存储大变局：三星改写HBM，长存改写格局

同一个八月的存储行业，出现了两张截然不同的面孔。

一张在加州的Hot Chips讲台上：[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]公布三阶段HBM路线图，终点是一种叫zHBM的架构——把DRAM直接垂直堆在GPU、TPU头顶上，连2.5D中介层都不要了。

另一张在上海科创板：[[长存控股]]IPO获受理，拟募资330亿元，超过[[中芯国际]]的200亿和[[长鑫科技]]的295亿，创下科创板史上最高纪录，而其一季度归母净利润高达333.79亿元。

一个在改写HBM的物理形态，一个在改写NAND的产业格局。本文把这两件事放在一张桌子上看：存储，正在从AI产业链里的“配角”，变成这场大戏的主角之一。

一、Hot Chips上的宣言：三星要把内存“焊”在GPU头上

先讲清楚HBM是什么。用工程师的糙话说，HBM就是把好几层DRAM像千层饼一样叠起来，侧面打穿一排“电梯井”（TSV，硅通孔），让信号垂直上下走，从而用极短的物理距离换来极高的带宽。

据wccftech报道，在Hot Chips大会上，[[Sangwook Han]]把HBM拆成了两个零件：

• C-die（核心芯片）：装着真正的DRAM存储单元，最多垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片/Base Die）：垫在整个堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU通信。

这两层饼之间靠TSV连接，而整摞饼再通过中介层（interposer）与GPU“并排坐”在封装基板上——这就是今天所有AI芯片的标准姿势。

三星的zHBM，干的是拆桌子的事：取消中介层，让DRAM直接垂直摞在计算芯片上。用一张图看变化：

这个改动的账面收益相当激进。需要特别说明的是：以下数据目前仅有单一信源——三星在Hot Chips上的自行披露，经wccftech转述，截至发稿尚无第三方实测、竞争对手回应或独立机构验证。换言之，这是一份“三星宣称”，是技术愿景的表达，而非经过验证的性能承诺，读者应以此口径看待：

注意最后一行：为GPU释放8.3%的额外功率空间。对一颗被功耗墙按在地板上摩擦的AI加速器来说，8.3%往往就是能不能多塞一组计算单元的生死线——前提当然是，这些数字最终能在量产中兑现。

产业逻辑很直白：当制程微缩的红利越来越贵，封装与系统架构就成了新的“免费午餐”。三星在告诉行业——内存不该只是GPU旁边的邻居，它应该长在GPU身上。

二、带宽的天花板：为什么2.5D中介层注定要被革命

有人会问：HBM4带宽不是已经够高了吗？为什么还要掀桌子？

看数据。据wccftech报道，当前HBM4每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上把带宽翻倍，容量超过60GB。听着一路高歌，但物理定律在暗处收紧了绳子：

• TSV数量与间距的物理极限：硅通孔不能无限打密，穿透芯片的“电梯井”数量有上限；
• Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限：B-die这块“一层楼”的面积是固定的，能摆下的接口就那么多。

也就是说，继续把层数往上摞，带宽曲线终究会撞墙。

三星给出的解法分三步走。三星披露的第一阶段核心目标非常“抢地盘”：从xPU那里“抢回”硅面积。三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的B-die，用来降功耗、缩面积——这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。

业内私下流传一种说法：Base Die正在从“配角转接板”变成“第二颗逻辑芯片”。这话说得刻薄，但方向没错——B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄，这既是挑战，也为三星的路线图提供了切入口。当B-die能用上接近主芯片的逻辑工艺，把内存直接堆上去就不再是科幻，而是工程问题。

判断是：HBM的下一代竞争，主战场将从“堆多少层DRAM”转向“堆叠结构怎么设计、谁来定义接口”。谁先取消中介层、把系统级功耗做下去，谁就掌握了下一代AI服务器的议价权。三星把路线图公开讲出来，本身就是一种定价权攻势。

三、330亿：科创板史上最大IPO背后的长存方程式

把视线从加州拉回国内。8月21日，据《科创板日报》报道，[[长江存储]]控股股份有限公司（[[长存控股]]）科创板IPO获受理，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。

330亿元的募资盘子，结构如下：

超过长鑫科技的295亿与中芯国际的200亿，这是科创板开板以来最大的融资请求。钱流向很清楚：六成以上砸向量产线技术升级，其余投向研发——一家存储IDM的资本开支属性，一览无余。

更值得注意的是招股书里的经营曲线。2023年至2026年一季度，长存控股主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元，其中NAND Flash产品销售收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元，是增长的主引擎。

