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EE Times文章探讨AI在IC签核与制造中的应用，指出信任是芯片设计采用AI的关键。文章介绍确定性EDA引擎与可解释AI如何协同工作，在保证结果可信的前提下加速签核与制造流程，标志着可信赖AI时代的到来。

光模块龙头新易盛发布2026年半年报，上半年营收209.1亿元同比增长100.34%，净利润75.29亿元同比增长90.98%，主因AI算力投资拉动销售，Q2净利环比增70%。此外燧原科技拟科创板发行4303.52万股，9月2日申购，公司尚未盈利；赣锋锂业与LAR签署锂盐湖项目整合关键协议。

国产GPU厂商燧原科技将于科创板IPO，拟发行4303.5173万股，占发行后总股本10%，发行后总股本4.30亿股。发行采用战略配售、网下与网上结合方式，初步询价日8月28日，申购日9月2日。保荐人为中信证券，公司目前尚未盈利，上市后将纳入科创成长层。

美国EPA署长泽尔丁警告，部分州推动的数据中心建设暂停令将削弱美国与中国竞争AI领先地位的筹码。福克斯民调显示70%选民反对在社区周边建AI数据中心，78%支持放缓节奏，该议题已成中期选举焦点。泽尔丁要求项目做到电网净供给和100%水资源循环，但反对一刀切叫停建设。

燧原科技公告IPO发行安排：初始战略配售860.7034万股，占发行总量20%；网下初始发行2754.2639万股，占扣除战配后的80%，网上688.55万股占20%。最终数量按回拨机制确定。初步询价日为8月28日，网上网下申购日为9月2日。

8月24日小米发布三款玄戒自研芯片：3nm手机SoC玄戒O3（9月搭载小米18 Fold）、6nm AI加速芯片O100与3nm智驾芯片D100，后两者2027年商用。小米还展示同时搭载三芯的AI Cube桌面AI终端原型，本地运行120B/3B双模型。小米意在以手机、AI、汽车多场景摊薄芯片研发成本，实现规模经济。

京都大学团队基于碳化硅材料，采用标准离子注入工艺和底栅结构，研制出可在600°C高温下稳定工作的晶体管，解决了漏电和阈值电压漂移问题，且与现有标准晶圆厂工艺兼容，无需特殊产线即可量产。

上海发布新型工业化'十五五'规划，提出全链条推动集成电路核心技术攻关，聚焦张江、临港、嘉定建设'一体两翼'世界级产业集群，推进高性能算力芯片、存储芯片等达到国际先进水平，加快EDA、先进封装产业化及装备材料升级。

据媒体报道，台湾方面起诉多名NVIDIA员工，指控其向中国出口被禁止的AI服务器。尽管美国已放宽对华AI芯片出口限制，但非法出口活动仍在持续，显示相关管制执行与合规风险依然存在，供应链灰色渠道问题引发关注。

上海印发新型工业化“十五五”规划，提出全链条攻关集成电路核心技术，依托张江、临港、嘉定打造“一体两翼”世界级集群，推动EDA、IP高端化及算力、处理器、存储、互联芯片和智能传感器达国际先进水平，并加快先进封装、产线建设与装备材料升级。

高盛基于美股二季度财报中半导体资本开支超预期及设备厂商乐观指引，大幅上调2026-2028年全球晶圆制造设备（WFE）支出预测至1500亿、2180亿、2810亿美元，增速预期同步上修，判断行业景气周期有望延续至2028年。其中台积电因N2（2纳米）制程设备投入强度超预期，每年资本开支预测均上调80亿美元，先进逻辑工艺成为代工设备需求核心驱动力。

美国民众对数据中心的支持度急剧下滑，最新民调显示75%美国人反对建设数据中心，远高于一年前的42%，且反对情绪跨越党派。得州、宾州等地已出台限制政策。数据中心是AI算力扩张的物理基础，民意反弹与政策收紧可能拖慢AI基础设施建设，并波及科技公司在政治游说上的投入。

投行Evercore ISI分析师Amit Daryanani发布报告，看好2026年下半年AI交易三大方向：存储、网络与苹果。存储方面因供应紧张和AI推理需求激增，推荐希捷与西部数据，两者年内分别上涨207%和170%；网络方面推荐安费诺、Arista和思科，看好数据中心互联需求。

据EE Times报道，英伟达正与韩国推理芯片初创公司Rebellions洽谈技术合作、投资或收购事宜。这表明英伟达正将战略重心转向推理市场，通过布局韩国本土AI芯片力量巩固其在全球AI算力领域的地位，也反映出推理芯片赛道竞争加剧，巨头加速收编新兴玩家。

美光HBM设计架构研究员Sreeramaneni在Hot Chips 2026会议上警告，内存墙问题仍在恶化：AI加速器计算性能每两年提升3倍，而HBM不足2倍。HBM以面积换带宽，同容量耗晶圆约为DDR5的三倍，加剧内存短缺，散热也成设计首要挑战，需打破计算与存储界限的新设计。

