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国产存储上桌,靠的不是EUV

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AI编辑团队AI 原创内容
2026-09-22 03:29 发布· 本文由作者与AI协作完成
本内容由人工智能生成,仅供研究参考,不构成投资建议。
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长江存储IPO火速过会、北方华创攻克3D DRAM刻蚀、何庭波更新韬定律论文——9月这三天新闻拼在一起,是国产存储绕开EUV封锁的完整路线图:资本、设备、架构三条腿同时落地。本文拆解估值逻辑、技术细节与周期风险。

国产存储上桌,靠的不是EUV

导语: 一个行业最热闹的时刻,往往不是某项技术突破了,而是三件事同时发生:资本认可、设备就位、理论自洽。9月初的国产存储恰好凑齐了这三张牌——长江存储火速进入IPO问询、北方华创在IEEE上交出3D DRAM刻蚀答卷、何庭波用一篇论文回应堆叠芯片的发热质疑。没有EUV,中国存储是怎么一步步把自己端上牌桌的?

💰 9个交易日,3万亿估值预期:资本先投了票

一句话:资本市场对国产存储的定价,已经跑在了所有质疑前面。

先看一组时间线。8月21日,长江存储招股书获科创板受理;9月3日,进入已问询状态。中间只隔了9个交易日——而通常这套流程要走20个交易日。用业内人私下调侃的话说,「这个审核速度,比某些公司的流片周期还快」。

按目前节奏,长江存储有望年底或明年初正式挂牌。届时,国产存储「双雄」长鑫科技与长江存储将齐聚A股。本次IPO拟募资330亿元,由中信证券与中信建投联合保荐。

估值怎么定?市场给了一个简单粗暴的锚:看长鑫。长鑫科技7月27日登陆科创板,首日市值3.31万亿元,超越工商银行登顶A股;16个交易日后一度突破4万亿元,目前最新市值约3.72万亿元。如果长鑫维持当前水平,长江存储的潜在市值规模在3万亿元人民币以上。

“据多位接近投行的人士说法,这次定价讨论里几乎没有「分歧」环节——存储板块的情绪已经把「贵不贵」变成了「还有没有」。

支撑这个情绪的,是长江存储财务数据的暴力反转:

时间营收净利润NAND毛利率
2023年(周期低谷)187.44亿元-191.81亿元1%
2025年632亿元142亿元—
2026年Q1470.42亿元333.79亿元78.73%

注意最后一行:2026年一个季度的净利润,是2025年全年的2.35倍。NAND毛利率从1%干到78.73%,这个陡峭程度在整个存储行业历史上都罕见——既有自家产品力爬坡的因素,也踩中了全球存储涨价周期的顺风。

市场地位同样在快速上台阶。根据Counterpoint数据,2026年二季度长江存储NAND出货量同比增长22%、环比增长5%,以14%的份额首次升至全球第三、中国第一,仅次于三星和SK海力士。

产业逻辑很清晰:存储是个「周期+份额」双轮驱动的生意。周期上行时,毛利率弹性极大;份额一旦站稳,规模效应会反向压低成本。资本市场现在给出的3万亿级定价,本质上是在为「第三极」的确定性买单。当然,硬币的另一面我们放到最后一节说。

⚙️ 没有EUV的路线图:北方华创把「刻」和「清」拆开了

一句话:光刻机被卡住的题,可以换一道刻蚀的题来解。

9月5日,国内半导体设备龙头北方华创在IEEE期刊发表学术论文,宣布在3D DRAM制造工艺上取得突破——一种创新的两步循环刻蚀工艺,目标是帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁,推进3D DRAM自主量产。

先解释下背景。3D DRAM被视为DRAM技术演进的下一阶段,核心理念是把晶体管从二维平面微缩转向三维垂直堆叠——层层叠上去提高存储单元密度。这个思路熟悉吗?没错,就是NAND闪存从2D走向3D堆叠的翻版。而现在,轮到DRAM走这条路了。

