存储的三张面孔：三星押注zHBM，长存豪募330亿

导语

同一段时间里，存储行业出现了两件看似无关、实则同源的大事：[[三星]]在[[Hot Chips]]大会上公布HBM三阶段演进路线图，终点是将DRAM直接堆叠在GPU之上的[[zHBM]]；[[长江存储]]控股则带着一季度333.79亿元的归母净利润，以330亿元的拟募资额刷新科创板纪录。一边在改写存储与计算的物理边界，一边在补齐产能与资本的弹药库。这背后是同一个判断：AI时代，存储不再是配角，而是算力体系里最贵的那块板子。

三星的算盘：把中介层干掉

先讲个场景。如果你走进任何一家云厂商的AI服务器机房，拆开GPU模组，会看到[[HBM]]像四面墙一样贴在计算芯片周围——中间隔着一块2.5D中介层（interposer）。这套架构撑起了过去十年AI算力的爆发，但它的物理天花板也快到了。

数据说话：当前[[HBM4]]每个堆叠的带宽已超过3TB/s，HBM4E推进至4TB/s区间，HBM5则在HBM4基础上带宽翻倍、容量超过60GB。看起来一路狂奔，但两条硬约束已经压顶：一是TSV（硅通孔）数量与间距的物理极限，二是Base Die内PHY接口的I/O数量与速度上限。

三星的答案是釜底抽薪——[[zHBM]]方案直接将DRAM垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片之上，彻底取消中介层。据wccftech报道，相较标准HBM4E，官方宣称可实现70%的功耗降低、230%的DRAM带宽提升、每个DRAM模组节省100W功耗，同时为GPU释放8.3%的额外功率空间。

产业逻辑很清楚：在AI服务器里，功耗预算就是性能预算。省下来的100W和腾出来的8.3%功率空间，等于白送GPU一轮超频空间。这不是简单的封装升级，而是把「内存墙」问题从系统层拉回芯片内部来解决。

当然，宣称值和量产值之间隔着好几代工艺。但方向本身值得所有封装厂、设备厂和DRAM厂严肃对待——中介层产业链要开始想退路了。

三阶段路线图：DRAM厂第一次玩先进逻辑

三星DRAM设计团队的[[Sangwook Han]]在Hot Chips上把路线图拆成了三段，每一段都有明确的工程目标。

第一阶段的关键词是「抢面积」：从xPU（计算芯片）那里抢回硅面积。三星已将D1c与4nm逻辑工艺应用于HBM4的Base Die（B-die），主要目的是降低功耗、缩减有效面积。这是DRAM与先进逻辑工艺真正融合的起点。

为什么这步棋重要？先看HBM的基本构造。它由两类芯片构成：C-die（核心芯片）包含DRAM存储单元，可垂直堆叠最多16层；B-die（基础芯片）位于堆叠底部，负责各类DRAM控制功能，并通过PHY与GPU通信。两者之间靠TSV连接——一种穿透芯片的垂直导电通道。

过去B-die用的是相对落后的工艺，和计算芯片之间存在明显的制程代差。而据Wccftech报道，B-die与xPU SoC之间的制程代差正在逐代收窄——这既是挑战，也是三星的切入口：既然B-die越来越像一颗逻辑芯片，那就干脆用4nm做它，让它承担更多计算逻辑，最终进化到能「托住」整颗GPU的zHBM。

产业逻辑上，这意味着DRAM厂和逻辑代工厂的边界正在模糊。三星既是DRAM厂又是逻辑代工厂，这种双料身份在zHBM时代就是护城河——[[台积电]]和[[SK海力士]]、[[美光]]的组合要协同两家公司，三星一家内部就能闭环。据多位接近人士的说法，这种「内部闭环」优势正是三星在HBM4时代反复对客户强调的卖点。

长存控股：330亿刷新纪录，数字背后是周期

镜头转到东边。8月21日，[[长江存储]]控股股份有限公司（长存控股）科创板IPO获受理，拟募资330亿元，保荐机构为[[中信证券]]和[[中信建投]]。这笔募资额超过[[长鑫科技]]的295亿元与[[中芯国际]]的200亿元，成为科创板史上拟募资金额最高的项目。

钱怎么花？招股书写得明白：208亿元用于长江存储量产线技术升级项目，122亿元用于研发相关募投项目。二期生产线已经满产，公司正在推进三期产能建设。

业绩曲线比募资额更有看头。2023年至2026年一季度，主营业务收入分别为187.47亿元、452.03亿元、631.85亿元、470.42亿元，其中NAND Flash产品销售收入分别为141.02亿元、398.80亿元、566.60亿元和452.38亿元。利润端更是陡峭：2024年扭亏盈利67.71亿元，2025年归母净利润超142.11亿元，2026年一季度单季归母净利润高达333.79亿元。

单季度333亿净利对470亿收入，这个利润率放在任何行业都罕见——显然是NAND价格周期上行叠加企业级产品放量的共振。根据TrendForce数据计算，2026年1-3月长存控股在全球NAND Flash厂商按销售金额和出货量排名均位列全球第三、中国第一。截至2026年3月31日，公司累计亏损已大幅收窄至约34亿元。

产业逻辑：这330亿买的不是产能，是「周期底牌」。存储是典型的重资产周期行业，景气顶部募资扩产，为的是在下一轮低谷还有牌可打。三期产能建设瞄准的正是企业级SSD和数据中心这块增速最快的蛋糕。

技术与资本的双螺旋：两条路线殊途同归

把三星和长存放在一起看，会发现两条路线在朝同一个方向汇聚。

长存的技术叙事同样硬核：2022年推出[[Xtacking®3.0]]技术，成为全球首批推出200层以上3D NAND Flash产品的企业，实现国内存储技术首次领先世界先进水平；2024年迭代Xtacking®4.0，获得FMS权威奖项，重塑全球3D NAND技术发展路线；2025年成为中国大陆为数不多的与国际头部厂商达成专利交叉授权的集成电路企业。

注意Xtacking的设计哲学：把CMOS逻辑晶圆和存储阵列晶圆分开制造再键合——这本质上也是一种「把逻辑和存储堆在一起」的思路，只是方向和zHBM相反。三星要把DRAM堆到计算芯片上，长存把外围电路堆到存储阵列上。殊途同归的地方在于：3D堆叠正在取代平面微缩，成为存储性能演进的主引擎。

资本市场也在为这个叙事定价。长存控股依托中国庞大的应用市场和国际化布局，出货量在报告期内快速增长，已建成中国大陆最大的3D NAND Flash晶圆生产基地。截至2026年3月末这个时间点，它的产能规模就是谈判桌上的筹码。

地缘视角冷静看一句：存储是地缘敏感度仅次于先进逻辑的品类。长存2025年能达成国际专利交叉授权，说明技术对话通道仍在；而三星的zHBM若成，封装环节的中介层供应商、以及HBM出口管制链条都会被重新洗牌。据多位接近人士透露，海外大厂对「中国企业用价格换份额」的策略已有心理准备，但对长存在企业级市场的渗透速度仍感意外。

小结

三星的zHBM改写的是「存储放在哪」的物理答案，长存的330亿回答的是「存储由谁造」的产业答案。两条线索的共同注脚是：AI把存储从成本中心推成了价值中心，带宽、功耗、堆叠层数取代制程节点成为新的竞争语言。接下来值得盯住的三个信号：zHBM原型能否在下一代GPU平台拿到设计导入、HBM5量产节奏、以及长存三期产能的建设进度与NAND价格周期能否错峰。存储战争的下半场，才刚刚开盘。