三星押注zHBM，长存豪募330亿：存储双线开战

导语

8月下旬的两条新闻，看似不相关，实则指向同一个命题：存储芯片正在重新定义自己的边界。

一边，[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上由DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]抛出三阶段HBM路线图，终点是一个激进的名字——zHBM：把DRAM直接垂直堆到GPU头顶上，彻底干掉2.5D中介层。

另一边，[[长存控股]]科创板IPO获受理，拟募资330亿元，刷新科创板纪录。

核心判断：存储产业正同时打两场战争——一场是HBM对算力架构的物理渗透战，一场是NAND玩家对资本与产能的登顶战。而这两场战争，最终拼的都是同一件事：先进工艺与先进封装的融合能力。

一、三星的野心：让DRAM长在GPU头上

故事要从Hot Chips的讲台说起。当[[Sangwook Han]]放出的那页路线图时，台下工程师的第一反应大概率是：这不就是奔着拆掉中介层去的吗？

现状是这样的：今天所有HBM都要坐在一块2.5D中介层上，与GPU隔层相望。中介层本身不产生算力，却吃掉昂贵的硅面积、增加封装层级、拖累良率与功耗。三星的三阶段路线图，终点就是把这块“垫脚石”拆掉——DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上。

据[[wccftech]]对Hot Chips大会披露内容的报道，三星给出的账本相当有攻击性。需要说明的是，以下均为三星在技术路线图中宣称的目标值，而非实测或量产数据：相较于标准HBM4E，zHBM方案宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升，每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

数据来源：三星Hot Chips 2025大会披露内容，经[[wccftech]]报道转述，为路线图目标值，尚无量产验证。

这组数字的产业含义，比数字本身更值钱。对AI芯片而言，功率预算就是算力上限。省下的100W和释放的8.3%功率空间，意味着GPU可以在同样功耗墙下跑更高的频率——这是另一种形式的“免费算力”。

路线图的三段演进，用一张图看更清楚：

当然，路线图是路线图，量产是量产。从宣称到出货，中间隔着封装良率、热应力、供应链爬坡三座大山。但方向已经足够清晰：存储不再是挂在算力旁边的“外设”，而是正在长进算力身体里。

二、HBM的物理天花板：TSV、PHY与那块垫脚石

要看懂三星为什么非要拆中介层，得先看懂HBM今天被卡在哪里。

一颗标准HBM由两类芯片构成：C-die（核心芯片），包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；B-die（基础芯片/Base Die），位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY物理接口层与GPU通信。两者之间靠TSV（硅通孔）连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。

带宽的爬坡速度惊人，但约束同样惊人：

按此趋势，两大硬约束正在逼近：其一，TSV数量与间距的物理极限——硅片就这么大，通孔不能无限加细加密；其二，B-die内PHY接口的I/O数量与速度上限——接口带宽再快，也快不过物理墙。

上图红色那块，就是三星想拆掉的部分。

而真正的切入口，藏在一个容易被忽视的细节里：制程代差。据[[wccftech]]报道，B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。这带来一个微妙的产业变化——B-die开始“配得上”先进逻辑工艺了。

三星已经把D1c与4nm逻辑工艺用在HBM4的Base Die上，目的是降功耗、缩面积。这意味着DRAM厂商第一次真正跨进了先进逻辑制程的领地。从产业分析的视角看，B-die的逻辑化，是比堆叠层数更值得盯的指标——层数决定今天的排名，B-die决定明天的架构话语权。这也是三星在Hot Chips上把Base Die工艺细节放在显著位置来讲的深层原因。

一句话总结这一节的产业逻辑：HBM的竞争正在从“堆得更高”转向“贴得更近”。

三、长存控股IPO：330亿背后的NAND登顶叙事

把视线从HBM拉回NAND。8月21日，[[长江存储]]控股股份有限公司（“长存控股”）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。

330亿元的拟募资额是什么概念？看一张对比表（数据来源：各公司招股说明书/上市公告披露口径）：

其中208亿元用于长江存储量产线技术升级，122亿元用于研发相关募投项目。钱的流向很明确：产能与技术各占一头，这正是存储行业竞争的两条腿。

更值得注意的是财报数字。按招股书披露口径，长存控股的主营业务收入呈陡峭增长曲线。需要特别说明的是：2023年、2024年数据为经审计的历史披露数据；2025年及2026年一季度数据为招股书披露口径（含未经审计或预测性质数据），最终以正式审计结果为准。

数据来源：长存控股科创板IPO招股说明书（申报稿）。

几个关键坐标：2022年推出[[Xtacking]]®3.0，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业；2024年迭代Xtacking®4.0并获FMS权威奖项；2025年成为中国大陆为数不多与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

根据[[TrendForce]]数据计算，2026年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期生产线已满产，三期产能建设正在推进。

产业逻辑在此：NAND是一个层数、密度、I/O速度与成本曲线多重绞杀的市场，长存用Xtacking路线证明了“架构换道”可以打破节奏跟随者的宿命。而IPO的意义远超融资本身——它给这家IDM装上了一个持续输血的资本市场接口，且发生在盈利能力最强的时点窗口。

四、双线战争的同一底色：工艺融合与地缘张力

把三星的zHBM路线图与长存控股的IPO放在一张桌子上看，会发现一条贯穿的暗线：存储厂商正在向上游制造工艺和下游系统架构两端同时伸手。

三星用4nm逻辑工艺做B-die，是在向逻辑代工的地盘渗透；长存用Xtacking把NAND的CMOS晶圆与存储阵列晶圆分开加工再键合，本质同样是“用逻辑工艺的思维做存储”。两家公司相隔千里，做的是同一个动作：打破“存储是存储、逻辑是逻辑”的行业分工惯性。

而这场战争的底色里，地缘因素从未缺席。长存招股书特意强调其2025年达成国际专利交叉授权——在存储这个专利密集、出口管制敏感的领域，专利话语权与产能规模是同等重要的护城河。三星的HBM路线图同理：HBM已是AI算力供应链中最敏感的环节之一，谁掌握下一代HBM架构定义权，谁就握住了GPU大厂下一代产品的入场券。

本文的判断（预测性质，非任何机构披露数据）：未来18-24个月，存储行业的竞争焦点将从“层数与堆叠”转向“架构与集成”。zHBM类方案能否量产落地、Xtacking路线能否持续拉开成本差，将直接改写HBM与NAND两个市场的座次表。而对设备与材料供应商来说，混合键合、TSV、先进逻辑工艺向存储端迁移带来的设备需求，是下一个确定性的增量。

小结

三星的zHBM要拆掉的是一块物理上的中介层，长存控股的330亿要填平的是产能与技术上的追赶差。两个动作背后是同一个趋势：存储芯片正在从AI算力体系的“配角外设”，变成定义系统架构的“核心主角”。

带宽提升230%、功耗降低70%的zHBM尚在路线图上（三星宣称的目标值，量产时点未定），全球第三的NAND座次已经写进招股书（经审计的2024年业绩与未经审计的2025年及2026年一季度披露数据相互印证）。技术跃迁与资本共振同步发生——存储的好戏，才刚刚从DRAM堆叠的第17层开始。

而这场好戏的下一幕，大概率不在存储芯片本身：当DRAM学会逻辑工艺、当NAND学会资本运作，真正被重新定义的，是“存储”与“计算”、“工厂”与“市场”之间那条延续数十年的边界线。边界的坍塌速度，将比任何一份路线图上标注的时间表更快——这不是预测，而是正在发生的事实。