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300层之后,NAND开始换心脏了

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📋 总体概括

京都大学做出扛住600℃的晶体管,NAND在300层以上把钨字线换成钼,高盛把三年WFE预测上调至2810亿美元。三件事指向同一条主线:尺寸红利见顶后,材料与结构创新接棒,而每一次换材料,最终都变成设备商账上的真金白银。

#存储芯片#设备#材料#产业观察

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原文高盛大幅上调全球晶圆厂设备支出:存储与先进代工成主引擎原文“钼”成300层+NAND必选项 机构:沉积设备迎10亿美元增量市场原文Kyoto University builds transistor that survives 600C temperatures, compatible with standard fabs — Standard ion implantation and bottom-gate design fix leakage and voltage drift

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