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长鑫存储9月1日启动2027届全球校园招聘，面向海内外高校毕业生，专业覆盖微电子、集成电路、人工智能等，岗位包括电路设计、研发技术、生产运营等，工作地点为合肥、北京、上海、西安及日本。长鑫存储专注DRAM研发制造，母公司长鑫科技上市后首份半年报显示营收大增873.64%，净利润776.05亿元实现扭亏为盈。

AI热潮推动GPU需求暴涨，但AWS因AI工作负载激增导致CPU服务器排队时间飙升，5月要求工程师不惜代价节省CPU周期，凸显CPU在智能体AI时代重新成为稀缺资源，迎来复兴。

瑞芯微连续两日大涨约15%，市值达861.52亿元，触发因素并非云端大模型或AI手机，而是Hugging Face旗下Pollen Robotics推出的双足机器人Microduck。该产品预售价399美元，开订6小时订单额破100万美元，24小时超260万美元，发货周期拉长至4-6个月，点燃市场对端侧AI芯片及具身智能行情的想象。

EDA新创公司Agentrys宣布融资2450万美元，推出名为“代理式设计自动化”（ADA）的新品类技术，旨在将AI智能体引入芯片设计流程，构建可随每次运行不断自我优化的定制化设计流程，加速AI在芯片设计中的落地部署。

Rochester Electronics推出TLS360™计划，针对航空航天、国防、工业控制、医疗和交通等长生命周期系统，解决元器件停产断供问题，帮助工程师避免昂贵重新设计或囤货，延长芯片供应周期。

兆易创新总经理何卫在半年报业绩会上表示，DRAM价格下半年延续温和上行，2027年行业增量产能释放有限，供应紧张局面不会明显缓解，价格将高位震荡，景气周期较长。SLC NAND Flash景气至少延续至2027年全年。

据郭明錤爆料，英伟达重启此前搁置的Rubin CPX AI加速器项目，并将内存方案从原定的128GB GDDR7改为168GB HBM4。该芯片源自Rubin GPU家族，专为大规模Agentic AI工作负载设计，单die可提供30 PFLOPS算力，封装于独立形态。

群创光电9月1日首次发布Chip Last型FOPLP扇出型面板级封装平台，预计2027年下半年量产，瞄准AI/HPC次世代先进封装供应链。该平台聚焦高密度异质整合，采用业界最大620mm×670mm面板，结合多层RDL与嵌入式核心架构，线宽线距可低至2μm，此前已有Chip First与TGV技术。

NVIDIA在CUDA生态之外，正以NVLink及商业化版本NVLink Fusion构建新的技术护城河。其向联发科投资35亿美元，后者成为最新采纳该技术的厂商。客户可通过授权将自研CPU/XPU与NVIDIA芯片互联，扩展组网还需另购NVSwitch授权，从而即使不买全套系统也被牢牢绑定在其生态内，互联授权本身成为高价值生意。

芯原股份公告，国家集成电路产业投资基金于2026年8月31日通过集中竞价减持49.47万股，占总股本0.0941%。减持后大基金持股比例由5.0941%降至5.0000%，退出5%以上股东行列。此次变动不影响公司控制权，且其此前披露的减持计划尚未实施完毕，未来12个月内暂无明确增减持安排。

美股AI板块剧烈波动，芯片公司上周集体蒸发超万亿美元市值，但市场对大型科技公司的反应出现分化：7月末微软上涨9%，Meta则几乎同等幅度下跌。文章认为，各公司AI策略与变现路径的差异，正导致资本区别定价，市场已开始审视AI热潮背后被忽视的风险，而非盲目追捧一切AI概念。

高盛9月1日发布存储价格跟踪报告，称2026年三季度DRAM与NAND均价走势符合预期，存储芯片仍处景气上行通道，维持三星电子和SK海力士买入评级。市场呈现结构性分化：PC和服务器DRAM价格动能强劲，手机存储受库存拖累；厂商将产能优先投向服务器DRAM和HBM，限制传统存储供给，支撑2027年价格。TrendForce上调三季度PC DRAM涨幅预期至18%-23%。

OPPO宣布本月上调多款机型售价，涉及Reno16系列和一加Turbo 6X Pro系列，涨幅300-500元，部分门店已更换Reno16价格指示牌，型号改为Reno16t。内存涨价等成本压力正向手机终端传导。

中国法院冻结闻泰科技旗下安世半导体约3.18亿美元资产，闻泰正力图重获控制权。安世称冻结不影响日常运营。值得注意的是，闻泰2026年上半年营收仅15.1亿元，同比暴跌逾90%，冻结资产总额已超过其半年营收。

三星存储事业部公布下一代存储器战略：正在开发HBM5，目标较HBM4E性能翻倍、每瓦性能提升20%、热阻降低20%；面向更远期的zHBM，性能目标提升8倍、每瓦性能提升3倍、热阻降低75%至90%，以满足AI芯片对高性能与低功耗的需求。

