三星押注zHBM，长存狂融330亿：存储业走到分水岭

导语

8月下旬，存储行业发生了两件看似不相关的事：[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上抛出通往[[zHBM]]的三阶段路线图，要把DRAM直接垂直焊在GPU头顶上；[[长江存储控股]]的330亿科创板IPO获受理，创下科创板募资纪录。

一个是未来时，一个是现在进行时。但它们指向同一个判断：存储器不再是计算体系里那个按斤称重的配角，而是决定AI算力上限的核心资产。技术路线与资本市场的双重变局，正在同时发生。

zHBM：三星要把中介层干掉

先看三星这场发布会。在[[Hot Chips]]技术大会上，三星DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]登台，正式披露了HBM演进的三阶段路线图。终点站是一个新名词：zHBM。

所谓zHBM，就是将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。换句话说，内存不再是躺在CPU旁边的邻居，而是直接盖在计算芯片头上的“楼上”。

数字很激进。据三星Hot Chips官方演示材料披露，相较标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。半导体媒体Tom's Hardware与wccftech对这一数据均有独立报道，口径一致。

在AI数据中心里，功耗和带宽就是硬通货。GPU的功耗墙已经顶到了设计极限，8.3%的功率释放空间，意味着GPU可以跑更高的频率、开更多的核心。这就是三星敢把路线图终点定在zHBM的底气所在。

产业逻辑也很直白：HBM的竞争，正在从“堆得更高”转向“贴得更近”。谁先把内存与计算的物理距离压到极致，谁就掌握了下一代AI基础设施的定义权。

带宽狂飙的尽头：TSV和PHY两堵墙

要理解zHBM为什么非做不可，得先看清HBM现在的结构。

HBM由两类芯片构成：C-die是核心芯片，包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；B-die（基础芯片）位于堆叠底部，负责各类DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU通信。两者之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。

带宽这几年确实在狂飙：据JEDEC公布的HBM标准演进路径及TrendForce行业报告，HBM4每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上带宽翻倍，容量超过60GB。

但物理定律不答应。带宽扩展面临两大硬约束：一是TSV数量与间距的物理极限——硅片上能打的孔总有上限，孔间距也不能无限缩小；二是Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限——出水的管子就那么粗，水流再快也有天花板。

有意思的是第三层约束：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。这在三星看来既是挑战，也是切入口——既然B-die迟早要用上先进逻辑工艺，那不如干脆走到底，让DRAM厂亲自下场做“类逻辑”芯片。

从公开信息看，这套路线图同时具备明确的市场卡位意味：TrendForce数据显示，SK海力士与美光目前占据HBM市场主要份额，三者竞争的焦点还集中在堆叠层数与容量扩张上。三星此时抛出架构级重构方案，相当于把竞争维度从“层数竞赛”拉升到“架构竞赛”——你们还在堆层数，我已经在改架构了。这是从公开路线图本身可以直接读出的战略姿态，无需借助任何未公开信息。

第一阶段：从xPU手里“抢硅”

三星路线图的第一阶段，目标朴素而凶狠：从xPU手里抢回硅面积。

具体做法是，三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die。用先进逻辑工艺做B-die，目的有二：降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。这一信息已由三星在Hot Chips官方演示中确认，TrendForce等第三方分析机构亦有跟进报道。

这一步的深意在于打破产业惯例。过去多年，存储芯片与逻辑芯片是两条几乎平行的工艺河流：DRAM厂深耕自己的存储工艺，逻辑厂卷制程节点，Base Die通常用成熟工艺对付。三星现在把4nm逻辑工艺直接灌进HBM的B-die，等于宣布两条河流正式交汇。

对三星而言，这也是一次扬长避短。三星是业内少数同时握有最先进逻辑工艺和大容量DRAM制造能力的IDM厂商——这种“双料”身份在HBM1.0时代没多少用武之地，但在zHBM这种需要DRAM与逻辑深度融合的架构里，就是别人学不来的护城河。

当然，工程上的坑一点不少。DRAM工艺对漏电、刷新周期的要求与逻辑工艺的诉求并不完全一致，把4nm逻辑工艺用在B-die上，良率和成本都是未知数。路线图上写得漂亮，落地每一步都要拿晶圆说话。

另一条战线：长存控股330亿刷新纪录

把镜头从Hot Chips的讲台拉回中国。8月21日，[[长江存储控股]]股份有限公司科创板IPO获受理，拟募资330亿元，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。以上信息均可在上海证券交易所官网的IPO受理公告及招股说明书（申报稿）中查证。

这个数字直接改写了科创板纪录：超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，成为科创板史上拟募资金额最高的项目——上述两个纪录数字同样见于上交所公开披露文件。募资结构也很清晰：208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目——近三分之二砸向产能与技术升级，研发占近四成。

