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AI数据中心把DRAM产能抢购一空，三星2027年产能八成已被长协锁定，HBM均价预计翻倍。美光祭出vHBM垂直堆叠架构，把DRAM直接焊在处理器头顶，冲2TB

美光在10月21日的技术分享会上宣布放弃已研发约二十年的4F² DRAM，继续延伸6F²路线并押注3D DRAM，与三星、SK海力士及长鑫存储的路线选择形成鲜明

美光在同一天公布单条1TB的DDR6路线图，又遭遇桃园工厂24小时罢工。本文拆解DDR6的技术底牌、6F²与4F²的路线分裂、DRAM连续三季涨价的结构性原因，

一周之内，美光预告超400层G11 NAND、SK海力士公布热阻降30%的iHBM、英伟达以NVHBM促成三星与台积电罕见联手。三件事指向同一个判断：AI正在重

NVIDIA 的 NVHBM 新标准把内存控制器搬进 3D HBM 堆栈，但其 base die 必须用台积电 3nm 制造，三星被迫以客户身份找老对手代工。本

长鑫宣布4F²架构与垂直环绕栅极晶体管突破，计划2026年底供应4F² DDR5 RDIMM，引发三巨头股价五天暴跌两成。本文拆解4F²技术逻辑、供需周期拐点与

铭芯启睿基于1TnR路线的1T4R 1Gb RRAM芯片“泰山一号”完成流片，在28nm成熟工艺上实现30Mb/mm²密度与小于20ns访问延时，为片上嵌入式存

长鑫存储总裁曹堪宇宣布，公司首款4F² DRAM产品将是面向服务器的DDR5 RDIMM，2026年底前问世。本文拆解4F²的技术难度、服务器内存的卡位逻辑、时

长鑫存储总裁曹堪宇在上海宣布年底将推出基于4F²设计的数据中心DRAM，若属实将是全球首次跨越6F²门槛。本文拆解4F²的技术难度、垂直环绕栅极路线的产业逻辑，

三星在OCP全球峰会2026上亮出HBM5、CXL内存池化与下一代SSD三条技术路线，并联手AMD现场演示CMM-D内存池化方案。同期苏姿丰访韩寻求存储与代工合

长鑫G6代DRAM指标流出：不靠EUV，靠193nm浸没式光刻加SAQP多重图案化，单元面积再缩30%，并首次引入晶圆级混合键合。同期内存暴涨逼出惠普、戴尔首次

长鑫G6平台技术指标流出：继续吃DUV老本，靠SAQP多重图案化把DRAM单元面积再缩30%，并首次引入晶圆级混合键合，为4F²架构与3D DRAM铺路。本文拆

英伟达豪掷1.87万亿元锁定2027年37.3%的HBM供应，美光消费级内存毛利率冲上88%，存储原厂重获定价权；同一时间，Syracuse等三校发布RAPID

长鑫G5追平三巨头量产水平，下一代G6据预测将靠193i DUV+SAQP加键合工艺，把cell面积再砍30%，最快2028年问世。在存储涨价周期延续到2030

三星12层HBM4E据报已通过英伟达质量验证，从HBM3E出局的它有望重返Rubin Ultra供应链。本文拆解技术突破、HBM竞争格局与认证背后的产业逻辑。

长鑫存储在第四届集成芯片和芯粒大会上宣布，年底推出融合4F²架构与混合键合的DDR5 RDIMM。自研VSG垂直晶体管、300余件专利族、服务器级首发路径，意味

Syracuse、FAU与TU Dresden团队发布RAPID架构，把DRAM内计算的并行粒度从列级推进到行级，直击数据重排开销这一PUM落地的最大痛点。本文

Syracuse、FAU与TU Dresden团队发布RAPID架构，让DRAM以行并行方式直接计算，绕开存内计算最头疼的数据重排开销。本文拆解存内计算的技术路

Syracuse大学、FAU与德累斯顿工业大学团队发表RAPID论文，提出行并行的DRAM内存内计算架构，绕开传统PUM方案先重组数据再计算的隐形开销。本文拆解

三星在Hot Chips 2026发布业内首个LPDDR5X-PIM，AI推理速度提升3.01倍、带宽扩大8倍；同期HBM4/4E产能计划2027年翻倍至5万片

三星在Hot Chips 2026发布业内首款LPDDR5X-PIM，把逻辑单元塞进内存；同时HBM4/HBM4E产能2027年翻倍至5万片/月；英伟达Rubi

Hot Chips 2026上，SK海力士把HBM的未来押在先进封装与更密的垂直堆叠上；台积电混合键合在逻辑芯片上量产、在内存上却意外推迟；三星则抛出三阶段路线

