期。
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