北方华创的方案针对硅与硅锗交替堆叠的64层3D DRAM结构。制造流程中,需要把硅锗层精准刻蚀剥离,再在留下的硅层空隙中构建字线、位线和栅极等微观结构。难点在于:高深宽比结构下的横向选择性刻蚀一直是行业难题,稍微手抖就是硅骨架受损,或者各层刻蚀不均匀——64层里只要有几层刻歪了,整颗芯片基本报废。

北方华创的做法是把工艺拆成「刻」与「清」两个阶段,循环迭代:

第一阶段用无偏置的电中性氟自由基对硅锗层定点刻蚀;第二阶段引入反应气体清理底部副产物沉积,确保刻蚀气体能垂直纵深穿透。这有点像挖一条极深的隧道——一边挖,一边不停把渣土运出去,不然越深越挖不动。

论文披露的三个关键数据:硅锗与硅的刻蚀选择比超过500:1;在200纳米夹层结构中,硅层单次损耗控制在10埃(1纳米)以内;在64对交替层堆叠结构中,实现了超过95%的结构均匀度。

“一位设备厂的工艺工程师私下评价:「500:1的选择比意味着刻穿64层硅锗,底下硅骨架几乎无损——这在没有EUV的前提下,是给3D DRAM修了一条绕行的山路。」

业界分析认为,长鑫存储若能整合北方华创的国产刻蚀设备与相关工艺,将大幅提升向3D DRAM自主量产演进的可行性。在无需依赖EUV光刻机的前提下,国产存储厂商有望持续提升产品密度与性能。

这里有一条重要的产业判断:在西方对华EUV出口管制持续收紧的背景下,「三维化」正在成为国产存储绕开光刻壁垒的系统性答案。NAND已经证明了这条路(长江存储正是靠3D NAND起家),DRAM的3D化如果走通,管制清单上那台机器的威慑力,会被 architectural 层面的创新逐步稀释。

🔥 何庭波的新论文:芯片最耗电的,不是计算

一句话:堆更多的晶体管,芯片反而更冷——前提是你得缩短数据的通勤距离。

9月4日,华为半导体负责人何庭波在中科院科技论文预发布平台ChinaXiv发布论文《Huawei's τ Chip Was Supposed to Melt?》(《华为的τ芯片本该过热烧毁?》),用麒麟2026的实测数据,正面回应业界对3D堆叠芯片「高密度带来高功耗、高发热」的质疑。

这个质疑不难理解:往同样体积里塞更多晶体管,热量不就更集中了吗?但麒麟2026的实测数据给出了反直觉的结果——晶体管密度较前代提升约55%,而在相同性能下,NPU功耗下降66%,GPU功耗下降58%。堆得更密,反而更凉。

何庭波给出的解释核心是一句话:芯片最耗电的不是计算,而是数据搬运。

她用了一个「通勤」类比:芯片也像上班族,晶体管执行计算需要能量,但数据在不同计算模块之间的长距离传输,同样要付「通勤成本」。论文指出,在典型智能手机工作负载中,动态功耗约占总功耗的90%;而按照动态功耗公式,电容的重要来源并非晶体管本身,而是金属互连——传输距离越长,电容越大,能耗越高。

换句话说,在先进工艺节点上,互连电容对能耗的影响已经超过晶体管本身。降低功耗因此不只有缩小晶体管一条路径,缩短信号传输距离同样重要。

这正是「LogicFolding」的理论基础:通过重构电路结构、缩短信号传输距离、压缩传输延迟,把长距离「横向通勤」变成短距离「垂直换乘」,从源头降低数据搬运能耗。

时间线上,这是韬定律体系的持续更新——

  • '2026年5月 : 华为对外发布韬定律,为后摩尔时代寻找新路径'
  • '2026年9月4日 : 何庭波在ChinaXiv更新论文,用麒麟2026实测数据回应堆叠发热质疑'

为什么这件事重要?因为如果3D堆叠的功耗经济学成立,它和前面两件事是咬合在一起的:设备端解决「没有EUV怎么做出先进存储」,架构端解决「堆叠之后发热怎么办」。一个给路径,一个给理由。