CXMT HBM3E风险量产传闻良率仅25%，TSV数量与堆叠工艺是核心短板，但DRAM产业AI需求暴涨60%的市场窗口正在收窄。本文拆解HBM良率真相、技术代

当所有人盯着HBM时，NAND正悄悄被AI重塑：晶圆越磨越薄、堆叠越叠越高、混合键合从DRAM烧到闪存。本文拆解AI时代NAND的封装革命，以及它背后的产能、良

HBM堆栈总厚度被775微米的物理上限钉死，SK海力士、三星、美光在Hot Chips上各自亮牌：延续MR-MUF、押注混合键合与ZHBM垂直堆叠。本文拆解这堵

HBM堆叠撞上775微米物理天花板，SK海力士押注混合键合，三星祭出ZHBM，美光量化散热与可靠性代价。AI存储正从标准化商品走向定制化平台，而产能与晶圆的刚性

三星在Hot Chips上公布三阶段HBM路线图，终点zHBM要把DRAM直接堆上计算芯片；另一边长存控股330亿IPO刷新科创板纪录，一季度净利333亿。存储

HBM堆叠撞上775微米物理天花板，SK海力士押注混合键合HBM5，三星祭出ZHBM垂直堆叠，美光则用硅片占比和17%训练中断数据揭示散热与可靠性危机。Hot

三星在Hot Chips 2026发布业界首款LPDDR5X-PIM，把逻辑单元搬进内存；HBM4/4E产能2027年翻倍至5万片/月；CXMT盯上NAND闪存

HBM堆叠撞上775微米物理天花板，SK海力士押注混合键合HBM5，三星祭出ZHBM垂直堆叠概念。本文从物理极限、可靠性、定制化与产能缺口四个维度，拆解AI存储

三星在Hot Chips 2026上披露业界首款LPDDR5X-PIM，把逻辑单元直接做进内存，AI推理速度达普通LPDDR5X的3.01倍、带宽提升8倍。本文

三星在Hot Chips披露zHBM三阶段路线图，要把DRAM直接堆上计算芯片；长存控股330亿科创板IPO获受理，一季度净利333.79亿元。当存储从配角变主

d-Matrix借3D-DRAM堆叠接入英伟达NVLink Fusion生态，能效宣称比HBM高10倍；与此同时消费级DRAM缺货加剧、美光退出消费市场；台积电

三星靠HBM4基础芯片吃掉自家4nm一半产能，代工业务意外翻身；华为时隔六年发布麒麟9050 Pro，首发韬定律逻辑折叠技术。两条新闻指向同一件事：当制程红利递

三星在Hot Chips 2026抛出HBM基Die上先进逻辑工艺的路线图，存储开始承担运算职能；博通AI收入创新高，定制ASIC步步紧逼GPU；韩国9190亿

长鑫存储LPDDR6在小米18 Fold上实现全球旗舰机首发量产，速率12800Mbps、带宽较LPDDR5X提升60%。本文拆解首发含金量、技术底牌与封装难点

NAND冲上300层后，钨这位服役几十年的老臣率先退场，钼登顶C位；HBM竞争焦点从堆叠层数转向封装；英伟达好业绩也难救股价。材料、封装、资本三条线同时换轨，存

京都大学做出扛住600℃的晶体管，NAND在300层以上把钨字线换成钼，高盛把三年WFE预测上调至2810亿美元。三件事指向同一条主线：尺寸红利见顶后，材料与结

努比亚NaviX Ultra宣布搭载长鑫10667Mbps LPDDR5X，这是国产高速率移动DRAM的首次量产商用。本文从速率规格、AI手机对带宽的真实需求、

三星公布三阶段HBM路线图，终点是将DRAM垂直堆叠在计算芯片上的zHBM；同期长存控股330亿科创板IPO获受理。一边是架构跃迁，一边是资本跃迁，存储行业正在

三星公布三阶段HBM路线图，终点是取消中介层、将DRAM垂直堆叠在计算芯片上的zHBM；同期长存控股330亿科创板IPO获受理，一季度净利333.79亿元。存储

三星在Hot Chips披露三阶段HBM路线图，终局zHBM将DRAM直接堆上计算芯片、取消中介层；同期长存控股以330亿元拟募资额刷新科创板纪录，Q1净利33

Hot Chips上三星公布HBM三阶段路线图，终点zHBM要把DRAM直接堆上计算芯片；同期长存控股携330亿募资闯关科创板，一季度净利333.79亿元。存储

Hot Chips上三星披露HBM三阶段路线图，终点是取消中介层、将DRAM垂直堆叠在计算芯片上的zHBM，宣称功耗降70%、带宽升230%；同期长存控股330

Intel再次站在存储十字路口，存储芯片从周期性商品变成AI黄金；与此同时，AI数据中心光互连市场预计2030年达1444亿美元，硅光子占64%。存储与互连正成