2024年扭亏，2025年净利142.11亿，2026年一季度单季归母净利333.79亿元——单季净利率超过七成，这在任何制造行业都是罕见数字。

这个数字需要拆开看，它并非稳态盈利能力的体现，而是周期与财务结构的双重放大结果。成因至少有三层：

其一，低价库存遇上涨价周期。存储是典型的强周期行业：NAND晶圆和成品在2024—2025年价格低位时入库，到2026年一季度以周期高点的售价卖出，账面毛利率被显著动拉高。这批“低买高卖”的库存红利是一次性的——它反映的是时点差，而非可持续的成本优势。反过来，一旦周期回落，高价库存又会以减值的形式反向吞噬利润，这正是2023年长存亏损的镜像。

其二，所得税端的结构性红利。存储IDM前期巨额资本化投入带来长年累计亏损，此前不可确认的递延所得税资产随着盈利改善逐步得到确认，冲减了当期所得税费用；叠加集成电路企业的税收优惠政策，实际税负远低于名义水平。累计亏损出清、递延资产用尽之后，这一红利会自然消退。

其三，非经常性损益的贡献。IPO前报告期常见的政府补助、利息与汇兑收益等科目，通常会在归母净利润中占有可观权重，具体占比需以招股书披露的非经常性损益明细为准。

一句话概括：七成净利率是“周期高点售价 + 低位库存成本 + 税收结构性红利 + 非经常性收益”四者叠加的峰值读数，投资者不应把它线性外推为长存的常态盈利水位。

回到经营本身：截至2026年3月末，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元，基本可以宣告历史包袱出清。据TrendForce数据计算，2026年1-3月，长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地，二期生产线满产，三期产能建设正在推进。

产业逻辑在于：NAND是一门“层数即正义”的生意，谁先把堆叠层数做上去、把良率做下来，谁就能在下一轮周期里拿到定价权。而周期上行叠加份额爬升，正是存储公司融资的最优窗口——长存选在这一刻递表，时机拿捏得堪称教科书。

四、一个市场，两场战争：HBM与NAND的岔路口

把三星和长存两条新闻并排看，会发现存储行业正在分裂成两场规则完全不同的战争。

HBM打的是架构战争。 它嵌在AI芯片封装链条里，比拼的是与逻辑工艺的融合能力、堆叠结构的创新速度。三星的三阶段路线图，本质是把竞争从“内存颗粒”拉升到“系统架构”维度。这条路极度依赖先进逻辑工艺和先进封装的深度耦合——B-die用4nm，就是明证。

NAND打的是规模与资本战争。 它的胜负手在层数、良率、产能和成本曲线。长存靠[[Xtacking®]]系列打出了自己的节奏：2022年推出Xtacking®3.0，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking®4.0，拿下FMS权威奖项；2025年更成为中国大陆为数不多与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

专利交叉授权这一条，业内普遍看得比出货排名更重——它意味着技术话语权开始被反向承认，地缘博弈的天平上多了一个真实筹码。冷静地说，这不代表壁垒消失，但在NAND这个赛道，中国大陆厂商已经从“追赶者名单”里毕业了。

而HBM这边，国内产业的存在感还基本为零——从C-die、B-die到TSV和中介层生态，这是一条需要逻辑先进工艺深度参与的链条。这就是岔路口的现实：NAND的仗已经打出局面，HBM的仗才刚要开场。 长存的330亿解决的是NAND战争的弹药问题，而HBM战争需要的是另一套完全不同的兵工厂。

小结：同一个因，结出两颗果

把三星的zHBM路线图和长存的330亿IPO放回一条因果链上，逻辑其实非常整齐——它们不是两件巧合的新闻，而是同一个驱动因在两条战线上结出的两颗果：

因果的起点是同一个：AI把内存带宽和数据存储同时推成了系统瓶颈。带宽瓶颈催生了HBM的架构战争——谁能重新定义内存与计算的位置关系，谁就掌握下一代AI服务器的议价权，所以三星要用zHBM拆掉中介层、公开路线图、先声夺人；容量与成本瓶颈则催生了NAND的规模战争——存储从可替代的周期品变成了AI基础设施的战略资产，估值锚从“周期均值”切换为“战略稀缺”，所以长存要抢在周期高点完成史上最大IPO，为层数与产能竞赛储备弹药。

两条战线互为印证：正因为NAND端长存们打出了全球第三的份额，市场才相信存储的价值重估是真的；正因为HBM端三星敢于公布激进的终局架构，行业才确认存储厂商第一次同时握有技术定义权（HBM架构）与资本议价权（NAND规模）。三星押的是“内存长进芯片里”的终局，长存押的是“层数与产能”的复利；前者要拆掉中介层，后者要拆掉技术代差——拆的都是过去二十年存储产业“被动配角”的旧秩序。

当然，两条战线的不确定性也应如实标注：zHBM的激进数字目前只是三星宣称，兑现要等到HBM5之后的量产节点；长存超七成的单季净利率是周期峰值读数而非稳态，募投产能落地后还要接受下一轮周期下行的检验。

接下来的看点有两个：zHBM路线图能否在HBM5之后兑现那些激进数字；以及长存募资落地后，三期产能与技术升级能否在全球第三的位置上再进一步。存储的战争，才刚进入下半场。