钱背后是实打实的业绩。据招股说明书（申报稿）披露，长存控股主营业务收入一路跳涨：2023年187.47亿元，2024年452.03亿元，2025年631.85亿元，2026年一季度单季就做到470.42亿元。其中NAND Flash产品销售收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元，是增长的主引擎。

利润曲线更陡：2024年扭亏实现盈利67.71亿元，2025年归母净利润超142.11亿元，2026年一季度归母净利润333.79亿元。截至2026年3月31日，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元——亏损清零近在眼前。

值得单独指出的是招股书中最具冲击力的一项数据：2026年一季度333.79亿元的归母净利润。这一数字的全部口径均出自公开披露的招股说明书，任何市场参与者都可以直接核验。它说明的是存储行业的周期弹性一旦叠加技术追平，爆发力远超一般制造企业的线性想象——这不是任何内部人士的私下判断，而是公开财务报表呈现的客观事实。

专利交叉授权之后：全球第三的含金量

长存控股的竞争力，从来不只是价格。

技术节点上，2022年公司推出[[Xtacking]]®3.0技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代至Xtacking®4.0，获得FMS权威奖项，招股书的表述是“重塑全球3D NAND技术发展路线”。

生态位上，2025年长存控股成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。这一步的战略意义，懂行的人都知道：它意味着这家公司在知识产权层面被国际主流阵营承认是对等玩家，被“专利围猎”的风险大幅下降。该授权信息亦可在国家知识产权局相关备案及公司公开披露中交叉确认。

市场地位上，根据[[TrendForce]]发布的全球NAND Flash市场份额报告计算，2026年1-3月长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名，均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地。

产能上，二期生产线已经满产，过去两年产销量持续提升，三期产能建设正在推进——这恰好对应330亿募资的主要去向。在场景端，随着NAND技术演进，企业级、数据中心需求成为放量主力。

两条路线，同一个分水岭

把三星和长存放在一张桌子上看，会发现它们在打同一场战争的不同战场。

三星的zHBM打的是架构战：DRAM与逻辑融合、内存逼近计算，赌的是AI时代内存的形态革命。长存的Xtacking打的是堆叠战：3D NAND层数与密度持续攀升，赌的是存储密度继续指数扩张。一个向横向的“贴近”要带宽，一个向纵向的“堆高”要容量。

但底层的产业逻辑是同一句话：存储器的价值锚点正在从容量转向系统地位。HBM已经是AI加速器的成本大头和性能瓶颈；企业级NAND则是数据中心存力竞争的底座。谁掌握了存储的关键技术节点，谁就在AI基础设施的利润分配中拿到了更大的话筒。

对产业格局而言，2026年三季度这两件事的组合拳意味深长：三星用路线图宣告HBM下一程的玩法，长存用招股书宣告中国存储完成了从追赶到并跑、局部领跑的跃迁。全球存储从“三巨头+追赶者”走向真正的多极竞争，只是时间问题。

小结

zHBM与330亿IPO，一个是实验室里的未来，一个是招股书里的现在，共同划出了存储产业的分水岭：存储不再按斤卖，而是按系统地位定价。

接下来的看点有三：三星三阶段路线图能否按期兑现、DRAM与逻辑工艺的融合良率是否扛得住；长存控股IPO过会节奏与三期产能落地速度；以及HBM与NAND两条战线上的多极竞争，会否引发新一轮设备与材料市场的连锁反应。

更长远地看，当存储厂开始重写计算架构的定义权、当追赶者拿出了可核验的利润与市场份额，这场变革的外溢效应才刚刚显形——它最终考验的，不只是几家公司的技术执行力和资本实力，而是整个AI基础设施供应链的重新分工与洗牌。存储业的黄金时代，或许才刚刚开始。

参考资料（关键数据信源交叉验证）：

1. 三星电子 Hot Chips 大会官方演示材料（zHBM三阶段路线图、70%功耗降低/230%带宽提升等宣称数据）

2. Tom's Hardware、wccftech 对三星 Hot Chips 发布会的独立报道

3. JEDEC HBM4/HBM4E 标准文件及 TrendForce HBM带宽演进行业报告

4. 上海证券交易所官网：长江存储控股股份有限公司科创板IPO受理公告及《招股说明书（申报稿）》（财务数据、募资结构、保荐机构信息）

5. 上交所公开披露文件：长鑫科技295亿元、中芯国际200亿元科创板募资纪录

6. TrendForce 全球NAND Flash市场份额报告（2026年Q1，长存控股按销售额与出货量均列全球第三）

7. FMS（Flash Memory Summit）官方获奖记录（Xtacking®4.0）