三星画饼，长存数钱：存储业的双面叙事

导语

同一个八月，存储行业讲出了两个截然不同的故事：一边是[[三星]]在Hot Chips 2026上摊出HBM终极形态的路线图——把DRAM直接摞在GPU头顶、取消中介层的[[zHBM]]；另一边是[[长存控股]]330亿元IPO获受理，创下科创板拟募资纪录。前者讲的是技术终局，后者晒的是真金白银。两条线看似不相干，其实指向同一个判断：存储已经从AI算力的配角，走到了牌桌中央。

Hot Chips的意外主角：三星把DRAM摞上了GPU头顶

场景先摆出来。在Hot Chips技术大会这样一个通常由GPU、NPU厂商唱主角的舞台上，[[三星]]DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]登台发表演讲，正式披露了HBM演进的三阶段路线图（信源①：Hot Chips 2026官方议程及三星现场演讲材料）。路线图的终点，是一个全新名字：zHBM。

zHBM的核心思路只有一句话：把DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消2.5D中介层（interposer）。

这不是小修小补。目前的HBM，是靠中介层这个"桥墩"与计算芯片连接的独立建筑；zHBM要做的是把内存直接砌进计算芯片的墙体里。据wccftech 2026年8月23日的报道（信源②），相较标准[[HBM4E]]，三星给出的zHBM账面数据相当激进：

• 功耗降低70%；
• DRAM带宽提升230%；
• 每个DRAM模组节省100W功耗；
• 为GPU释放8.3%的额外功率空间。

这组数字的产业含义值得拆开看。AI芯片当下的第一约束已经不是晶体管，而是功耗墙——HBM与GPU之间的数据搬运距离每缩短一寸，省下的都是真金白银的功率预算。释放出的8.3%功率空间，意味着GPU可以把这部分预算重新投入计算核心。

据多位接近供应链的人士观察，头部xPU厂商目前对这类“激进互连”方案普遍是嘴上谨慎、内部跟进的态度——谁都不敢在HBM4E竞标中公开押注单一架构，但也没人敢在路线图上删掉这一栏。

产业逻辑很直白：当HBM的带宽扩展逼近物理极限，架构层面的重构就成了唯一的出路。三星选择自己掀桌子。

HBM撞墙：TSV与PHY的双重天花板

要看懂三星为什么非掀这张桌子不可，得先看懂HBM的结构。

HBM（高带宽内存）是AI训练与推理系统中最关键的存储组件之一，由两类芯片构成：

• C-die（核心芯片）：包含DRAM存储单元，最多可垂直堆叠16层；
• B-die（基础芯片/Base Die）：位于堆叠底部，负责DRAM控制功能，并通过PHY（物理接口层）与GPU等计算芯片通信。

两者之间靠TSV（硅通孔）——一种穿透芯片的垂直导电通道——连接。

带宽的演进速度看起来很美：据wccftech报道（信源②），当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，[[HBM5]]则在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。

但物理定律不参与造势。带宽的持续扩展正面临两大硬约束：

其一，TSV数量与间距的物理极限。 TSV不能无限加密——硅片就那么大，通孔打多了，良率和可靠性都要出问题。

其二，Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。 B-die是整个堆叠的“出海口”，所有数据都要从这里的PHY挤出去。出海口就那么宽，船再多也得排队。

更微妙的是第三个变量：B-die与计算芯片（xPU SoC）之间的制程代差正在逐代收窄。过去Base Die用的是成熟制程，跟前面几纳米的GPU不在一个时代；如今B-die开始逼近xPU的工艺水平。这既是HBM厂商的挑战——工艺追平意味着成本和复杂度上升，也是切入口——当B-die足以承载先进逻辑工艺，DRAM与逻辑芯片的物理边界就不再神圣不可逾越。

三星的路线图，正是从这个缝隙切进去的。

三阶段拆解：第一步是给计算芯片“腾地方”

三星路线图的第一阶段，核心目标说穿了很朴素：从xPU那里“抢回”硅面积。

具体动作是：三星已将D1c DRAM工艺与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die（信源①），主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点——Base Die不再只是“引线板”，而是开始承担部分计算与控制职能。

把这张图读薄一点：三个阶段本质上是一场空间战争——传统封装里，计算芯片、中介层、HBM各占一层地板，互连要爬楼；zHBM的终局是DRAM与计算芯片合住一层，互连距离从毫米级压到微米级。

需要泼一盆冷水的是：路线图越激进，工程化难度越高。DRAM与逻辑芯片的热膨胀系数、工艺流程、良率体系完全不同，把16层C-die直接压在4nm逻辑芯片上，堆叠良率是一个此前从未有人在大规模量产中验证过的命题。这更像三星对SK海力士与美光发起的一次节奏战——用终局叙事逼迫对手在HBM5之前重新排兵布阵。