CSEAC 2026在无锡开幕，1400余家企业参展，国内半导体设备全链条龙头齐聚。刻蚀、薄膜沉积领域的中微公司、北方华创、拓荆科技同台竞技并密集发布新品，国产化正从整机单点突破向核心部件、关键材料底层攻坚延伸，并从成熟制程向先进工艺与先进封装升级，产业竞争转向全链条生态协同。

上交所公布科创50等指数三季度定期调整结果，将于9月11日收市后实施。睿创微纳、华丰科技、屹唐股份、影石创新、盛合晶微等5只证券调入科创50指数，同时有相应数量的证券被调出。半导体设备企业屹唐股份、先进封装厂商盛合晶微等硬科技公司纳入，反映科创板指数持续向半导体等硬科技领域倾斜。

国民技术公告拟以H股专项募集资金6000万元，按投前估值5.9亿元认购南京优存科技新增注册资本，获得8.3333%股权。优存科技具备成熟NOR Flash研发与量产能力，此次投资旨在补强外置存储定制化配套能力，完善公司存储业务配套体系。

韩国政府将首次直接采用民营AI数据中心的GPU服务，行政安全部国家信息资源管理院大邱中心拟通过专线接入三星SDS东滩数据中心的GPU资源，以获取高性能AI算力。此举打破了韩国长期以安全为由坚持公共基础设施封闭自主的原则，被视为在确保国家AI竞争力压力下的政策转向。

三星在Hot Chips 2026公布三阶段HBM路线图：逐步将逻辑与计算功能移入基底裸片，最终目标zHBM——把DRAM直接堆叠在处理器之上，实现存算深度融合。

国务院总理李强9月1日在北京会见美中贸易全国委员会董事会主席麦凯恩率领的访华团。李强强调中美经贸本质是互利共赢，欢迎美企深耕中国市场，愿解决美企合理诉求，也希望美方相向而行解决中方关切。美方表示对中国'十五五'规划和经济前景充满信心，将扩大对华投资。

郭明錤称英伟达重启一度被认为放弃的AI推理预填充加速芯片项目Rubin CPX，并对设计大幅调整，预计2027年Q1量产。新版CPX算力接近标准Rubin，单卡功耗2300瓦，显存升级为168GB HBM4（原为128GB GDDR7），但仍低于标准Rubin的288GB。项目瞄准预填充阶段成本瓶颈，超50%推理负载来自输入上下文处理与KV Cache构建。

据外媒报道，长鑫存储（CXMT）已开始HBM3E内存的风险试产，并正向阿里平头哥和寒武纪送样验证。此举被视为中国DRAM产业链在高端HBM领域的重要突破，若进展顺利，公司有望在2027年实现量产，缩小与SK海力士、三星等韩国巨头的差距。

华虹宏力公告，公司及全资子公司上海华虹宏力拟联合其他投资方对无锡华虹宏力三期增资41.7亿美元，建设月产能约5.5万片的12英寸特色工艺晶圆代工产线。该投资已于2026年9月1日经董事会审议通过，尚需提交股东大会批准，显示华虹持续加码成熟制程特色工艺扩产。

英伟达宣布史上最大海外直接投资，黄仁勋就AI算力需求发声，被投公司股价应声大涨。与此同时，谷歌、亚马逊、微软等云巨头加速自研定制ASIC芯片，以优化性能、功耗与成本，英伟达GPU面临自研芯片的潜在竞争，全球AI芯片格局正从采购转向自研。

瑞萨电子于2026年9月1日以最高级别会员身份加入Autoware基金会，双方将合作把该基金会的开源端到端AI自动驾驶软件移植到瑞萨R-Car SoC平台，为汽车OEM和Tier-1供应商提供预集成、可扩展的ADAS及自动驾驶系统方案。

国内半导体人才缺口据称仍有约30万，小米自研芯片“澎程”被寄予厚望，但单靠一家企业的芯片项目难以弥补整个行业的人才与产业链短板。文章探讨国产芯片自研热潮与人才荒之间的落差，以及小米能否在设计中发挥带动作用。

Counterpoint报告显示，2026年二季度全球晶圆代工营收同比增长29%，AI订单爆发与产能吃紧推动价格全面上涨。台积电以73%市占率稳居第一，受惠2nm量产及3nm爬坡；三星以7%居次，急需提升2nm良率；中芯国际营收创历史新高，以5%市占跻身全球第三。

ASML在半导体大会上披露High NA EUV光刻机最新进展：全球已有4家客户装机10台，另有3台正在出货安装。已装机设备累计生产135万片晶圆，EXE:5200B型号吞吐量达135WPH，ASML称已具备量产能力并为大规模量产做准备。客户主要为Intel、三星、SK海力士及台积电，欧洲IMEC用于研发试验。

AI需求吞噬DRAM产能，三星已将2031年前约七成产能锁定给NVIDIA、微软、谷歌等长期合约，SK海力士跟进。韩国DRAM出口量降13.2%但出口额涨18.5%，单价两月涨36.6%。36GB HBM3E现货价炒至2100美元，为合约价的4-5倍；HBM4现货报3500美元。NVIDIA采购承诺一季度翻倍至2790亿美元，三季度服务器DRAM合约价预计再涨13%-18%。