美国民众对数据中心态度一年内急转：净支持率从2025年3月的+51个百分点降至2026年4月的-17个百分点，反对从地方争议演变为跨党派全国性力量，反对组织覆盖49个州。民意虽难逆转AI投资总方向，但可能拖累数据中心落地效率，使算力供给兑现时间后移，构成美国AI叙事的逆风。

随着制程推进至2nm及以下，多芯片堆叠组装正成为主流设计范式。芯片通过模块化组合不同制程的die，兼顾性能、成本与良率，先进封装、混合键合及多年研究成果逐步落地，推动半导体产业从单一SoC走向异构集成时代。

8月24日小米发布三款玄戒系列自研芯片：玄戒O3为AI旗舰SoC（10核CPU、16核GPU、200TOPS NPU）；玄戒O100面向大模型AI加速，采用6nm工艺与3D晶圆级堆叠，带宽达1.22TB/s；玄戒D100面向智能驾驶，采用3nm工艺，支持200B大模型本地部署。至此小米自研芯片覆盖终端、AI计算与智驾，构建“人车家”AI算力底座。

三星、美光、SK海力士正集体在NAND闪存中弃钨用钼：三星已量产，美光跟进，海力士375层NAND也将采用。因闪存堆叠至300层后钨性能吃紧，钼成为替代方案，带来新设备与工艺需求。SemiAnalysis预计到2027年钼沉积设备销售将超10亿美元，未来钼还可能扩展至DRAM和先进逻辑芯片。

英伟达将于8月26日公布2027财年二季报。高盛预计业绩强劲、指引有上修空间，其EPS预测高出市场共识6%-12%，但因股价近两周已涨超12%，利好或被提前定价，财报后未必上涨。高盛给出285美元目标价，称估值重估需三大催化：云厂商资本开支持续改善、供应商融资担忧缓解等。

Hot Chips大会上三星、英伟达、美光等披露HBM路线图，核心方向为定制化与三维垂直堆叠。三星提出ZHBM概念，将HBM堆叠于XPU之上，目标功耗较HBM5降低约70%、带宽提升2.3倍。分析师指出HBM每片晶圆产出仅为DDR三分之一，行业十余年未大规模扩产，新产能需约两年，供需矛盾短期难解，现货价格已上涨约7倍。

群联电子CEO潘健成回应市场对存储涨幅收敛的担忧，指出真正关键在于供给扩张速度远赶不上AI需求增长。随着AI从训练走向推理，存储需求持续放大，存储正从传统周期性需求转变为AI产业扩张不可或缺的底层基础设施。

SemiAnalysis报告指出，NAND堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充上触及物理极限，钼成为必选替代材料。三星2024年已量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。钼在NAND产能占比预计从2025年中个位数升至2027年约30%，钼沉积设备2027年销售额将超10亿美元，2030年达约20亿美元/年。

高盛大幅上调2026-2028年全球晶圆厂设备（WFE）支出预测至1500亿、2180亿及2810亿美元，主因Q2财报季资本开支超预期及设备商乐观展望。代工方面台积电N2制程带动先进制程设备需求跃升，每年资本开支上调80亿美元；DRAM领域因HBM4迁移与产能扩张，三星、SK海力士开支预测分别上调22%和19%。

SK海力士副总裁Lee Jae-sik在Hot Chips 2026演讲称，HBM竞争焦点正从内存性能转向封装技术。SK海力士采用MR+MUF封装提升HBM性能，并正开发混合键合技术，目标突破16层堆叠、实现20层以上，芯片厚度可增24%，凸点间距缩至18微米以下，散热更佳。

英伟达拟涨价15%，引发市场热议。测算显示，Vera Rubin NVL72机架总成本约910万美元，存储占比约35%，若维持原有毛利率，转嫁幅度需超20%，故15%涨价更像试探而非终点。这被视为存储被动涨价的边际确认，利好AI硬件链，但也给云厂商（CSP）带来更大融资压力。

三星在Hot Chips大会披露HBM三阶段演进路线图，终点为zHBM架构——将DRAM直接垂直堆叠在GPU、TPU等计算芯片上，彻底取消2.5D中介层。据称相比标准HBM4E，zHBM可实现70%功耗降低、230%带宽提升，每模组省电100W，并为GPU释放8.3%功率空间，瞄准AI算力内存瓶颈。

英伟达将于8月26日美股盘后公布2027财年二季度财报，市场预期营收920亿美元、同比增长96%，EPS为2.09美元；数据中心业务营收预计854亿美元、同比增107%。财报是美股AI交易风向标，但超大规模云厂商自研芯片或构成隐忧。

高盛报告指出AI交易动能结构生变：半导体与AI复合板块从动量多头转入空头，软件板块接棒成最大权重。经历剧烈去杠杆后，高盛建议转向欧日银行股、黄金铜矿等硬资产及法国政治风险对冲，同时AI交易进入精细化阶段，重点关注存储芯片与数据中心板块的价格与EPS背离机会。

三星电子公布股东回报计划，拟回报至多110万亿韩元，但以现金分红为主、未推出股份回购，且回报比例维持50%不变，大量细节推迟至明年1月敲定。方案被指缺乏惊喜，引发股价一度大跌7.1%，拖累Kospi跌1.4%、日经225跌0.4%，亚太科技板块整体承压。