当然,论文里也留了一个诚实的问号:韬定律能否在功耗、性能、制造和成本之间持续取得平衡,将决定这条技术路线能走多远。数据搬运能耗省下来了,但3D堆叠的制造良率与散热工程问题,依然是硬仗。

🧩 三条腿怎么拼成一张桌子

一句话:资本、设备、架构,缺一条腿,桌子都会晃。

把9月初这三条新闻摆在一起看,你会发现它们不是孤立的热点,而是一条产业链在三个环节同时闭环:

第一,设备环节给出物理可行性。北方华创的刻蚀突破,意味着三维化路线上的关键工序有了国产替代选项。存储是设备消耗型行业——层数越高,刻蚀与沉积步骤越多,设备需求越刚性。国产设备与国产存储之间正在形成正反馈:存储扩产养设备,设备进步降成本。

第二,架构环节给出理论自洽性。何庭波的论文回答了「堆叠为什么不是死路」这个灵魂拷问。互连电容主导能耗这个判断,如果被更多实测验证,整个行业的研发资源分配都会跟着调整——从一味卷制程微缩,转向卷封装、卷架构、卷数据通路。

第三,资本环节给出商业化正循环。长鑫科技3.72万亿市值、长江存储3万亿预期,这些钱最终会变成研发预算、产能扩建和设备采购单,反哺前两个环节。

用一个更直白的框架总结:

环节代表事件解决的问题
设备北方华创3D DRAM刻蚀没有EUV,能不能造
架构何庭波韬定律论文造出来,烫不烫手
资本长江存储IPO提速造出来,钱从哪来
“有机构分析师私下感慨:「以前是单点突破,年年都有新闻;现在是链条咬合,这在国产半导体里还是头一回见。」

⚠️ 泼点冷水:周期、巨头与定价的天花板

一句话:78.73%的毛利率,是周期给的,不全是本事给的。

把话讲完,也得把风险摊开。

第一是周期风险。看长江存储自己的财务轨迹就知道:2023年全球存储周期低谷,公司营收187.44亿元,净亏损191.81亿元,NAND毛利率只有1%。也就是说,就在三年前,这家公司还处在「卖一片亏一片」的状态。今天的78.73%毛利率,对应的是存储涨价周期的顶部区间——而存储行业的历史规律是,周期从不缺席。IPO招股书里「未来全球存储三巨头的股价表现,将会从一定程度上影响长鑫科技的估值与市值定价水平」这句话,已经把供应链的脆弱性写在了明面上。

第二是巨头反扑。14%的份额、全球第三,这个位置听起来风光,但上面坐着的是三星和SK海力士——两家都有穿越数轮存储寒冬的经验和现金流。一旦周期反转,巨头的第一反应从来是降价保份额,那时国产双雄的毛利率曲线会怎么走,谁也不敢打包票。

第三是技术路线的验证周期。北方华创的刻蚀数据来自论文,从实验室选择比到量产良率之间,隔着至少一两代的工艺调试;韬定律的功耗优势,也还需要在更多产品与负载上持续验证。学术突破与产业量产之间,隔着的那段路,往往比论文里写的长。

pie title 2026Q2全球NAND份额格局

"三星与SK海力士合计" : 72

"长江存储" : 14

"其他厂商" : 14

(注:依据Counterpoint披露的长江存储14%份额与三星、SK海力士居前的格局示意,具体份额分布以原始报告为准。)

小结: 9月初的三条新闻——长江存储9个交易日进入问询、北方华创3D DRAM刻蚀突破、何庭波韬定律论文更新——拼在一起,是国产存储在没有EUV的前提下,用「三维化+国产设备+资本输血」搭出的完整上桌路径。3万亿估值与78.73%的毛利率固然亮眼,但存储永远是周期与技术的双重考验:桌子已经搭好,能不能坐稳,要看下一轮下行周期到来时,谁的现金、良率和架构储备更厚。可以确定的是,全球存储的牌桌上,从此多了一个不会轻易离席的玩家。