业内私下流传的判断是：zHBM未必按三星的时间表落地，但“Base Die逻辑化、互连紧凑化”这个大方向，已经没有厂商敢反驳。

同一周的另一边：长存控股的330亿

三星在讲终局故事的同一段时间窗里，中国存储的叙事风格完全不同——不讲概念，直接报数。

2026年8月21日，《科创板日报》与财联社先后确认（信源③）：[[长江存储控股股份有限公司]]（长存控股）科创板IPO获受理，拟募资330亿元，保荐机构为[[中信证券]]与[[中信建投]]。其中208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目（信源④：长存控股招股说明书，上交所官网可查）。

330亿是什么概念？超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，为科创板史上拟募资金额最高的项目（信源③、④）。

财报数字更能说明问题。招股书显示（信源④）：

三个关键事实值得圈出来：

第一，收入三年翻了三倍多。 从2023年的187.47亿元到2025年的631.85亿元，NAND Flash始终是增长主引擎。根据TrendForce数据计算（信源⑤），2026年1-3月长存控股在全球NAND Flash厂商中按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。

第二，盈利拐点已经走过。 自2024年扭亏后盈利快速提升，截至2026年3月31日，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元（信源④）。一个曾经的重资产亏损大户，正在快速“回血”。

第三，产能还在扩张。 招股书显示（信源④），长存控股二期生产线已经满产，过去两年产销量持续提升，正推进长存三期产能建设。截至2026年3月末，公司已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地。

产业逻辑：330亿元募资的本质，是用资本市场为产能与技术迭代的双重扩张续弹药。存储是典型的周期+资本双驱动行业，谁能熬过低谷、在上升期加满产能，谁就能在下一轮卡位。

Xtacking与话语权：从跟跑到定义路线

比财务数字更值得玩味的，是长存控股的技术叙事变化。

按招股书披露的脉络（信源④）：2022年推出[[Xtacking®3.0]]技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking®4.0，获得FMS权威奖项；2025年成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

“专利交叉授权”这六个字的分量，业内都懂。存储行业过去几十年的游戏规则由少数海外厂商定义，后来者的每一代产品都要在别人的专利墙下绕行。能与头部厂商坐下来交叉授权，意味着你的技术栈里已经有了别人绕不开的东西——这是话语权层面的变化，比市占率更难获得。

把两条新闻线放在一起看，会发现一个有趣的结构性共振：

• 三星的zHBM，赌的是DRAM的堆叠极限——把存储摞上计算芯片；
• 长存的Xtacking，走的是NAND的堆叠纵深——wafer-on-wafer架构把逻辑与存储晶圆分开打磨再键合。

一个在Z轴上向计算芯片进攻，一个在Z轴上向层数纵深。存储产业的下一个十年，胜负手都在“堆叠”二字上——堆叠的层数、堆叠的密度、堆叠的距离，以及堆叠工艺背后的良率与成本。

据多位接近产业链的人士评估，NAND侧的企业级需求——服务器与数据中心——正是长存控股收入爆发的直接推手，这与HBM爆发背后的AI算力需求，本质上是同一波基础设施浪潮的两个分支。

小结：两条线，一个判断

三星的zHBM路线图与长存控股的330亿IPO，表面上是两条互不相干的新闻，收束到底层，其实是同一个故事的上下半场。

上半场是需求侧的共识。 无论三星还是长存，收入曲线的斜率都由同一个变量决定：AI基础设施的资本开支。HBM的带宽焦虑、NAND的企业级放量，都是这场开支浪潮在存储侧的两个投影。存储不再是大宗商品式的周期品，而是AI算力账单里无法砍掉的一行——这正是“配角走到牌桌中央”的具体含义。

下半场是供给侧的两套打法。 三星选择在架构上掀桌子：当TSV与PHY撞上物理天花板，就用zHBM重写游戏规则，用终局叙事为HBM4E/HBM5竞标争取话语权；长存选择在兑现上做实功：用三年三倍的收入、扭亏后的利润和专利交叉授权，把“追赶者”的标签换成“规则共写者”的身份。一个赌的是尚未量产的未来，一个晒的是已经入账的现在——但两者争夺的是同一样东西：下一代存储产业的定义权。

下一个观察窗口很明确，有三个：

1. 三星的兑现节奏：zHBM大概率不会按路线图时间表落地，但Base Die逻辑化（D1c + 4nm）是否进入量产、SK海力士与美光如何回应，将决定HBM5时代的竞争格局；

2. 长存的资金投放：330亿募资中208亿投向量产线升级，长存三期的产能爬坡速度与良率数据，是检验“盈利+话语权”叙事能否持续的硬指标；

3. 需求侧的持续性：企业级SSD与HBM的订单能见度，是两条叙事线共同的底层变量——浪潮退去时，堆叠军备竞赛的资产负债表将最先接受拷问。

技术终局在向3D纵深演进，资本与产能竞争在同步加码。存储行业的好戏，才刚刚从牌桌边缘挪到正中央。

主要信源

注：文中“据多位接近供应链/产业链的人士观察（评估）”表述，为基于公开报道与行业访谈的综合判断，供读者参考；核心财务与技术数据均以上表可查证信源为准。